基于压电石英晶片弯曲效应的弯矩测量传感器的制作方法

文档序号:12799474阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种基于压电石英晶片弯曲效应的弯矩测量传感器,包括基体,所述基体上设置有连接孔,其特征是:所述基体内设置有两个弹性变形环,两个所述弹性变形环之间设置有弯矩测量晶组,所述基体上设置有输出接头,所述输出接头内端通过导线与所述弯矩测量晶组连接,所述输出接头的外端通过电荷放大器放大成电压信号,再由数字表或计算机记录结果。

2.根据权利要求1所述的基于压电石英晶片弯曲效应的弯矩测量传感器,其特征是:所述弯矩测量晶组包括三片X0切型石英晶片和四片检测电极,四片检测电极两两一组分别夹持在三片石英晶片之间,四片检测电极依次标注为电极A、电极B、电极C、电极D,当仅有轴向力作用时,在晶片表面产生剪切束缚电荷,电极A与电极C,电极B与电极D产生的电荷符号相同,大小相等,电极A与电极C并联后输出为零;当仅有弯矩作用时,电极A与电极C,电极B与电极D产生的电荷符号相同,大小相等,电极A与电极C并联后输出,输出电荷为单电极的两倍,提高了弯曲测量晶组的灵敏度。

3.根据权利要求2所述的基于压电石英晶片弯曲效应的弯矩测量传感器,其特征是:所述基体为长方形,其四角处分别设置有所述连接孔,所述弯矩测量晶组贴接在所述弹性变形环的内腔凸台中心上,压电石英晶片与凸台平面相平行的表面对称贴上所述检测电极。

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