磁传感器装置的制作方法

技术特征：

1.一种磁传感器装置，其特征在于，具有：

永磁铁，所述永磁铁在介质的搬运路径上形成沿所述介质的搬运方向的方向的磁场；以及

感磁元件，所述感磁元件相对于所述永磁铁在所述搬运路径侧配置在所述永磁铁的磁场内。

2.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，

在所述永磁铁上，在沿所述介质的搬运方向的方向上设有S极和N极。

3.根据权利要求1或2所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述感磁元件配置在所述搬运路径与所述永磁铁之间。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述感磁元件以其至少一部分与所述永磁铁相向的方式配置。

5.根据权利要求4所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述永磁铁及所述感磁元件在与所述介质的搬运方向交叉的方向上排列多个，

多个所述永磁铁的磁极的磁化方向相同。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述感磁元件具有：

第一感磁元件；以及

第二感磁元件，所述第二感磁元件在所述搬运方向上配置在与所述第一感磁元件分开的位置，且与所述第一感磁元件生成差动输出。

7.根据权利要求1至4中的任一项所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述永磁铁包括：

第一永磁铁；以及

第二永磁铁，所述第二永磁铁在所述搬运方向上配置在与所述第一永磁铁分开的位置，

通过所述第一永磁铁与所述第二永磁铁间的泄漏磁通，形成所述磁场。

8.根据权利要求7所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述感磁元件具有：

第一感磁元件，所述第一感磁元件在比所述第一永磁铁的所述搬运方向的中心靠所述第二永磁铁侧的位置与所述第一永磁铁相向；以及

第二感磁元件，所述第二感磁元件在比所述第二永磁铁的所述搬运方向的中心靠所述第一永磁铁侧的位置与所述第二永磁铁相向，且与所述第一感磁元件生成差动输出。

9.根据权利要求8所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述第一感磁元件的靠所述第二感磁元件侧的端部位于比所述第一永磁铁的靠所述第二永磁铁侧的端部靠所述第二感磁元件侧的位置，

所述第二感磁元件的靠所述第一感磁元件侧的端部位于比所述第二永磁铁的靠所述第一永磁铁侧的端部靠所述第一感磁元件侧的位置。

10.根据权利要求7所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述感磁元件具有：

第一感磁元件，所述第一感磁元件在比所述第一永磁铁的所述搬运方向的中心靠所述第二永磁铁侧的位置与所述第一永磁铁相向；

第二感磁元件，所述第二感磁元件在比所述第一永磁铁的所述搬运方向的中心靠与所述第二永磁铁相反一侧的位置与所述第一永磁铁相向，且与所述第一感磁元件生成差动输出；

第三感磁元件，所述第三感磁元件在比所述第二永磁铁的所述搬运方向的中心靠所述第一永磁铁侧的位置与所述第二永磁铁相向；以及

第四感磁元件，所述第四感磁元件在比所述第二永磁铁的所述搬运方向的中心靠与所述第一永磁铁相反一侧的位置与所述第二永磁铁相向，并与所述第三感磁元件生成差动输出。

11.根据权利要求10所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述第一感磁元件的靠与所述第二感磁元件相反一侧的端部位于比所述第一永磁铁的靠所述第二永磁铁侧的端部靠与所述第二感磁元件相反一侧的位置，

所述第二感磁元件整体与所述第一永磁铁相向，

所述第三感磁元件的靠与所述第四感磁元件相反一侧的端部位于比所述第二永磁铁的靠所述第一永磁铁侧的端部靠与所述第四感磁元件相反一侧的位置，

所述第四感磁元件整体与所述第二永磁铁相向。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述感磁元件为磁阻元件。

13.根据权利要求1至12中的任一项所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述感磁元件在与所述介质的搬运方向交叉的方向上配置多个。

14.根据权利要求13所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述永磁铁沿与所述介质的搬运方向交叉的方向延伸，且与配置在该交叉的方向上的多个所述感磁元件相向。