单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器及其制作方法与流程

本发明涉及微电子机械系统(mems)技术领域，特别是涉及一种单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器及其制作方法。

背景技术：

微加速度传感器以其体积小、重量轻、功耗小、成本低、易集成等特点，已被广泛应用于各种不同领域，其发展十分迅速。为了适应不同领域测量条件的限制，微加速度传感器的类型也多种多样，但由于电容式微加速度传感器具有灵敏度高、低噪声、动态响应好等优点，一直都是研究的最主要方向。

高性能的微加速度传感器多采用三层或四层硅片键合在一起的三明治差分电容式结构，主要包括键合在一起的上电极盖板、中间电极和下电极盖板，通过差分电容的变化检测外界输入加速度的大小。其中，中间电极通常采用双层硅片键合的方法形成双面对称的弹性梁-质量块结构(例如美国专利us005652384a)，其工艺可以采用koh湿法腐蚀结合干法刻蚀释放的方法。可采用的工艺流程为：首先采用koh湿法腐蚀的方法分别腐蚀两片硅片到剩余梁的厚度，然后将两片硅片背靠背方式键合起来，之后用干法刻蚀方法从正反两面刻蚀并释放弹性梁-质量块结构。这类双层硅片键合的方法工艺非常复杂，制作成本相对较高；最关键的问题是，两片硅片用koh腐蚀的方法很难控制到剩余梁的厚度完全相同，工艺繁琐，很难保证弹性梁厚度的高度一致性，从而影响器件性能；另外，两片硅片在对准键合的过程中也会产生一定的偏移。此外，目前也有采用单硅片形成直梁结构的中间电极，但制作过程中需要进行掺杂，将导致直梁应力较大，在实际测量中容易发生形变，稳定性较差，从而降低测量精度。

因此，如何改进微加速度传感器及其制作方法，以改善上述缺陷，是亟需解决的问题。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器及其制作方法，用于解决现有技术中双层硅片键合形成中间电极时，工艺复杂、成本高，难以控制弹性梁厚度的一致性，及键合时两片硅片发生偏移的问题，以及单硅片中间电极所具有的直梁结构稳定性较差，导致测量精度低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器的制作方法，其中，所述单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器的制作方法至少包括如下步骤：

提供一上硅片、一下硅片，采用所述上硅片和所述下硅片分别制作上电极盖板和下电极盖板；

提供一中间硅片，于所述中间硅片的上表面和下表面预先形成未释放的折叠梁-质量块结构，然后释放所述折叠梁-质量块结构，从而形成带有所述折叠梁-质量块结构的中间电极；其中，所述折叠梁-质量块结构至少包括位于所述中间电极中间的质量块，与所述质量块连接的八根折叠梁，八根折叠弹性梁对称分布在所述质量块的上、下两面边缘；

将所述上电极盖板的下表面和所述下电极盖板的上表面分别与所述中间电极的上表面和下表面对准并键合在一起，从而形成三层键合的差分电容式结构；

于所述上电极盖板上形成中间电极引线溅射槽，以引出所述中间电极；

于所述上电极盖板上表面的选定区域、所述中间电极引线溅射槽内及所述下电极盖板下表面的选定区域形成焊盘。

优选地，采用所述上硅片和所述下硅片分别制作上电极盖板和下电极盖板，具体方法为：

分别对所述上硅片和所述下硅片进行氧化、光刻及腐蚀工艺，在所述上硅片的下表面和所述下硅片的上表面形成第一氧化层掩膜；

通过所述第一氧化层掩膜对所述上硅片和所述下硅片进行腐蚀工艺，在所述上硅片的下表面和所述下硅片的上表面形成位于中间区域的若干个阻尼槽、围绕在所述阻尼槽四周的隔离槽以及位于所述隔离槽一侧的绝缘槽，其中，各个槽的深度等于腐蚀的深度；

去除所述第一氧化层掩膜；

分别对所述上硅片和所述下硅片再次进行氧化、光刻及腐蚀工艺，在所述上硅片的下表面和所述下硅片的上表面形成第二氧化层掩膜；其中，围绕在所述隔离槽四周及位于所述绝缘槽内的部分第二氧化层掩膜用于形成绝缘层，剩余部分的第二氧化层掩膜用于形成限位凸点，其中，剩余部分的第二氧化层掩膜的厚度等于所述限位凸点的高度；

对所述上硅片和所述下硅片再次进行光刻及腐蚀工艺，在所述上硅片的下表面和所述下硅片的上表面上形成围绕在所述隔离槽四周及位于所述绝缘槽内的绝缘层、位于中间区域的电容间隙以及位于所述电容间隙内的限位凸点，最终得到所述上电极盖板和所述下电极盖板，其中，所述电容间隙的高度等于所述绝缘层的厚度。

优选地，于所述中间硅片的上表面和下表面预先形成未释放的折叠梁-质量块结构，然后释放所述折叠梁-质量块结构，从而形成带有所述折叠梁-质量块结构的中间电极，具体方法为：

于所述中间硅片的上表面和下表面分别形成所述折叠梁-质量块结构的光刻胶掩膜；

通过所述光刻胶掩膜对所述中间硅片的上表面和下表面分别进行刻蚀工艺，形成未释放的折叠梁-质量块结构，其中，刻蚀的深度等于所述折叠梁的厚度，且所述折叠梁所在区域与所述隔离槽的位置相对应，所述质量块所在区域与所述电容间隙的位置相对应；

去除所述光刻胶掩膜；

对所述中间硅片的上表面和下表面分别进行氧化、光刻及腐蚀工艺，在所述上表面和下表面分别形成用于释放所述折叠梁-质量块结构的第三氧化层掩膜；

通过所述第三氧化层掩膜对所述中间硅片的上表面和下表面进行腐蚀工艺，直至暴露所述折叠梁；

去除所述第三氧化层掩膜，形成可动的折叠梁-质量块结构，从而得到带有所述折叠梁-质量块结构的中间电极。

优选地，所述腐蚀工艺采用湿法腐蚀工艺或者干法刻蚀工艺。

优选地，所述上硅片、中间硅片和下硅片均采用双面抛光低阻硅片。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器，其中，所述单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器至少包括：

上电极盖板和下电极盖板；

位于所述上电极盖板和所述下电极盖板之间的带有折叠梁-质量块结构的中间电极；所述折叠梁-质量块结构至少包括位于所述中间电极中间的质量块，与所述质量块连接的八根折叠梁，八根折叠弹性梁对称分布在所述质量块的上、下两面边缘；其中，所述上电极盖板的下表面和所述下电极盖板的上表面分别与所述中间电极的上表面和下表面对准并键合在一起，从而形成三层键合的差分电容式结构；

位于所述上电极盖板上的用以引出所述中间电极的中间电极引线溅射槽；以及

位于所述上电极盖板上表面的选定区域、所述中间电极引线溅射槽内及所述下电极盖板下表面的选定区域的焊盘。

优选地，所述上电极盖板的下表面和所述下电极盖板的上表面均至少包括位于中间区域的若干个阻尼槽，围绕在所述阻尼槽四周的隔离槽，位于所述隔离槽一侧的绝缘槽，围绕在所述隔离槽四周及位于所述绝缘槽内的绝缘层，位于中间区域的电容间隙，以及位于所述电容间隙内的限位凸点；其中，所述电容间隙的高度等于所述绝缘层的厚度。

优选地，所述折叠梁所在区域与所述隔离槽的位置相对应，所述质量块所在区域与所述电容间隙的位置相对应。

优选地，所述折叠梁的形状为方波形状、三角波形状或者不规则形状，且所述折叠梁适于连接在所述质量块上、下两面边缘的任意位置。

优选地，所述上硅片、中间硅片和下硅片均采用单一的双面抛光低阻硅片制作而成。

如上所述，本发明的单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器及其制作方法，具有以下有益效果：本发明利用单层硅片实现了双面对称的折叠弹性梁-质量块结构的设计及制作，采用mems常规工艺制作，制作工艺简单可控，省去了传统采用双层硅片键合实现双面对称的折叠梁-质量块的复杂工艺流程，简化了工艺。由于采用双面对称的湿法腐蚀方法，弹性梁厚度精确可控，并且八个折叠弹性梁的形状及尺寸具有高度一致性，进而提高了器件的成品率及一致性，使传感器的工作性能更加稳定，可适用于大规模生产，具有较好的经济效益和社会效益。同时，折叠梁的设计不存在残余应力，不易形变，器件性能稳定性更高，测量精度也更高。并且，根据设计需要，可以提供不同形状及不同尺寸的折叠弹性梁，改变传感器的灵敏度，应用范围更广。

附图说明

图1显示为本发明第一实施方式的单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器的制作方法的流程示意图。

图2～图12显示为本发明第一实施方式的单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器的制作方法中各制作步骤的示意图。

图12还显示为本发明第二实施方式的单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器的结构示意图。

图13显示为本发明第二实施方式的单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器中的中间电极的俯视图。

图14显示为图13中a-a方向的剖视图。

图15a显示为图14中b-b中间分界线的上半部分的俯视图。

图15b显示为图14中b-b中间分界线的下半部分的俯视图。

元件标号说明

1质量块

2折叠梁

3电容间隙

4限位凸块

5阻尼槽

6隔离槽

7绝缘层

8上电极焊盘

9下电极焊盘

10中间电极焊盘

11绝缘槽

12上电极盖板

13中间电极

14下电极盖板

15中间电极引线溅射槽

120上硅片

130中间硅片

131未释放的折叠梁-质量块结构

140下硅片

201第一氧化层掩膜

202第二氧化层掩膜

203光刻胶掩膜

204第三氧化层掩膜

s1～s5步骤

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1～图12，本发明的第一实施方式涉及一种单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器的制作方法。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

本实施方式的单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器的制作方法，具体流程如图1所示，其至少包括如下步骤：

步骤s1，提供一上硅片120、一下硅片140，采用上硅片120和下硅片140分别制作上电极盖板12和下电极盖板14。

在本实施方式中，如图2～图5所示，步骤s1的具体方法为：

步骤s101，分别对上硅片120和下硅片140进行氧化、光刻及腐蚀工艺，在上硅片120的下表面和下硅片140的上表面形成第一氧化层掩膜201，如图2所示。其中，对上硅片120和下硅片140进行第一次氧化，形成第一氧化层，接着对第一氧化层进行光刻和腐蚀工艺，图形化第一氧化层，形成第一氧化层掩膜201。需要说明的是，该步骤中的腐蚀工艺可以采用湿法腐蚀或者干法刻蚀。

步骤s102，通过第一氧化层掩膜201对上硅片120和下硅片140进行腐蚀工艺，在上硅片120的下表面和下硅片140的上表面形成位于中间区域的若干个阻尼槽5、围绕在阻尼槽5四周的隔离槽6以及位于隔离槽6一侧的绝缘槽11，如图3所示，其中，各个槽的深度等于腐蚀的深度。其中，在进行腐蚀工艺时，采用质量浓度比为40％、温度为50℃的koh溶液进行湿法腐蚀，从而在，在上硅片120的下表面和下硅片140的上表面均形成深度相同的阻尼槽5、隔离槽6以及绝缘槽11，在本实施方式中，各个槽的深度可以为5～100μm，例如10μm、30μm、50μm、80μm、90μm等，且各个槽的深度即为koh溶液的腐蚀深度。

步骤s103，去除第一氧化层掩膜201，请继续参阅图3。

步骤s104，分别对上硅片120和下硅片140再次进行氧化、光刻及腐蚀工艺，在上硅片120的下表面和下硅片140的上表面形成第二氧化层掩膜202，如图4所示；其中，围绕在隔离槽6四周及位于绝缘槽11内的部分第二氧化层掩膜202用于形成绝缘层7，剩余部分的第二氧化层掩膜202用于形成限位凸点4，其中，剩余部分的第二氧化层掩膜202的厚度等于限位凸点4的高度。其中，对上硅片120和下硅片140进行第二次氧化，形成第二氧化层，接着对第二氧化层进行光刻和腐蚀工艺，图形化第二氧化层，形成第二氧化层掩膜201。需要说明的是，该步骤中的腐蚀工艺可以采用湿法腐蚀或者干法刻蚀。另外，该第二次氧化过程，上硅片120和下硅片140被氧化2μm左右，再经光刻、腐蚀工艺后，用于形成限位凸点4的剩余部分的第二氧化层掩膜202(也即中间位置的第二氧化层掩膜202)被腐蚀减薄了，明显薄于用于形成绝缘层7的围绕在隔离槽6四周及位于绝缘槽11内的部分第二氧化层掩膜202，该中间位置的第二氧化层掩膜202的厚度即限位凸点4的高度，约为1μm左右。

步骤s105，对上硅片120和下硅片140再次进行光刻及腐蚀工艺，在上硅片120的下表面和下硅片140的上表面上形成围绕在隔离槽6四周及位于绝缘槽11内的绝缘层7、位于中间区域的电容间隙3以及位于电容间隙3内的限位凸点4，最终得到上电极盖板12和下电极盖板14，如图5所示，其中，电容间隙3的高度等于绝缘层7的厚度。在步骤s104的基础上，对上硅片120和下硅片140再次进行光刻及腐蚀工艺，也即是对第二氧化层掩膜202进行光刻及腐蚀工艺，用于形成绝缘层7的围绕在隔离槽6四周及位于绝缘槽11内的部分第二氧化层掩膜202被保留下来，而剩余部分的第二氧化层掩膜202被腐蚀至仅剩限位凸点4，从而得到电容间隙3、限位凸点4和绝缘层7。需要说明的是，该步骤中的腐蚀工艺可以采用湿法腐蚀或者干法刻蚀。另外，电容间隙3的高度实际为与上硅片120连接的绝缘层7的下表面和上硅片120的下表面的之间的位置差，或者与下硅片140连接的绝缘层7的上表面和下硅片140的上表面的之间的位置差，也即绝缘层7的厚度，约为2μm左右。

步骤s2，提供一中间硅片130，于中间硅片130的上表面和下表面预先形成未释放的折叠梁-质量块结构131，然后释放折叠梁2-质量块1结构，从而形成带有折叠梁2-质量块1结构的中间电极13；其中，折叠梁2-质量块1结构至少包括位于中间电极13中间的质量块1，与质量块1连接的八根折叠梁2，八根折叠弹性梁对称分布在质量块1的上、下两面边缘。

在本实施方式中，如图6～图9所示，步骤s2的具体方法为：

步骤s201，于中间硅片130的上表面和下表面分别形成折叠梁-质量块结构的光刻胶掩膜203，如图6所示。其中，对中间硅片130的上表面和下表面分别通过光刻工艺，形成折叠梁-质量块结构的光刻胶掩膜。

步骤s202，通过光刻胶掩膜203对中间硅片130的上表面和下表面分别进行刻蚀工艺，形成未释放的折叠梁-质量块结构131，如图7所示，其中，刻蚀的深度等于折叠梁2的厚度，约为10～100μm，例如20μm、30μm、50μm、80μm、90μm等，且折叠梁2所在区域与隔离槽6的位置相对应，质量块1所在区域与电容间隙3的位置相对应。

步骤s203，去除光刻胶掩膜203，请继续参阅图7。

步骤s204，对中间硅片130的上表面和下表面分别进行氧化、光刻及腐蚀工艺，在上表面和下表面分别形成用于释放折叠梁-质量块结构的第三氧化层掩膜204，如图8所示。其中，对中间硅片130进行氧化，形成第三氧化层，接着对第三氧化层进行光刻和腐蚀工艺，图形化第三氧化层，形成第三氧化层掩膜204。需要说明的是，该步骤中的腐蚀工艺可以采用湿法腐蚀或者干法刻蚀。另外，如图8所示，位于中间硅片130上表面上的第三氧化层掩膜204具有一个开口，该开口的位置对应位于中间硅片130下表面的未释放的折叠梁-质量块结构131；同样的，位于中间硅片130下表面上的第三氧化层掩膜204具有一个开口，该开口的位置对应位于中间硅片130上表面的未释放的折叠梁-质量块结构131。

步骤s205，通过第三氧化层掩膜204对中间硅片130的上表面和下表面进行腐蚀工艺，直至暴露折叠梁2，如图9所示。其中，在本实施方式中，采用koh溶液从第三氧化层掩膜204的开口对中间硅片130的上表面和下表面进行湿法腐蚀，直至腐蚀至步骤s202中形成的未释放的折叠梁-质量块结构131，暴露完整的折叠梁2，同时形成位于中间硅片130中间位置的质量块1。

步骤s206，去除第三氧化层掩膜204，形成可动的折叠梁-质量块结构，从而得到带有折叠梁-质量块结构的中间电极13，请继续参阅图9。

步骤s3，将上电极盖板12的下表面和下电极盖板14的上表面分别与中间电极13的上表面和下表面对准并键合在一起，从而形成三层键合的差分电容式结构，如图10所示。

步骤s4，于上电极盖板12上形成中间电极引线溅射槽15，以引出中间电极13，如图11所示。其中，在步骤s3中得到的差分电容式结构的上电极盖板12上，通过刻蚀或划片工艺，形成中间电极引线溅射槽15。

步骤s5，于上电极盖板12上表面的选定区域、中间电极引线溅射槽15内及下电极盖板14下表面的选定区域形成焊盘，如图12所示。其中，在上电极盖板12上表面的选定区域形成上电极焊盘8，在下电极盖板14下表面的选定区域形成下电极焊盘9，在中间电极引线溅射槽15内形成中间电极焊盘10，从而通过中间电极焊盘10引出中间电极13。

另外，在本实施方式中，上硅片120、中间硅片130和下硅片140均采用双面抛光低阻硅片。

本实施方式的单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器的制作方法，利用单层硅片实现了双面对称的折叠弹性梁-质量块结构的设计及制作，采用mems常规工艺制作，制作工艺简单可控，省去了传统采用双层硅片键合实现双面对称的折叠梁-质量块的复杂工艺流程，简化了工艺。由于采用双面对称的湿法腐蚀方法，折叠弹性梁厚度精确可控，并且八个折叠弹性梁的形状及尺寸具有高度一致性，进而提高了器件的成品率及一致性，使传感器的工作性能更加稳定，可适用于大规模生产，具有较好的经济效益和社会效益。并且，根据设计需要，可以提供不同形状及不同尺寸的折叠弹性梁，改变传感器的灵敏度，应用范围更广。

上面各种方法的步骤划分，只是为了描述清楚，实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分，分解为多个步骤，只要包含相同的逻辑关系，都在本专利的保护范围内；对算法中或者流程中添加无关紧要的修改或者引入无关紧要的设计，但不改变其算法和流程的核心设计都在该专利的保护范围内。

请参阅图12～图15b，本发明的第二实施方式涉及一种单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器，本实施方式的单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器采用本发明第一实施方式的制作方法制作而成。

如图12所示，本实施方式的单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器至少包括：

上电极盖板12和下电极盖板14；

位于上电极盖板12和下电极盖板14之间的带有折叠梁-质量块结构的中间电极13，其俯视图如图13所示；折叠梁-质量块结构至少包括位于中间电极13中间的质量块1，与质量块1连接的八根折叠梁2，八根折叠弹性梁对称分布在质量块1的上、下两面边缘；其中，上电极盖板12的下表面和下电极盖板14的上表面分别与中间电极13的上表面和下表面对准并键合在一起，从而形成三层键合的差分电容式结构；

位于上电极盖板12上的用以引出中间电极13的中间电极引线溅射槽15；以及

位于上电极盖板12上表面的选定区域、中间电极引线溅射槽15内及下电极盖板14下表面的选定区域的焊盘。

其中，焊盘至少包括形成在上电极盖板12上表面的选定区域的上电极焊盘8，形成在下电极盖板14下表面的选定区域的下电极焊盘9，以及形成在中间电极引线溅射槽15内的中间电极焊盘10，从而通过中间电极焊盘10引出中间电极13。

在本实施方式中，上电极盖板12的下表面和下电极盖板14的上表面均至少包括位于中间区域的若干个阻尼槽5，围绕在阻尼槽5四周的隔离槽6，位于隔离槽6一侧的绝缘槽11，围绕在隔离槽6四周及位于绝缘槽11内的绝缘层7，位于中间区域的电容间隙3，以及位于电容间隙3内的限位凸点4；其中，电容间隙3的高度等于绝缘层7的厚度。

并且，折叠梁2所在区域与隔离槽6的位置相对应，质量块1所在区域与电容间隙3的位置相对应。电容间隙3分别位于上电极盖板12和质量块1之间以及下电极盖板14和质量块1之间，切电容间隙3的高度等于绝缘层7的厚度。

另外，在本实施方式中，折叠梁2的形状为方波形状，且折叠梁2适于连接在质量块1上、下两面边缘的任意位置。如图14和图15a、15b，在中间电极13的b-b中间分界线的上半部分中，折叠梁2连接在质量块1上面每条边的右侧边缘，而在中间电极13的b-b中间分界线的下半部分中，折叠梁2连接在质量块1下面每条边的左侧边缘；俯视而看，连接在质量块1上、下两面边缘的八根折叠梁2交错对称排列。这样排列的折叠梁2受力更稳定，更不易发生形变。当然，在其他实施方式中，折叠梁2的形状也可以是任意形状，例如三角波形状或者不规则形状。

另外，在本实施方式中，上硅片120、中间硅片130和下硅片140均采用单一的双面抛光低阻硅片制作而成。

由于本实施方式的的单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器采用本发明第一实施方式的制作方法制作而成，折叠弹性梁厚度精确可控，并且八个折叠弹性梁的形状及尺寸具有高度一致性，器件的成品率及一致性较高，工作性能更加稳定；并且，中间电极采用单一硅片设计，折叠梁的设计不存在残余应力，不易形变，器件性能稳定性更高，测量精度也更高。

此外，由于本实施方式的的单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器采用本发明第一实施方式的制作方法制作而成，第一实施方式中提到的相关技术细节在本实施方式中依然有效，为了减少重复，这里不再赘述。相应地，本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在第一实施方式中。

综上所述，本发明的单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器及其制作方法，具有以下有益效果：本发明利用单层硅片实现了双面对称的折叠弹性梁-质量块结构的设计及制作，采用mems常规工艺制作，制作工艺简单可控，省去了传统采用双层硅片键合实现双面对称的折叠梁-质量块的复杂工艺流程，简化了工艺。由于采用双面对称的湿法腐蚀方法，弹性梁厚度精确可控，并且八个折叠弹性梁的形状及尺寸具有高度一致性，进而提高了器件的成品率及一致性，使传感器的工作性能更加稳定，可适用于大规模生产，具有较好的经济效益和社会效益。同时，折叠梁的设计不存在残余应力，不易形变，器件性能稳定性更高，测量精度也更高。并且，根据设计需要，可以提供不同形状及不同尺寸的折叠弹性梁，改变传感器的灵敏度，应用范围更广。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。