技术总结
本发明涉及一种赭曲霉毒素A光电化学传感器的制备方法及应用。该方法利用BiVO4/TiO2作为基底材料，其优良的导电性和大的表面积能有效减小背景信号。采用直接滴加AgNO3和Na2S的方法，在BiVO4表面原位生成高光电转换率的窄带隙Ag2S光电活性材料，通过可见光波长的LED灯照射Ag2S，产生光电流信号。载体BiVO4/TiO2与Ag2S能带匹配度良好，能进一步提高Ag2S的光电转换信号，从而实现了赭曲霉毒素A的高灵敏测定。
技术研发人员：李月云;冯金慧;张晓波;高增强;吕慧;王广阔;燕帅;王平;董云会
受保护的技术使用者：山东理工大学
文档号码：201710188028
技术研发日：2017.03.27
技术公布日：2017.06.06