技术特征：
技术总结
本发明涉及一种应用于超快脉冲中子辐射场中测量中子时间谱的中子探测器，特别涉及一种利用中子与聚乙烯反应产生的反冲质子入射在MCP中产生二次电子并倍增输出脉冲电流信号，从而实现对中子测量的探测器。用以克服现有技术中中子探测器时间响应慢的缺陷。包括外筒、高压电缆头、信号电缆头，密封固定在外筒前端面的入射窗，密封固定在外筒后端面的出射窗，以及在所述外筒内沿入射中子传播方向依次固定设置的转换靶、二次电子倍增器件和陶瓷片，所述转换靶为聚乙烯片，所述二次电子倍增器件为叠放设置的若干MCP片，二次电子倍增器件两侧分别加载所述高压电缆头的阴极和阳极，所述信号电缆头的信号采集端设置在所述陶瓷片外侧。
技术研发人员：张小东;欧阳晓平;姜文刚;谭新建;翁秀峰
受保护的技术使用者：西北核技术研究所
技术研发日：2017.04.07
技术公布日：2017.07.21