技术特征：
技术总结
一种用于检测气体混合物中气态物质存在的场效应气体传感器，该场效应气体传感器包括：SiC半导体结构；覆盖SiC半导体结构的第一部分的电子绝缘层；与SiC半导体结构通过电子绝缘层至少部分分离的第一接触结构；以及导电地连接于SiC半导体结构的第二部分的第二接触结构，其中电子绝缘层和第一接触结构的至少之一被构造为与气态物质相互作用从而改变SiC半导体结构的电性能；并且其中第二接触结构包括：与SiC半导体结构的第二部分直接接触的欧姆接触层；以及通过覆盖欧姆接触层的导电中间‑过渡‑金属氧化物形成的阻挡层。
技术研发人员：M·安德松;H·法尚迪
受保护的技术使用者：沃尔沃汽车公司
技术研发日：2017.06.27
技术公布日：2018.01.16