1.一种环境温度免校准的热电堆红外传感器，其特征在于，所述环境温度免校准的热电堆红外传感器包括：
热电堆红外传感器芯片；
热敏电阻；
热敏电阻配对电阻，所述热敏电阻配对电阻的阻值与相同温度条件下的所述热敏电阻的阻值相同。
2.根据权利要求1所述的环境温度免校准的热电堆红外传感器，其特征在于：所述热敏电阻顶部设有导热导电材料包覆层。
3.根据权利要求1或2所述的环境温度免校准的热电堆红外传感器，其特征在于：所述环境温度免校准的热电堆红外传感器还包括：
底座；所述热电堆红外传感器芯片及所述热敏电阻均位于所述底座的上表面，且所述热电堆红外传感器芯片与所述热敏电阻相隔有间距；
管帽，覆盖于所述底座顶部，且位于所述热电堆红外传感器芯片及所述热敏电阻的外围；所述管帽的顶部设有通孔；
红外透镜，固定于所述管帽上，且完全覆盖所述通孔。
4.根据权利要求3所述的环境温度免校准的热电堆红外传感器，其特征在于：所述环境温度免校准的热电堆红外传感器还包括若干个管座引脚，所述管座引脚一端自所述底座的底部延伸至所述底座的顶部上方；所述热敏电阻的一电极引脚通过焊线与一所述管座引脚相连接，另一电极引脚通过焊线与所述底座相连接；所述热电堆红外传感器芯片的一电极引脚通过焊线与另一所述管座引脚相连接，另一电极引脚通过焊线与所述底座相连接。
5.根据权利要求4所述的环境温度免校准的热电堆红外传感器，其特征在于：所述热敏电阻配对电阻位于所述底座的上表面，且位于所述管帽内侧。
6.根据权利要求5所述的环境温度免校准的热电堆红外传感器，其特征在于：所述热敏电阻为采用激光调阻工艺对其尺寸进行调整后的热敏电阻，所述热敏电阻在固定温度下阻值在所述底座与所述管帽封焊前测定。
7.根据权利要求6所述的环境温度免校准的热电堆红外传感器，其特征在于：所述热敏电阻配对电阻位于所述底座的下方或位于所述底座的上方且位于所述管帽的外侧。