技术特征：
技术总结
本发明提供的MEMS压力传感器芯片及制备方法，在压敏电阻周围设置多个用于释放应力的凹槽，在应变膜弯曲时可以降低压敏电阻所在区域由于应变膜大挠度变形导致的平行于应变膜的轴向拉伸应力的影响，用以改变应变膜上的应力应变分布，在应变膜承受大变形压力时可提高压敏电阻区域应力与所施加压力的线性度，在保证传感器芯片精确度的同时可以提高压力传感器芯片在压力检测时的线性度，另外，压力传感器机构设计合理，制备过程中减少了不必要的台阶，降低了光刻的难度。
技术研发人员：黄贤;王进朝;段飞
受保护的技术使用者：盾安传感科技有限公司
技术研发日：2018.01.30
技术公布日：2019.08.06