1.一种光斑均匀度探测器件，其特征在于，所述光斑均匀度探测器件为双层膜结构，包括：
衬底，和衬底上依次设置的：
磁性层，设置于衬底上；和
自旋探测层，设置于磁性层上；
其中，所述所述磁性层位于所述衬底和自旋探测层之间，所述磁性层和所述自旋探测层保持良好的界面接触。
2.根据权利要求1所述的光斑均匀度探测器件，其特征在于，所述衬底为界面平整的绝缘衬底；优选地，所述衬底材料选自以下一种或多种：ggg，al2o3、sio2，玻璃，srtio3；最优选地，所述衬底材料为ggg；和/或
所述衬底厚度为0.1～1mm，优选为0.3～0.7mm，最优选为0.5mm。
3.根据权利要求1或2所述的光斑均匀度探测器件，其特征在于，所述磁性层材料选自铁磁或亚铁磁材料；优选地，所述磁性层材料选自以下一种或多种：yig磁性绝缘体、py磁性金属，fe，co，ni；最优选地，所述磁性层材料为yig；和/或
所述磁性层厚度为10～8000nm，优选为10～4000nm，最优选为3230nm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光斑均匀度探测器件，其特征在于，所述自旋探测层材料具有足够大的磁临近效应，优选选自自旋轨道耦合较强的顺磁金属；更优选地，所述自旋探测层材料选自以下一种或多种：pt，pd，ir，w，拓扑绝缘体；最优选地，所述自旋探测层材料为pt或pd；和/或
所述自旋探测层材料为2-15nm，优选为2～5nm，最优选为3nm。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光斑均匀度探测器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
(1)采用液相外延的方式在所述衬底上制备所述磁性层；
(2)采用磁控溅射法在步骤(1)制得的包含磁性层的衬底上制备自旋探测层；
(3)通过光刻及反应离子刻蚀工艺将自旋探测层制备成矩形细长条的性质，得到所述光斑均匀度探测器件。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述液相外延方法包括：
(a)将磁性层材料和助熔剂混合物在坩埚中加热，使其熔化，并使溶液足够均匀化；
(b)降温获得过饱和溶液，然后将准备好的ggg基片浸渍于溶液中并旋转，即可在基片上外延生成yig薄膜；
(c)用离心机除去基片上的残留物，最终获得yig单晶外延薄膜；
优选地，所述步骤(a)中加热温度为1000～1500℃，优选为1000～1300℃，最优选为1100℃。
7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述所述衬底先用丙酮和酒精分别加热超声1分钟。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述矩形细长条的宽度为0.1～1mm，优选为0.1～0.5mm，最优选为0.3mm。
9.一种光斑均匀度探测方法，其特征在于，所述方法使用权利要求1至4中任一项所述的光斑均匀度探测器件，并且所述方法包括：
(a)把所述光斑均匀度探测器件置于样品托上，使紧密均匀接触；
(b)通过氙灯光源提供一光斑，在垂直于矩形条场长边的方向施加外磁场，通过银胶引出pt线测量电压，并测量样品条长边两端的电压信号随着外磁场h的变化关系曲线v-h；
(c)移动光源位置或移动样品的方式来探光斑光强分布，样品每移动一个位置，测量其v-h曲线，提取其中的斜率变化情况，即可得到温度场的分布数据。
10.一种光斑均匀度探测装置，其特征在于，所述装置包括如权利要求1至4中任一项所述的光斑均匀度探测器件。