技术特征：
技术总结
本发明公开了一种MOS晶体管栅极小信号电容测试方法及系统，该方法包括：步骤S1，于MOS晶体管的栅极施加扫描电压Vg；步骤S2，确定MOS晶体管的测试频率；步骤S3，于MOS晶体管的栅极施加设定频率的小信号交流电；步骤S4，测量MOS晶体管的栅极小信号电容Cgg；步骤S5，按设定步长增加扫描电压Vg并测量MOS晶体管的栅极小信号电容Cgg；步骤S6，判断扫描电压Vg是否到达预设电压值，于到达预设电压值时，进入S7；步骤S7，判断栅极小信号电容Cgg与Vg关系曲线是否与正常模型相符，以确定是否返回S2进行重新测量，若相符则结束测量，否则进入步骤S8，将测试频率降低一个数量级返回S2重新进行测量。
技术研发人员：顾经纶
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2018.11.30
技术公布日：2019.03.29