技术特征：
技术总结
本发明公开了一种高精度中子无损检测装置，包括中子发射源、底座、屏蔽盖、中子成像探测器，底座上侧面为样品放置区，底座中间设有安装中子发射源的腔体，所述的腔体贯穿底座的上侧设置，所述的屏蔽盖设在底座上侧，屏蔽盖可在上下方向进行位置的调节，所述的中子成像探测器设置在屏蔽盖的上侧；所述的屏蔽盖为上小下大的锥形管体结构，还包括屏蔽管，所述的屏蔽管竖直设置在屏蔽盖内，屏蔽管的上端与屏蔽盖的上端开口处连接，屏蔽管为可上下伸缩设置，所述的屏蔽盖的内侧壁上设有反射调节板，反射调节板的下端与屏蔽盖铰接连接，屏蔽盖上设有螺纹孔，所述的螺纹孔上连接有调节螺杆，所述的调节螺杆与反射调节板的上端连接。
技术研发人员：钱铁威
受保护的技术使用者：北京中百源国际科技创新研究有限公司
技术研发日：2019.04.09
技术公布日：2019.06.14