1.一种半导体器件的功率循环试验装置，其特征在于，包括：
底座，上表面设有第一深度凹槽和与所述第一深度凹槽的上边缘相交的第二深度凹槽，以及在所述第二深度凹槽内设置通孔，所述第一深度凹槽与所述第二深度凹槽相交的区域为器件区域，所述第一深度大于所述第二深度；
电极设备，固定在所述第一深度凹槽中，与外部加电设备连接，被测器件放置在所述电极设备上的所述器件区域；
器件定位框，固定在所述第二深度凹槽中，用于固定所述电极设备上的所述被测器件；
弹性压块设备，设置在被测器件上方，两端与所述底座连接，用于固定所述定位框内所述被测器件；
温度检测设备，固定在所述通孔中，用于获取试验过程中的所述被测器件的壳温，并将所述壳温发送给外部工控机。
2.如权利要求1所述的半导体器件的功率循环试验装置，其特征在于，所述电极设备包括：
电极隔离定位框，固定在所述第一深度凹槽中，包括第一隔离槽和第二隔离槽，且所述第一隔离槽和所述第二隔离槽之间设有第三深度凹槽，所述第三深度凹槽用于放置被测器件；
第一电极，通过第一固定器件固定在所述第一隔离槽中，且第一端与外部加电设备连接，第二端与被测器件连接，其中，在所述第一固定器件上，所述第一隔离槽与所述第一电极之间的位置设有弹簧；
第二电极，通过第二固定器件固定在所述第二隔离槽中，且第一端与外部加电设备连接，第二端与被测器件连接，其中，在所述第二固定器件上，所述第二隔离槽与所述第二电极之间的位置设有弹簧；
所述第一电极与所述第二电极对称固定在所述电极隔离定位框。
3.如权利要求2所述的半导体器件的功率循环试验装置，其特征在于，在所述第一电极和所述第二电极上与所述被测器件连接的位置均进行磨砂处理。
4.如权利要求2所述的半导体器件的功率循环试验装置，其特征在于，所述底座、所述第一电极和所述第二电极均采用铜材料制备。
5.如权利要求2所述的半导体器件的功率循环试验装置，其特征在于，所述弹性压块设备包括：
压块壳体，通过至少两个定位螺钉固定在所述底座上方，其中，在所述定位螺钉上，所述壳体与所述底座之间的位置设有弹簧；
压块本体，通过轴位螺钉固定在所述壳体下端；
调节旋钮，设置在所述定位螺钉顶端，用于调节所述压块本体对被测器件的压力。
6.如权利要求5所述的半导体器件的功率循环试验装置，其特征在于，所述电极隔离定位框、器件定位框和所述压块本体均采用陶瓷材料制备。
7.一种半导体器件的功率循环试验系统，其特征在于，包括：工控机、加电设备、热学测试仪和如权利要求1至6任一项所述的半导体器件的功率循环试验装置；
所述加电设备，与所述工控机和所述功率循环试验装置的电极设备连接，用于在预设周期数内对所述电极设备进行循环加电；
所述热学测试仪，与所述工控机和所述电极设备连接，用于根据用户输入标定电压结温曲线，并在试验过程中所述加电设备未加电时，对所述电极设备输出预设电流并获取被测器件的电压，根据所述电压结温曲线确定与所述被测器件的电压对应的结温，将所述结温发送给所述工控机；
所述工控机，与所述功率循环试验装置连接，用于控制所述加电设备在预设周期数内对所述电极设备进行循环加电，还获取被测器件的壳温和所述结温，在所述壳温、所述结温和结温变化量中的任一种不满足预设温度条件时控制所述加电设备停止工作。
8.如权利要求7所述的半导体器件的功率循环试验系统，其特征在于，所述工控机具体用于：
在所述壳温大于预设壳温时，发出警报并控制所述加电设备停止工作；
在所述结温大于预设结温时，发出警报并控制所述加电设备停止工作；
在结温变化量不满足预设变化量时控制所述加电设备停止工作。
9.如权利要求7所述的半导体器件的功率循环试验系统，其特征在于，所述加电设备包括：直流电源和负载开关；
所述直流电源的第一电压端与所述电极设备其中的一端连接，所述直流电源的第二电压端与所述负载开关的第一端连接，所述直流电源的地端与所述功率循环试验装置的底座连接；所述负载开关的第二端与所述电极设备其中的另一端连接；
所述工控机通过控制所述负载开关的通断使所述直流电源在预设周期数内对所述电极设备进行循环加电。
10.如权利要求7所述的半导体器件的功率循环试验系统，其特征在于，所述半导体器件的功率循环试验系统还包括：散热台和散热设备；
所述半导体器件的功率循环试验装置固定在所述散热台上，所述散热台在所述加电设备加电时对所述半导体器件的功率循环试验装置进行散热；
所述散热设备设置在所述散热台的一侧，在所述加电设备未加电时所述工控机控制所述散热设备对所述半导体器件的功率循环试验装置进行散热。