短路保护测试装置的制作方法

本发明涉及芯片测试领域，特别涉及一种短路保护测试装置。

背景技术：

目前，针对背光芯片的短路保护测试，需要使用负载仪进行强制短路，将背光芯片的ledpin通过焊接飞线引出来，然后采用单端探棒连接至示波器，示波器另一通道连接电流探棒，抓取短路保护时电流值；负载仪上电后，拉载合适电流值，按下short(短路)，再将主板上电，示波器以电流探棒所在通道作为触发，抓取波形。

但是，在背光芯片的实际量测时发现，用常规的测试方法进行短路保护测试时，强电压会直接施加在背光芯片的ledpin上，导致烧毁背光芯片。

技术实现要素：

本发明的主要目的是提供一种短路保护测试装置，旨在解决强电压会直接施加在背光芯片的ledpin上，导致烧毁背光芯片的问题。

为实现上述目的，本发明提出了一种短路保护测试装置，所述短路保护测试装置包括:

背光芯片，所述背光芯片上具有正极输入口以及至少一个led引脚；

场效应管，所述场效应管的s极与所述led引脚连接，所述场效应管的g极连接驱动电源电路；

电子负载仪，所述电子负载仪上具有至少一个负极端口以及至少一个正极端口，所述场效应管的d极与所述负极端口连接，所述背光芯片的正极输入口与所述正极端口连接；

其中，测试时，将所述电子负载仪的负极端口与所述正极端口连接，以使所述场效应管的s极的电压升高，并在所述s极的电压和所述g极的电压之间的差值小于所述场效应管的导通电压时，所述场效应管处于关断状态。

在一可选实施例中，所述驱动电源电路包括电源以及驱动电阻，所述驱动电阻的一端与所述场效应管的g极连接，所述驱动电阻的另一端与所述电源连接。

在一可选实施例中，所述电源为3.3v电源、5v电源或12v电源中的任一个。

在一可选实施例中，所述背光芯片通电后，所述场效应管处于导通状态。

在一可选实施例中，所述电子负载仪处于恒压模式。

在一可选实施例中，所述电子负载仪设置的电压值小于所述led引脚的耐压值。

在一可选实施例中，所述电子负载仪上还设置有第一接地端口以及第二接地端口，所述第一接地端口和所述第二接地端口连接后接地。

在一可选实施例中，所述背光芯片上具有四个所述led引脚，所述场效应管设置的数量为四个，所述电子负载仪上具有四个所述负极端口；

每一所述场效应管的s极与对应的所述led引脚连接，每一所述场效应管的d极与对应的所述负极端口连接，每一所述场效应管的g极共连在所述驱动电源电路上。

在一可选实施例中，所述电子负载仪上具有第一正极端口以及第二正极端口，所述第一正极端口与所述第二正极端口共连，并与所述正极输入端口连接。

在一可选实施例中，所述场效应管为n型场效应管。

本发明提供了一种短路保护测试装置，包括背光芯片、场效应管以及电子负载仪，所述背光芯片上具有正极输入口以及至少一个led引脚，所述场效应管的s极与所述led引脚连接，所述场效应管的g极连接驱动电源电路，所述电子负载仪上具有至少一个负极端口以及至少一个正极端口，所述场效应管的d极与所述负极端口连接，所述背光芯片的正极输入口与所述正极端口连接；在测试时，将所述电子负载仪的负极端口与所述正极端口连接，以使所述场效应管的s极的电压升高，并在所述s极的电压和所述g极的电压之间的差值小于所述场效应管的导通电压时，所述场效应管处于关断状态，从而断开所述电子负载仪与所述背光芯片之间的连接，防止所述电子负载仪侧的强电压直接施加在所述背光芯片的引脚处导致烧毁所述背光芯片。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或示例性中的技术方案，下面将对实施例或示例性描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的获得其他的附图。

图1为本发明实施例短路保护测试装置的电路示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

如图1所示，本发明提供了一种短路保护测试装置。

在一实施例中，如图1所示，所述短路保护测试装置包括背光芯片10、场效应管20以及电子负载仪30，所述背光芯片10上具有正极输入口(图未示)以及至少一个led引脚，其中，本实施例所述背光芯片10具有四个所述led引脚，当然，在其他实施例中，并不对所述背光芯片10上的引脚进行限定。

进一步地，以其中一个所述led引脚进行说明，即所述场效应管20的s极与所述led引脚连接，所述场效应管20的g极连接驱动电源电路40，所述电子负载仪30上具有至少一个负极端口vled-以及至少一个正极端口vled+，所述场效应管20的d极与所述负极端口vled-连接，所述背光芯片10的正极输入口与所述正极端口vled+连接。其中，所述场效应管20的d极为led_en端口，led_en端口与驱动电源电路的输出端连接。

具体地，所述背光芯片通电后，所述场效应管20处于导通状态。

具体地，在对所述背光芯片10进行测试，按下所述电子负载仪30的short(短路)键，以使所述电子负载仪30的负极端口vled-与所述正极端口vled+连接。此时，所述电子负载仪30两端的电压会直接施加在所述场效应管20的d极，使得所述场效应管20的d极的电压升高，而在所述场效应管20的d极的电压升高时，所述场效应管的s极的电压会随着所述场效应管20的d极的电压升高而升高；在所述场效应管的s极的电压至一定值时，关断所述场效应管20，即在所述s极的电压和所述g极的电压之间的差值小于所述场效应管20的导通电压时，所述场效应管20处于关断状态，从而在所述电子负载仪30短路时，断开所述电子负载仪30与所述背光芯片10之间的连接，防止所述电子负载仪30侧的强电压直接施加在所述背光芯片10的引脚处导致烧毁所述背光芯片10，以此对所述背光芯片10进行保护。

比如，在实际应用中，将所述电子负载仪30替换成外接显示屏，若外接的显示屏发生异常短路的情况，此时，可以通过关断所述场效应管20，以断开所述背光芯片10上外接的显示屏，防止显示屏短路瞬间产生的强电压施加在所述背光芯片10上导致所述背光芯片烧毁，造成财产损失。

可选地，所述场效应管20的导通电压的电压取值范围为1v～2v。

在本发明的实施例中，所述短路保护测试装置包括背光芯片10、场效应管20以及电子负载仪30，所述背光芯片10上具有正极输入口以及至少一个led引脚，所述场效应管20的s极与所述led引脚连接，所述场效应管20的g极连接驱动电源电路40，所述电子负载仪30上具有至少一个负极端口vled-以及至少一个正极端口vled+，所述场效应管20的d极与所述负极端口vled-连接，所述背光芯片10的正极输入口与所述正极端口vled+连接；在测试时，将所述电子负载仪30的负极端口vled-与所述正极端口vled+连接，以使所述场效应管20的s极的电压升高，并在所述s极的电压和所述g极的电压之间的差值小于所述场效应管20的导通电压时，所述场效应管20处于关断状态，从而断开所述电子负载仪30与所述背光芯片10之间的连接，防止所述电子负载仪30侧的强电压直接施加在所述背光芯片10的引脚处导致烧毁所述背光芯片10。

在一可选的实施例中，所述背光芯片10上具有四个所述led引脚，所述场效应管20设置的数量为四个(如：q1、q2、q3、q4)，所述电子负载仪30上具有四个所述负极端口vled-(如：vled1-、vled2-、vled3-、vled4-)。其中，每一所述场效应管20的s极与对应的所述led引脚连接，每一所述场效应管的d极与对应的所述负极端口vled-连接，每一所述场效应管的g极共连在所述驱动电源电路上。

进一步地，所述驱动电源电路40用于为所述场效应管20提供驱动电压。其中，所述驱动电源电路40包括电源(图未示)以及驱动电阻r，所述驱动电阻r的一端与所述场效应管20的g极连接，所述驱动电阻r的另一端与所述电源连接。

可选地，所述电源可为外部的电源，比如：所述电源为3.3v电源、5v电源或12v电源中的任一个，分别用于向所述所述场效应管20提供3.3v、5v或12v的驱动电压。

本实施例中，所述电源为12v电源。当然，在其他实施例中，所述电源还可以为其他类型的电源，在此并不限定。

可选地，所述电阻r的阻值为1k，流经所述电阻r的电流与流经所述场效应管20的电流相同，即所述电阻r用于设置所述场效应管20的驱动电流。本实施例中由于所述电阻r的阻抗远远小于所述场效应管20的阻抗，即所述场效应管20的g极电压与所述电源的电压相等，比如，所述电源的电压为12v时，所述场效应管20的g极电压也为12v。

进一步地，以所述场效应管20的g极电压为12v为例，在对所述背光芯片10进行测试，将所述电子负载仪30的负极端口vled-与所述正极端口vled+连接，此时，所述电子负载仪30两端的电压会直接施加在所述场效应管20的d极，使得所述场效应管20的d极的电压升高，而在所述场效应管20的d极的电压升高时，所述场效应管的s极的电压会随着所述场效应管20的d极的电压升高而升高；在所述场效应管的s极的电压从零升高至11v时，所述场效应管的s极的电压不再升高，此时关断所述场效应管20，即在所述s极的电压和所述g极的电压之间的差值为1v，且所述场效应管20的导通电压的电压取值范围为1v～2v，即所述s极的电压和所述g极的电压之间的差值小于所述场效应管20的导通电压，关断所述场效应管20，从而断开所述电子负载仪30与所述背光芯片10之间的连接，防止所述电子负载仪30侧的强电压直接施加在所述背光芯片10的引脚处导致烧毁所述背光芯片10。可以理解的是，在关断所述场效应管20后，所述场效应管的s极的电压从11v降低至零。

可选地，由于本实施例对所述背光芯片10的led引脚进行测试，即在测试过程中，所述电子负载仪30处于恒压模式，此时，所述电子负载仪30为恒压源。

在实际应用中，由于led灯装置为一个恒压装置，即本实施例中将所述电子负载仪30的工作模式设置成恒压模式，以模拟led灯装置，并在测试过程中，向所述背光芯片10提供恒定的电压。

可选地，所述电子负载仪30设置的电压值小于所述led引脚的耐压值。比如，所述电子负载仪30设置的电压值为79.2v，所述led引脚的耐压值为80v，从而能够保护led引脚不被烧毁。

进一步地，所述电子负载仪30上还设置有第一接地端口n1以及第二接地端口n2，所述第一接地端口n1和所述第二接地端口n2连接后接地。且所述电子负载仪30上具有第一正极端口以及第二正极端口，所述第一正极端口与所述第二正极端口共连，并与所述正极输入端口连接。

可选地，所述场效应管20为n型场效应管。

可选地，所述n型场效应管的型号为nce0103。当然，在其他实施例中，所述n型场效应管还可以采用其他型号的场效应管，在此并不进行限定。

可以理解的是，所述背光芯片10上还具有一些其他电路，比如：过压保护电路等，在此并不一一赘述。

可选地，所述背光芯片10的型号为mp3398，即如图1所示，仅示出了所述背光芯片10中四个led引脚(如：led1、led2、vled3、led4引脚)，至于所述背光芯片10的其他引脚的电路并未改进，即在图1中并未示出其他引脚的电路。

当然，在另一实施例中，本发明提供的技术方案还可用于其他型号的背光芯片的短路保护，比如：型号为ob3365、crt8549l或oz554ln等的背光芯片，在此并不限定。

而对应不同型号的所述背光芯片10，led引脚设置的数量不同，此时，可以根据led引脚的数量选择对应的所述电子负载仪30，以对该背光芯片进行短路保护测试，在此并不限定。

在本发明的实施例中，所述短路保护测试装置包括背光芯片10、场效应管20以及电子负载仪30，所述背光芯片10上具有正极输入口以及至少一个led引脚，所述场效应管20的s极与所述led引脚连接，所述场效应管20的g极连接驱动电源电路40，所述电子负载仪30上具有至少一个负极端口vled-以及至少一个正极端口vled+，所述场效应管20的d极与所述负极端口vled-连接，所述背光芯片10的正极输入口与所述正极端口vled+连接；在测试时，将所述电子负载仪30的负极端口vled-与所述正极端口vled+连接，以使所述场效应管20的s极的电压升高，并在所述s极的电压和所述g极的电压之间的差值小于所述场效应管20的导通电压时，所述场效应管20处于关断状态，从而断开所述电子负载仪30与所述背光芯片10之间的连接，防止所述电子负载仪30侧的强电压直接施加在所述背光芯片10的引脚处导致烧毁所述背光芯片10。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。