技术特征：
1.一种涡电流场补偿装置(150)，用于补偿磁共振成像装置(100)的梯度线圈(120)诱导产生的涡电流场，其特征在于，包括：涡电流场补偿体托盘(151)，设置有多个腔室(152)以容纳数量不等的涡电流场补偿体(154)，所述涡电流场补偿体托盘(151)通过布置在所述梯度线圈(120)向静态磁场下的成像区域施加强度沿空间交变的梯度磁场的外周侧，以抵消所述梯度线圈(120)诱导产生的涡电流场，其中，所述涡电流场补偿体(154)由导电性体构成。2.根据权利要求1所述的涡电流场补偿装置(150)，其中，所述导电性体包括由铜、铝构成，且所述导电性体不具有磁性。3.根据权利要求1所述的涡电流场补偿装置(150)，其中，在相互叠合的涡电流场补偿体(154)之间还设置有绝缘垫片(153)。4.根据权利要求1所述的涡电流场补偿装置(150)，其中，在单个所述腔室(152)中容纳的相互叠合的所述涡电流场补偿体(154)之间设置有绝缘垫片(153)。5.根据权利要求4所述的涡电流场补偿装置(150)，其中，所述涡电流场补偿体托盘(151)包括沿其长轴部分排列的多个所述腔室(152)，并且通过在所述腔室(152)布置数量不等或表面积不等的涡电流场补偿体(154)，调节所述涡电流场补偿体(154)的总体厚度或表面积，抵消所述梯度线圈(120)诱导产生的涡电流场。6.根据权利要求4所述的涡电流场补偿装置(150)，其中，所述涡电流场补偿体托盘(151)由非导电性体构成。7.一种磁共振成像装置(100)，其特征在于，包括：磁体(110)，用于在所述磁体(110)形成的内孔产生静态磁场；梯度线圈(120)，向处于所述静态磁场下的成像区域施加强度沿空间交变的梯度磁场；以及如权利要求1至6任一项所述的涡电流场补偿装置(150)。8.根据权利要求7所述的磁共振成像装置(100)，其中，多个涡电流场补偿体托盘(151)能够沿所述梯度线圈向静态磁场下的成像区域施加强度沿空间交变的梯度磁场的外周侧等间隔布置，并且所述涡电流场补偿体托盘(151)的长轴部分平行于所述内孔的纵轴(y)方向布置。9.根据权利要求8所述的磁共振成像装置(100)，其中，在多个涡电流场补偿体托盘(151)的腔室(152)内分别布置数量不等或表面积不等的涡电流场补偿体(154)，以调节所述涡电流场补偿体(154)的总体厚度或表面积，以根据所述梯度线圈(120)诱导产生的涡电流场的分布抵消所述涡电流场。10.根据权利要求8所述的磁共振成像装置(100)，其特征在于，还包括：用于容纳匀场体的匀场体托盘(170)，由磁性体构成的所述匀场体用于对成像区域中的静态磁场进行调整，多个所述匀场体托盘(170)能够沿所述梯度线圈(120)向静态磁场下的成像区域施加强度沿空间交变的梯度磁场的外周侧等间隔布置，所述匀场体托盘(170)的长轴部分平行于所述内孔的纵轴方向布置，并且多个涡电流场补偿体托盘(151)与所述匀场体托盘(170)对应设置。11.根据权利要求7所述的磁共振成像装置，其中，所述涡电流场补偿装置(150)被布置
于所述梯度线圈(120)与所述磁体(110)之间的空间内，或布置于所述梯度线圈(120)的主梯度线圈(121)与副梯度线圈(122)之间。
技术总结
本公开涉及了一种涡电流场补偿装置以及磁共振成像装置，该涡电流场补偿装置用于补偿磁共振成像装置的梯度线圈诱导产生的涡电流场，包括：涡电流场补偿体托盘，设置有多个容纳数量不等的涡电流场补偿体的腔室，所述涡电流场补偿体托盘通过布置在所述梯度线圈向静态磁场下的成像区域施加强度沿空间交变的梯度磁场的外周侧，以抵消所述梯度线圈诱导产生的涡电流场，其中，所述涡电流场补偿体由导电性体构成。该涡电流场补偿装置基于被动补偿机制，能够补偿或抵消二阶以上的涡电流场对磁共振成像的影响，消除由涡电流场导致的伪影，其结构简单并对装配公差具有较大的冗余。结构简单并对装配公差具有较大的冗余。结构简单并对装配公差具有较大的冗余。
技术研发人员：岳振华 王俊
受保护的技术使用者：西门子（深圳）磁共振有限公司
技术研发日：2020.12.11
技术公布日：2021/10/29