自增益控制电路结构示意图。
[0023]以上附图中的附图标记名称为:
[0024]I一变速箱，2一驱动模块，3一阻力系统，4一扭矩传感器，5一温度传感器，6一振动传感器，7—单片机，8—扭矩信号处理模块，9一偏置放大电路，10-自增益控制电路，81—输入电路，82 一逻辑控制电路，83 一二极管驱动电路，84 一检测电路。
【具体实施方式】
[0025]下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式并不限于此。
[0026]实施例
[0027]如图1所示，本发明由变速箱1，与变速箱I相连接的驱动模块2、阻力系统3、振动传感器6、温度传感器5、扭矩传感器4，与扭矩传感器4相连接的扭矩信号处理模块8，与扭矩信号处理模块8相连接的偏置放大电路9，同时与温度传感器5、振动传感器6相连接的单片机7，为了达到本发明的目的，本发明在偏置放大电路9和单片机7之间还设置有自增益控制电路10。
[0028]其中，该驱动模块2用于给变速箱提供驱动动力。而阻力系统3用于给变速箱I施加第二扭矩，该第二扭矩的方向与驱动模块2所提供给变速箱I的第一扭矩方向相反，即第二扭矩和第一扭矩相互制约，当调整第二扭矩的大小时则可以模拟变速箱I在不同路况下的阻力系数。该扭矩传感器4设置在变速箱I的动力输出端，用于采集变速箱I在不同路况下的扭矩信息。而温度传感器5和振动传感器6则均设置在变速箱I的表面，该温度传感器5用于采集变速箱I工作时的温度信号，而振动传感器6则用于采集变速箱I工作时的振动信号。扭矩信号处理模块8和偏置放大电路9则用于对变速箱I所输出的扭矩信号进行处理。而自增益控制电路10则可以提高扭矩信号的稳定性。扭矩信号、温度信号、振动信号均输送给单片机7，由单片机7进行汇总分析，并由此可以推算出变速箱I的功率等参数。
[0029]为了达到更好的效果，该扭矩传感器4优先采用北京三晶创业科技集团有限公司生产的JN338-AF型法兰式转矩转速传感器，该型号扭矩传感器安装时占用空间小，扭矩测量精度高，转速适用范围广，可动态、静态测量连接部位转动轴的转矩、转速、轴功率。而温度传感器5则优选为北京九纯健科技发展有限公司生产的JCJ100TW型温度传感器，其具有体积小巧、反应灵敏、防水抗震等特点。振动传感器6则优先采用北京必创科技股份有限公司生产的A308型无线振动传感器，其采用无线数字信号传输方式消除了长电缆传输带来的噪声干扰，整个测量系统具有极高的测量精度和抗干扰能力。而驱动模块2、阻力系统3以及单片机7则采用现有技术即可实现。
[0030]如图2所示，该扭矩信号处理模块8由输入电路81，与输入电路81相连接的逻辑控制电路82，与逻辑控制电路82相连接的三极管驱动电路83，以及同时与逻辑控制电路82和三极管驱动电路83相连接的检测电路84组成。
[0031]其中的输入电路81由三极管VT1，三极管VT2，一端与三极管VTl的发射极相连接、另一端则顺次经电阻R3和电阻R4后与三极管VT2的发射极相连接的电阻R2，以及一端与三极管VTl的集电极相连接、另一端则与逻辑控制电路82相连接的电阻Rl组成。所述三极管VTl的基极作为该输入电路81的输入端、其集电极则与三极管VT2的基极相连接。所述三极管VT2的集电极与逻辑控制电路82相连接。
[0032]所述的逻辑控制电路82由与非门ICl，与非门IC2，与非门IC3，场效应管Q1，一端与场效应管Ql的栅极相连接、另一端则经电阻Rl后与三极管VTl的集电极相连接的电阻R5，正极与与非门IC2的输出端相连接、负极则与检测电路84相连接的电容C2，正极与场效应管Ql的漏极相连接、负极则经电阻R7后与与非门ICl的输出端相连接的电容Cl，以及一端与场效应管Ql的漏极相连接、另一端则与与非门IC3的正极相连接的电阻R6组成。所述与非门IC2的负极与三极管VT2的集电极相连接、其正极则与与非门ICl的输出端相连接。所述与非门ICl的负极与与非门IC2的负极相连接、其正极则与场效应管Ql的源极相连接、其输出端则与与非门IC3的负极相连接。所述与非门IC3的输出端分别与电容Cl的负极以及三极管驱动电路83相连接。
[0033]所述的三极管驱动电路83由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端接地的电阻R13，一端与三极管VT3的基极相连接、另一端则与三极管VT3的发射极相连接的电阻R14，一端与三极管VT3的基极相连接、另一端则与三极管VT4的发射极相连接的电阻R15，与电阻R15相并联的电容C8，一端与三极管VT4的集电极相连接、另一端则与三极管VT5的集电极相连接的电阻R16，串接在三极管VT5的发射极和基极之间的电阻R17，以及正极与三极管VT5的发射极相连接、负极则与检测电路84相连接的电容C9组成。所述三极管VT3的发射极分别与与非门IC3的输出端以及检测电路84相连接。所述三极管VT4的发射极与三极管VT3的发射极相连接的同时接地、其集电极则与三极管VT5的基极相连接、其基极则与三极管VT5的集电极相连接。
[0034]所述的检测电路84由检测芯片U，放大器Pl，N极与检测芯片U的RUM管脚相连接、P极则经电容C3后接地的二极管D1，一端与二极管Dl的P极相连接、另一端则经电阻R9后与检测芯片U的LBO管脚相连接的同时接地的电阻R8，正极与检测芯片U的PGND管脚相连接、负极接地的电容C4，正极与检测芯片U的GND管脚相连接、负极接地的电容C5，一端与电容C5的负极相连接、另一端则与放大器Pl的正极相连接的电阻R12，正极与放大器Pl的正极相连接、负极接地的电容C6，串接在放大器Pl的正极和输出端之间的电阻R11，一端与检测芯片U的LX管脚相连接、另一端则与放大器Pl的正极相连接的电阻R10，以及与电阻RlO相并联的电容C7组成；所述检测芯片U的VBAT管脚与三极管VT3的发射极相连接、其SHDN管脚则与电容C2的负极相连接、其FB管脚则与电阻R8和电阻R9的连接点相连接、其VOUT管脚和LBI管脚均分别与放大器Pl的正极和负极相连接、而其LX管脚则与电容C9的负极相连接。为了达到更好的实施效果，所述的检测芯片U优先采用SP6648集成电路来实现。
[0035]如图3所示，偏置放大电路9由场效应管Q2，三极管VT6，三极管VT7，电容C10，二极管D2，稳压二极管D3，电阻R18，电阻R19，电阻R20，电阻R21，电阻R22。连接时，该二极管D2的N极与场效应管Q2的栅极相连接、其P极则经电阻R19后与三极管VT6的发射极相连接，稳压二极管D3的N极与三极管VT6的基极相连接、其P极则与二极管D2的P极相连接的同时接地，电阻R20的一端与三极管VT6的基极相连接、其另一端接地，电阻R18的一端与场效应管Q2的漏极相连接、其另一端则经电阻R22后与三极管VT6的基极相连接的同时接地，电容ClO的正极与三极管VT7的发射极相连接、其负极则与三极管VT6的基极相连接，电阻R21的一端与三极管VT7的集电极相连接、其另一端则与电容ClO的负极相连接。所述场效应管Q2的栅极作为该偏置放大电路9的输入端、其源极则与三极管VT6的集电极相连接。所述三极管VT7的基极则与电阻R18和电阻R22的连接点相连接。所述三极管VT6的基极则作为该偏置放大电路9的输出端。为了达到更好的实施效果，该场效应管Q2优先采用MPF102型晶体管来实现。
[0036]所述自增益控制电路10则为本发明的重点，如图4所示，其由三极管VT8，三极管VT9，单向晶闸管D6，电容C11，电容C12，电容C13，电容C14，电阻R23，电阻R24，电阻R25，电阻R26，电阻R27，电阻R28，电感LI，二极管D4以及二极管D5组成；连接时，电容Cll的负极经电阻R24后与三极管VT8的基极相连接、正极则作为该自增益控制电路10的输入端，二极管D4的N极经电阻R26后与三极管VT8的发射极相连接、P极则顺次经电阻R25和电阻R23以及电阻R27后与三极管VT8的集电极相连接，电容C13则与二极管D4相并联，二极管D5的N极与三极管VT9的基极相连接、其P极则经电容C12后与三极管VT8的集电极相连接，电容C14的正极与单向晶闸管D6的N极相连接、其负极则与三极管VT9的发射极相连接，电感LI的一端与三极管VT9的集电极