应用于高频开关电源中的过零检测电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及模拟集成电路设计领域中的电源管理模块，具体涉及一种应用于高频开关电源中的过零检测电路。
【背景技术】
[0002]现在便携式电子产品越来越趋于小型化、智能化和高度集成化，而开关电源(DC-DC)要想实现高度集成化，必须提高开关频率以使电感电容等片外元件缩小到可以集成于片上的尺寸，目前已经发表的关于全集成DC-DC变换器的文献中，开关频率最低为50MHz，有的文献已经将开关频率提高到了几百MHz。而提高开关频率必然带来电路设计的复杂性，而且由于电感值非常小，所以电感上的电流纹波非常大，很容易进入DCM模式，产生反向电流，如果不能及时将整流管关断，即使只有几个纳秒的延迟也会导致产生接近100毫安的反相电流甚至更严重。传统的过零检测电路是采用比较器的结构，如附图2所示，将VX点的电压与OV电压相比，在过零点时将整流管关断，但是比较器存在传播延迟，而且传播延迟对于高频开关电源影响非常大，会导致非常大的反向电流，如附图3所示，而如果要将比较器的延迟减小，必然会带来很大的功耗，占据很大的面积。
【发明内容】
[0003]为解决上述技术问题，本发明提供了一种应用于高频开关电源中的过零检测电路，其特征在于，包括偏置部分、检测部分以及输出部分；
[0004]其中所述偏置部分为过零检测电路的各个支路提供偏置电流；
[0005]所述检测部分在开关管关断时，检测整流管漏极电压VX，当VX从负值上升到OV时，输出低电平，将整流管关断，防止反向电流的产生；
[0006]输出部分用于调整输出波形和增大检测电路的驱动能力。
[0007]较佳地，所述偏置部分包括第一 PMOS管、第一 NMOS管与第二 NMOS管；
[0008]所述第一 PMOS管源极接电源，所述第一 NMOS管栅极、第一 NMOS管漏极、第二 NMOS管栅极连接IBIAS端口，所述第一 NMOS管源极、第二 NMOS管源极分别接地，所述第一 PMOS管漏极、第一 PMOS管栅极、第二 NMOS管漏极相连。
[0009]较佳地，所述检测部分包括第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管；
[0010]所述第二 PMOS管漏极、第二 PMOS管源极、第三PMOS管源极、第四PMOS管源极、第五PMOS管源极分别接电源，所述第二 PMOS管栅极、第三PMOS管栅极、第四PMOS管栅极、第五PMOS管栅极分别与第一 PMOS管栅极连接，第五PMOS管漏极与第六NMOS管漏极连接，所述第三PMOS管漏极、第三NMOS管漏极、第三NMOS管栅极、第四NMOS管栅极相连，所述第四PMOS管漏极、第四NMOS管漏极、第六NMOS管栅极相连，
[0011]所述第三NMOS管源极、第六NMOS管源极分别接电源，第四NMOS管源极与第五NMOS管漏极连接，第五NMOS管栅极接端口 EN，第五NMOS管源极接端口 VX。
[0012]较佳地，所述输出部分包括串联的第一反相器与第二反相器，所述第五PMOS管漏极、第六NMOS管漏极分别与所述第一反相器的输入相连。
[0013]较佳地，所述各PMOS管与NMOS管的衬底均接地。
[0014]较佳地，所述第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管的沟道长度均为PMOS标准工艺下最小沟道长度的2.5?2.8倍，所述第一 NMOS管、第二NMOS管的沟道长度均为NMOS标准工艺下最小沟道长度的5.5?5.6倍，所述第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管的沟道长度均为NMOS标准工艺下最小沟道长度。
[0015]本发明具有以下有益效果:
[0016]1、电路形式简单，需要的静态电流非常低，所以功耗非常低，而传统比较器形式的过零检测电路要达到相同的效果，必须提高偏置电流和MOS管的尺寸以提高比较器的响应速度，这样既增加功耗又增加成本；
[0017]2、过零检测的跳变点可以依据偏置电流的大小做出调整，使得本发明的使用范围很广，既可用于低频开关电源中的过零检测，也可以用于高频开关电源；用于高频开关电源时，可以根据需要将跳变点提前，抵消电路传播延迟带来的影响，防止反向电流的产生。
[0018]当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
【附图说明】
[0019]为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本发明实施例提供的过零检测电路示意图；
[0021]图2为传统过零检测电路的结构图；
[0022]图3为传统过零检测电路的传播延迟以及反向电流。
【具体实施方式】
[0023]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0024]如图1所示，一种应用于高频开关电源中的过零检测电路，其特征在于，包括偏置部分1、检测部分2以及输出部分3 ;
[0025]其中所述偏置部分I为过零检测电路的各个支路提供偏置电流；
[0026]所述检测部分2在开关管关断时，检测整流管漏极电压VX，当VX从负值上升到OV时，输出低电平，将整流管关断，防止反向电流的产生；
[0027]输出部分3用于调整输出波形和增大检测电路的驱动能力。
[0028]本实施例中偏置部分I包括第一 PMOS管PMl、第一 NMOS管NMl与第二 NMOS管NM2 ；
[0029]其中第一 PMOS管PMl源极接电源，第一 NMOS管NMl栅极、第一 NMOS管NMl漏极、第二 NMOS管NM2栅极连接IBIAS端口，第一 NMOS管NMl源极、第二 NMOS管NM2源极分别接地，第一 PMOS管PMl漏极、第一 PMOS管PMl栅极、第二 NMOS管NM2漏极相连。
[0030]检测部分2包括第二 PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6 ；
[0031]所述第二 PMOS管PM2漏极、第二 PMOS管PM2源极、第三PMOS管PM3源极、第四PMOS管PM4源极、第五PMOS管PM5源极分别接电源，第二 PMOS管PM2栅极、第三PMOS管PM3栅极、第四PMOS管PM4栅极、第五PMOS管PM5栅极分别与第一 PMOS管PMl栅极连接，第五PMOS管PM5漏极与第六NMOS管NM6漏极连接，第三PMOS管PM3漏极、第三NMOS管MN3漏极、第三NMOS管NM3栅极、第四NMOS管NM4栅极相连，第四PMOS管PM4漏极、第四NMOS管NM4漏