基板为陶瓷材料，则需要选择金刚砂砂纸。
[0041]S5)、滴酸及样品清洗
[0042]将研磨完成的样品置于加热平台，加热至90度。将盛有丙酮和无水乙醇的烧杯置于超声清洗设备中，开启超声清洗设备。用胶头滴管对准芯片焊点部位滴I?2滴发烟硝酸，待2?3秒立即将镶嵌块倒扣于丙酮溶液中，5?10秒后将镶嵌块转移至无水乙醇中清洗5?10秒。将镶嵌块取出芯片朝上放置于通风处干燥。
[0043]S6)、显微镜检查
[0044]将干燥后的镶嵌块放置于显微镜载物台上检查，观察芯片表面是否有黑色有机物残留。若芯片表面干净，形貌清晰，开封结束。若有有机物粘附且遮挡芯片表面版图，返回步骤S5)，直至芯片表面刻蚀干净。
[0045]至此完成了倒装芯片封装器件的研磨开封。
[0046]本方法采用X射线检查确定芯片焊点版图，机械开盖暴露芯片，物理研磨去除器件基板材料，化学腐蚀去除芯片表面灌封材料，显微镜检查确认开封质量的方式完成倒装芯片封装器件开封。开封后器件焊点、键合区和芯片表面版图形貌得以最大限度的保留，并且芯片电学特性完全不受影响，为形貌检查、电学测试、表面成份分析和内部结构分析的顺利开展奠定了基础。
[0047]实施例2:
[0048]如图2所示，本发明提供一种倒装芯片封装器件开封方法，包括以下步骤:
[0049]SI)、对器件进行X射线检查，获得器件的X光照片；优选地，对器件分别进行X轴、Y轴向的X射线检查，获得器件两个方向的X光照片。
[0050]S3)、进行器件镶嵌；优选地，在该步骤中，将器件基板朝下水平放置于镶嵌设备中。为防止镶嵌过程中器件移动、翻转，在镶嵌设备的样品台黏贴少量双面胶固定器件。在灌封粉末或镶嵌液时应缓慢加入，防止冲跑器件。由于热镶嵌过程将产生高温高压，为防止芯片损坏，密封型器件采用冷镶嵌的方式完成镶嵌。灌封完成后，将镶嵌块置于通风处冷却或固化。
[0051]S4)、以器件的X光照片为参照对镶嵌后的器件进行研磨；优选地，该步骤中，为将镶嵌块置于研磨机磨盘上打磨，通过打磨去除器件基板材料，以完全暴露出芯片焊点为研磨结束标志。更优选地，所述步骤S4)中采用自动研磨，磨盘转速为250?300转/min，砂纸型号为P240。
[0052]S5)、对研磨后的器件进行滴酸及清洗；优选地，步骤S5)包括:将研磨后的器件加热至90度；采用丙酮和无水乙醇进行超声清洗，在芯片焊点部位滴I?2滴发烟硝酸，待2?3秒立即将镶嵌块倒扣于丙酮溶液中，再待5?10秒后将镶嵌块转移至无水乙醇中清洗5?10秒。
[0053]S6)、进行显微镜检查，若芯片表面干净，形貌清晰，开封结束。若检查到芯片表面有残留，则执行步骤S7)。
[0054]S7)、对研磨后的器件进行滴酸及清洗，此时用浓硫酸替换步骤S5)中的发烟硝酸，滴酸量和保留时间要适量减少，即滴酸后立即将样品置于丙酮溶液中清洗。优选地，将研磨后的器件加热至95度；采用丙酮和无水乙醇进行超声清洗，在芯片焊点部位滴I?2滴浓硫酸，待I?2秒立即将镶嵌块倒扣于丙酮溶液中，再待5?10秒后将镶嵌块转移至无水乙醇中清洗5?10秒。对研磨后的器件进行滴酸及清洗后，再进行显微镜检查，若芯片表面干净，形貌清晰，开封结束。若有有机物粘附且遮挡芯片表面版图，重复步骤S7)，直至芯片表面刻蚀干净。
[0055]需要说明的是，若器件为密封型，在所述步骤S3)之前，还包括步骤S2)先将器件的密封盖打开。所述步骤S3)中为防止芯片损坏，密封型器件采用冷镶嵌处理。
[0056]可见，本发明具有如下优点:
[0057]1.针对密封器件利用机械方式先开盖再镶嵌。
[0058]2.器件X射线检查，研磨更精准，质量更可靠，成功率更高。
[0059]3.手动滴酸，更易控制刻蚀效果，且器件适应性强。
[0060]虽然以上描述了本发明的【具体实施方式】，但是本领域的技术人员应当理解，这些【具体实施方式】仅是举例说明，本领域的技术人员在不脱离本发明的原理和实质的情况下，可以对上述方法的细节进行各种省略、替换和改变；例如，合并上述方法步骤，从而按照实质相同的方法执行实质相同的功能以实现实质相同的结果则属于本发明的技术方案，均应包含在本发明权利要求书所要求的保护范围之内。
【主权项】
1.一种倒装芯片封装器件开封方法，其特征在于，包括以下步骤: S100)、对器件进行X射线检查，获得器件的X光照片； S200)、进行器件镶嵌； S300)、以器件的X光照片为参照对镶嵌后的器件进行研磨； S400)、对研磨后的器件进行滴酸及清洗； S500)、进行显微镜检查，若检查到芯片表面有残留，则返回步骤S400)，直至芯片表面刻蚀干净。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S100)包括:对器件分别进行X轴、Y轴向的X射线检查，获得器件两个方向的X光照片。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S200)包括:将器件基板朝下水平放置于镶嵌设备中。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤S200)中，为防止镶嵌过程中器件移动、翻转，在镶嵌设备的样品台黏贴少量双面胶固定器件。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若器件为密封型，在所述步骤S200)之前，先将器件的密封盖打开。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若器件为密封型，所述步骤S200)中采用冷镶嵌处理。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S300)为将镶嵌块置于研磨机磨盘上打磨，通过打磨去除器件基板材料，以完全暴露出芯片焊点为研磨结束标志。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S300)中采用自动研磨，磨盘转速为250?300转/min，砂纸型号为P240。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S400)包括: 将研磨后的器件加热至90度； 采用丙酮和无水乙醇进行超声清洗，在芯片焊点部位滴I?2滴发烟硝酸，待2?3秒立即将镶嵌块倒扣于丙酮溶液中，再待5?10秒后将镶嵌块转移至无水乙醇中清洗5?10秒。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S500)中，若检查到芯片表面有残留，则进行如下处理: 将研磨后的器件加热至95度； 采用丙酮和无水乙醇进行超声清洗，在芯片焊点部位滴I?2滴浓硫酸，待I?2秒立即将镶嵌块倒扣于丙酮溶液中，再待5?10秒后将镶嵌块转移至无水乙醇中清洗5?10秒； 进行显微镜检查，若检查到芯片表面有残留，则重复以上处理，直至芯片表面刻蚀干净。
【专利摘要】本发明涉及一种倒装芯片封装器件开封方法，包括以下步骤：S100)、对器件进行X射线检查，获得器件的X光照片；S200)、进行器件镶嵌；S300)、以器件的X光照片为参照对镶嵌后的器件进行研磨；S400)、对研磨后的器件进行滴酸及清洗；S500)、进行显微镜检查，若检查到芯片表面有残留，则返回步骤S400)，直至芯片表面刻蚀干净。本发明的有益效果为：该方法适用于目前所有倒装芯片封装器件，包括密封、陶瓷和塑料封装；通过X射线检查，确定芯片焊点版图，能精确的确定研磨结束点，避免研磨不足和研磨过量的情况发生；通过手动滴酸、显微镜检查再滴酸的过程，严格控制刻蚀量，保证了开封质量，避免自动过量腐蚀芯片焊点和键合点。
【IPC分类】G01N1/32, G01N1/28
【公开号】CN105092326
【申请号】CN201510432064
【发明人】何志刚
【申请人】中国工程物理研究院计量测试中心
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年7月21日