放射线图像检测装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及放射线图像检测装置。
【背景技术】
[0002]蓄积性荧光体通过照射至蓄积性荧光体的激光激发而放出光。众所周知的是如下读取装置，其对蓄积性荧光体照射激光(激发光)，并将自蓄积性荧光体放出的光通过光检测元件而转换为电信号(参照例如专利文献I)。
[0003]先前技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献I日本专利特开平6-130526号公报
【发明内容】
[0006]发明所要解决的问题
[0007]本发明的目的在于，提供一种能抑制在光检测元件的激发光的检测的放射线图像检测装置。
[0008]解决问题的技术手段
[0009]本发明的一个观点的放射线图像检测装置为检测自记录介质放出的荧光光的放射线图像检测装置，该记录介质是通过对记录有放射线图像的记录介质照射激发光而记录放射线图像的，且该放射线图像检测装置包括:光检测元件，其检测荧光光；及棱镜，其以位于朝向记录介质的激发光的光路上且光检测元件与记录介质之间的方式配置；且棱镜具有作为表面的与记录介质相对的第一面、及相对于第一面倾斜的第二面及第三面，并且以如下方式配置:自第二面入射的激发光在内部传播并自第一面出射，且自第一面入射的来自记录介质的反射光在内部传播并自第二面或第三面出射，光检测元件与棱镜的表面中的与来自记录介质的反射光出射的区域不同的区域相对配置。
[0010]本发明的一个观点的放射线图像检测装置中，激发光自不与记录介质相对的第二面入射至棱镜，并自第一面出射。荧光光自第一面入射至棱镜，且在棱镜内传播并入射至光检测元件。自第一面入射至棱镜的反射光，自不与记录介质相对的第二面或第三面出射。光检测元件与棱镜的表面中的与反射光出射的区域不同的区域相对配置。因此，激发光不易入射至光检测元件。根据该放射线图像检测装置，可抑制光检测元件检测激发光。
[0011 ] 也可为第三面是透过激发光的面，且棱镜以自第一面入射的来自记录介质的反射光自第三面出射的方式配置。该情形时，自第二面入射的激发光自第一面出射并照射至记录介质。自第一面入射至棱镜的反射光自第三面出射。由于光检测元件与棱镜的表面中的与反射光出射的区域不同的区域相对配置，因此激发光不易入射至光检测元件。因此，可确实地抑制光检测元件检测激发光。
[0012]也可为第三面是反射激发光的面，且棱镜以自第二面入射的激发光在第三面反射并自第一面出射，且自第一面入射的来自记录介质的反射光自第二面出射的方式配置。该情形时，自第二面入射的激发光在第三面反射之后自第一面出射并照射至记录介质。自第一面入射至棱镜的反射光自第二面出射。由于光检测元件与棱镜的表面中的与反射光出射的区域不同的区域相对配置，因此激发光不易入射至光检测元件。因此，可确实地抑制光检测元件检测激发光。
[0013]光检测元件也能以与第二面中的与激发光入射的区域不同的区域相对的方式配置。该情形时，由于光检测元件以与第二面中的与激发光入射的区域不同的区域相对的方式配置，因此激发光不易入射至光检测元件。因此，可确实地抑制光检测元件检测激发光。
[0014]光检测元件也能以与第三面中的与来自记录介质的反射光出射的区域不同的区域相对的方式配置。该情形时，由于光检测元件以与第三面中的与反射光出射的区域不同的区域相对的方式配置，因此激发光不易入射至光检测元件。因此，可确实地抑制光检测元件检测激发光。
[0015]也可为棱镜作为表面具有与第一面相对的第四面，且光检测元件以与第四面相对的方式配置。该情形时，由于以相对于与激发光出射的第二面或第三面不同的第四面的方式配置光检测元件，因此激发光不易入射至光检测元件。因此，可确实地抑制光检测元件检测激发光。
[0016]光检测元件将光电二极管阵列作为I个信道而具备多个信道，且该光电二极管阵列包括:多个雪崩光电二极管，其以盖格模式动作；及粹灭电阻，其对各个雪崩光电二极管串联连接。该情形时，激发光不易入射至多个雪崩光电二极管。若激发光入射至多个雪崩光电二极管，则不仅荧光光，而且激发光也被雪崩倍增。由于激发光不易入射至多个雪崩光电二极管，因此可将会通过雪崩倍增而增大的激发光的影响抑制为较低。
[0017]发明的效果
[0018]根据本发明，可提供一种能抑制在光检测元件的激发光的检测的放射线图像检测
目.ο
【附图说明】
[0019]图1为表示实施方式的放射线图像检测装置的概略构成图。
[0020]图2为实施方式的光电二极管阵列的立体图。
[0021]图3 (a)为图2所示的光电二极管阵列的I1-1I箭头剖面图，图3(b)为其电路图。
[0022]图4为实施方式的光电二极管阵列的电路图。
[0023]图5为棱镜的剖面图。
[0024]图6为表不棱镜的一变形例的剖面图。
[0025]图7为表不棱镜的一变形例的剖面图。
[0026]图8为表示实施方式的变形例的放射线图像检测装置的概略构成图。
[0027]图9为棱镜的剖面图。
【具体实施方式】
[0028]以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。再者，在说明中，对同一要素或具有同一功能的要素使用同一符号，并省略重复的说明。
[0029]首先，参照图1对本实施方式的放射线图像检测装置20的构成进行说明。图1为表示实施方式的放射线图像检测装置的概略构成图。
[0030]放射线图像检测装置20检测对成像板IP照射激发光EL而自成像板IP放出的荧光光。成像板IP为记录放射线图像的记录介质。自成像板IP放出的荧光光的波长与激发光的波长不同。
[0031]放射线图像检测装置20包括激发光源2、MEMS(Micro Electro MechanicalSystem，微机电系统)镜片3、扫描透镜4、棱镜5、及光检测元件10。光检测元件10以与棱镜5相对的方式配置。
[0032]自激发光源2发出的激发光EL在MEMS镜片3反射，并通过扫描透镜4。通过扫描透镜4的激发光EL入射至棱镜5。棱镜5配置于激发光EL的光路上。入射至棱镜5的激发光EL在棱镜5内折射并照射至成像板IP。
[0033]当激发光EL照射至成像板IP时，自成像板IP放出荧光光。光检测元件10检测自成像板IP放出的荧光光。光检测元件10将光电二极管阵列11作为一个信道而具有多个通道。此处，参照图2?图4对本实施方式的光电二极管阵列11的构成进行说明。
[0034]图2是光电二极管阵列11的立体图。图3(a)为图4所示的光电二极管阵列的I1-1I箭头剖面图，图3(b)为其电路图。图4为光电二极管阵列的整体的电路图。
[0035]在光电二极管阵列11中，多个光电二极管Dl (参照图4)形成于N型(第I导电型)的半导体基板IN上。
[0036]各个光电二极管Dl包括:P型(第2导电型)的第I半导体区域1PA，其形成于半导体基板IN的一个表面侧；&P型(第2导电型)的第2半导体区域1PB，其形成于第I半导体区域IPA内。第2半导体区域IPB具有较第I半导体区域IPA更高的杂质浓度。光电二极管Dl包括:第I电极E1，其电连接于半导体基板IN ;及表面电极E3，其形成于第2半导体区域IPB上。第I半导体区域IPA的平面形状为四边形。第2半导体区域IPB位于第I半导体区域的内侧，且平面形状为四边形。第I半导体区域IPA的深度较第2半导体区域IPB更深。图3中的半导体基板I表示为包含N型半导体基板IN、及P型半导体区域1PA、IPB的双方。
[0037]光电二极管阵列11针对各个光电二极管Dl的每一个，而包括由金属层构成的第I反射体E2、及电阻层(猝灭电阻)R1。
[0038]第I反射体E2隔着绝缘层L(参照图3)而形成于第I半导体区域IPA外侧的半导体基板IN上。电阻层Rl其一端连接于表面电极E3，且沿第I半导体区域IPA上的绝缘层L的表面延伸。图2中，为使构造明确化而省略图3所示的绝缘层L的记载。
[0039]第I反射体E2由反射体E21构成，该反射体E21由平面形状为L字型的金属层构成。位于半导体基板IN上的第I反射体E21 (E2)、与具有第I开口的环状的表面电极E3电性隔离。即，在光电二极管Dl的阳极与阴极分别设置有电极，但一个表面电极E3与第I反射体E2电性分离。由