r>[0022] 可以使用任何适当的技术沉积DLC涂层90。例如，可以使用物理气相沉积技术沉 积涂层。例如，可以使用过滤阴极真空弧沉积设备（FCVA)沉积DLC涂层90。在这种装置 中，电弧被施加到阴极材料，促使该材料汽化和电离。磁性过滤场用于过滤蒸汽，并且磁性 集中场用于将所形成的碳等离子体集中到真空腔中的膜片18的表面上。可以按所期望沉 积各种类型的类金刚石碳。
[0023] 图5是膜片18的一部分的放大剖视图。如图5所不，中间层100沉积在膜片18 和DLC层90之间。可以选择中间层以促进DLC层90附着到膜片18。中间层100可以构造 成用于改善膜片18的表面粗糙度并且提供具有在膜片18和DLC涂层90的热膨胀系数之 间的热膨胀系数的过渡层。进一步，中间层100可以在沉积过程中保护膜片18的材料并且 改善最终结构的耐腐蚀性。例如，可以在DLC层90中形成销孔。类似地，可以在沉积过程 中在膜片18中形成销孔。中间层100在该过程中保护膜片18。可以根据需要选择中间层 100。在一个构造中，层100包括钛。然而，其他的示例材料包括钽、铬、或陶瓷材料。
[0024]可以使用不同类型的类金刚石碳涂层制造层90。在一个示例实施例中，DLC层90 包括含有a-C:H类金刚石碳的类金刚石碳涂层。在另一个优选的实施例中，涂层包括ta-C DLC。
[0025]虽然已经参照优选的实施例对本发明进行了描述，但是本领域技术人员将认识到 可以在没有脱离本发明的实质和范围的情况下进行形式和细节上的改变。远程密封件可 以是除本文中那些具体地描绘的构造之外的构造。例子包括带凸缘的密封件类型，例如等 高凸缘密封件、伸出的带凸缘的密封件或饼状密封件。其他的构造包括螺纹密封件（RTW)、 管子接头密封件、化学T字形密封件、螺纹管安装密封件、鞍状和流动通过密封件等。毛 细管通道22可以是细长的，如图1所示，或，在另一个示例性构造中，可以相对较短，借此 变送器直接安装到密封件。在一个构造中，膜片18包括不锈钢。其他的示例材料包括 丨丨astel..1oyA钽、钛、镍200/201、合金400 (Monel?)、合金625和600 (铬镍铁合金?)、超 级双相不锈钢2507、锆、金、银、钼、镍基合金、难熔金属和贵金属。在一个构造中，任何焊接 在沉积DLC涂层之前执行。这确保焊接过程不损伤DLC涂层。可以根据需要选择DLC涂层 的厚度。例如，厚度可以在0.5和5iim之间。在一些构造中，只要其满足应用要求优选较 薄层。虽然示出了单个的中间层，但是可以按所期望使用任何数量的中间层。
【主权项】
1. 一种过程压力变送器系统，包括： 过程压力变送器壳体； 过程压力传感器，所述过程压力传感器在过程压力变送器壳体中； 凸缘面，所示凸缘面在过程压力变送器壳体中； 隔离膜片，所述隔离膜片在凸缘面上； 第一毛细管通道，所述第一毛细管通道将第一填充流体从隔离膜片运送到过程压力传 感器； 过程密封膜片，所述过程密封膜片构造成耦合到工业过程的过程流体； 第二毛细管通道，所述第二毛细管通道将第二填充流体从过程密封膜片运送到隔离膜 片；和 类金刚石碳（DLC)涂层，所述类金刚石碳（DLC)涂层涂覆过程密封膜片。2. 根据权利要求1所述的系统，其中所述类金刚石碳包括ta-C。3. 根据权利要求1所述的系统，其中所述类金刚石碳包括a-C:H。4. 根据权利要求1所述的系统，包括在DLC涂层和过程密封膜片之间的中间层。5. 根据权利要求4所述的系统，其中所述中间层包括钛。6. 根据权利要求4所述的系统，其中所述中间层包括钽。7. 根据权利要求4所述的系统，其中所述中间层包括铬。8. 根据权利要求4所述的系统，其中所述中间层包括陶瓷。9. 根据权利要求1所述的系统，其中所述DLC涂层被施加到过程密封膜片的外表面。10. 根据权利要求1所述的系统，其中所述DLC涂层被施加到过程密封膜片的内表面。11. 根据权利要求1所述的系统，其中所述过程密封膜片被携带在远程密封件中并且 所述DLC涂层在远程密封件的表面上延伸。12. -种将过程压力变送器耦合到工业过程流体的压力的方法，包括： 将类金刚石碳（DLC)涂层施加到过程密封膜片； 放置过程密封膜片以与工业过程流体接触； 将从工业过程流体施加到过程密封膜片的压力通过毛细管通道耦合到隔离膜片； 使用第二毛细管通道将施加到隔离膜片的压力耦合到压力传感器；以及 使用压力传感器测量过程压力。13. 根据权利要求12所述的方法，其中所述类金刚石碳包括ta-C。14. 根据权利要求12所述的方法，其中所述类金刚石碳包括a-C:H。15. 根据权利要求12所述的方法，包括将中间层施加在DLC涂层和过程密封膜片之间。16. 根据权利要求15所述的方法，其中所述中间层包括钛。17. 根据权利要求15所述的方法，其中所述中间层包括钽。18. 根据权利要求15所述的方法，其中所述中间层包括铬。19. 根据权利要求15所述的方法，其中所述中间层包括陶瓷。20. 根据权利要求12所述的方法，其中所述DLC涂层被施加到过程密封膜片的外表面。21. 根据权利要求12所述的方法，其中所述DLC涂层被施加到过程密封膜片的内表面。22. -种将过程压力变送器耦合到过程流体的远程密封件，包括：过程密封膜片，所述 过程密封膜片构造成耦合到工业过程的过程流体； 毛细管通道，所述毛细管通道将填充流体从过程密封膜片运送到远端；和 类金刚石碳（DLC)涂层，所述类金刚石碳（DLC)涂层涂覆过程密封膜片。23. 根据权利要求22所述的远程密封件，其中所述类金刚石碳包括ta-C。24. 根据权利要求22所述的远程密封件，包括在DLC涂层和过程密封膜片之间的中间 层。25. 根据权利要求24所述的远程密封件，其中所述中间层包括钛。26. 根据权利要求22所述的远程密封件，其中所述DLC涂层被施加到过程密封膜片的 外表面。27. 根据权利要求22所述的远程密封件，其中所述DLC涂层被施加到过程密封膜片的 内表面。28. 根据权利要求22所述的远程密封件，其中所述DLC涂层在远程密封件的表面上延 伸。
【专利摘要】过程压力变送器系统包括过程压力变送器壳体、过程压力变送器壳体中的过程压力传感器、过程压力变送器壳体中的凸缘面和凸缘面上的隔离膜片。第一毛细管通道将第一填充流体从隔离膜片运送到过程压力传感器。过程密封膜片耦合到工业过程的过程流体。第二毛细管通道将第二填充流体从过程密封膜片运送到隔离膜片。类金刚石碳(DLC)涂层涂覆过程密封膜片。
【IPC分类】G01L19/00, G01L9/12, H04L29/06
【公开号】CN105203252
【申请号】CN201410306576
【发明人】张小昂, 文森特·克雷恩
【申请人】罗斯蒙特公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2014年6月30日
【公告号】US20150377730, WO2016003634A1