他部件的其他数据。因此，所述存储模块能够存储数据，例如用于执行所述MS系统100(包括它的部件)的指令的程序、光谱数据等。尽管只是示出了一个存储模块，但是多种不同类型及组合的存储模块(例如有形存储器，非易失存储器)可以被采用。所述存储模块可以和处理模块集成，所述处理模块可以包括独立的存储器，或者可以两者的存储器组合在一起。
[0067]所述存储模块可以包括但不限于:可移动和不可移动的存储元件，比如随机存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、闪存(比如，SD存储卡，min1-SD存储卡，和/或micro-SD存储卡)、磁存储器、光学存储器、USB存储装置、硬盘存储器、外部存储器以及其他类型的计算机可读存储介质。在一些实施方式中，所述取样探测器102和/或存储模块可以包括可移动的集成电路卡(ICC)存储器，例如通过S頂卡、US頂卡、UICC等提供的存储器。
[0068]在一些实施方式中，多种分析装置能够利用本发明描述的结构、技术、方法等。因此，尽管本发明描述的是MS系统100，但是多种分析仪器可以利用本发明描述的技术、方法、结构等。这些装置可以设置为具有有限的功能(比如薄装置)或者具有较强的功能(比如厚装置)。因此，装置的功能可以对应于该装置的软件或硬件资源，例如处理能力、存储器(例如数据存储能力)、分析能力等。
[0069]示例流程
[0070]下文将示例性描述用于通过在绝缘管或半导体管的内表面或外表面中的一者或者两者上设置一个或者多个图案化电阻轨迹而形成带电材料输送腔室的技术。在实施例中，图7描述了用于形成带电材料输送腔室的流程700，例如图1至图6及上文描述的的迀移管110的实施例。
[0071]在附图所示的流程700中，图案化电阻轨迹设置于由绝缘材料和/或半导体材料(框710)形成的管的内表面或外表面中的一个或多个。例如，参考图1至图6，电阻轨迹120设置在管114的内表面116和/或管114的外表面118。正如本发明所引用的于2008年7月21日提交的、名称为“通过光刻的细线厚膜电阻”、专利号为2008/0278278的美国专利申请，美国专利号为7，224，258、公开于2007年5月29日、名称为“通过光刻的细线厚膜电阻”的美国专利申请，于2007年5月4日提交的、名称为“通过光刻的细线厚膜电阻”、公开号为2007/0262846的美国专利申请，于2010年4月28日提交的、名称为“通过直接厚膜笔迹的微流体装置制备及其方法”、公开号为2010/0209318的美国专利申请，专利号为7，736，592、公开于2010年6月15日、名称为“通过直接厚膜笔迹的微流体装置制备及其方法”的美国专利申请，于2011年3月18日提交的、公开号为2011/0277803、名称为“热电偶装置”的美国专利申请，和/或专利号为4，485，387、公开于1984年11月27日、名称为“用于生产电路图案的输墨系统”的美国专利申请等所描述的，所述电阻轨迹120可以设置(例如打印)于所述管114的内表面116和/或所述管114的外表面118。
[0072]在一些实施方式中，跳跃部设置在所述管的内表面或外表面中的一者或多者上，以与所述图案化电阻轨迹的相邻匝线圈连接在一起(框712)。例如，继续参考图1至图6，跳跃部128可以用于将电阻轨迹120的相邻线圈连接在一起。在一些实施方式中，另一个图案化电阻轨迹设置在所述管的内表面或者外表面中的一者或多者上(框720)。例如，继续参考图1至图6，第二电阻轨迹120设置在管114的外表面118。如前所述，电阻轨迹120设置为连接至电能供应源，以在通电时在管114内部形成电场(例如，大体上为匀强电场，形电场等)。例如，继续参考图1至图6，连接部130能够形成以连接电阻轨迹120。如前所述，连接部130能够形成为导电凸缘、导电帽、导电涂层等。然后，连接部130能够连接至电能供应源(例如，电源)，以向图案化电阻轨迹供应能量并形成电场。
[0073]尽管通过明确的文字描述了结构特征和/或方法步骤，应该理解的是，在被附加的权利要求中限定的主题并不仅限于所描述的具体的特征或步骤。尽管描述了多种配置，所述设备、系统、子系统、部件等能够在不脱离本申请的情况下以多种方式组合。相反，所述具体的特征和步骤以实施所述权利要求的示例的形式被公开。
【主权项】
1.一种带电材料的输送腔室，该输送腔室包括: 腔室，该腔室由大体上绝缘材料和半导体材料中的至少一者制成，所述腔室具有内表面和外表面；以及 图案化电阻轨迹，该图案化电阻轨迹设置在所述腔室的内表面和外表面中的至少一者上，所述图案化电阻轨迹设置为与电能供应源连接。2.根据权利要求1所述的带电材料的输送腔室，其中，所述图案化电阻轨迹设置为与所述电能供应源连接，以在通电时在所述腔室内形成电场。3.根据权利要求1所述的带电材料的输送腔室，其中，所述图案化电阻轨迹设置为与所述电能供应源连接，以在通电时加热所述腔室。4.根据权利要求1-3中任意一项所述的带电材料的输送腔室，其中，所述图案化电阻轨迹包括设置在所述腔室的内表面和外表面中的至少一者上的线圈，所述线圈定向为至少大体上垂直于所述腔室的纵向轴线。5.根据权利要求4所述的带电材料的输送腔室，其中，所述线圈包括至少270°的单BL6.根据权利要求1所述的带电材料的输送腔室，其中，所述图案化电阻轨迹设置为离子调节部。7.根据权利要求1-6中任意一项所述的带电材料的输送腔室，其中，所述输送腔室进一步包括连接部，该连接部连接于所述图案化电阻轨迹并且设置为将所述图案化电阻轨迹连接至所述电能供应源。8.根据权利要求1-7中任意一项所述的带电材料的输送腔室，其中，所述输送腔室进一步包括纵向电阻轨迹，该纵向电阻轨迹设置为将所述图案化电阻轨迹至少连接至第二图案化电阻轨迹和所述连接部。9.一种制造带电材料的输送腔室的方法，该方法包括: 将图案化电阻轨迹设置在腔室的内表面和外表面中的至少一者上，所述腔室由大致绝缘材料和半导体材料中的至少一者制成，所述图案化电阻轨迹设置为连接至电能供应源；以及 将所述图案化电阻轨迹连接至所述腔室的连接部，所述连接部设置为将所述图案化电阻轨迹连接至所述电能供应源。10.根据权利要求9所述的方法，其中，将所述图案化电阻轨迹设置为连接至所述电能供应源，以在通电时在所述腔室内形成电场。11.根据权利要求9所述的方法，其中，将所述图案化电阻轨迹设置为连接至所述电能供应源，以在通电时加热所述腔室。12.根据权利要求9-11中任意一项所述的方法，其中，所述图案化电阻轨迹包括设置在所述腔室的内表面和外表面中的至少一者上的线圈，所述线圈定向为至少大体上垂直于所述腔室的纵向轴线。13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述线圈包括至少270°的单匝。14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述图案化电阻轨迹设置为离子调节部。15.根据权利要求9-14中任意一项所述的方法，其中，将所述图案化电阻轨迹连接至所述腔室的连接部包括使用纵向电阻轨迹将所述图案化电阻轨迹至少连接至第二图案化电阻轨迹和所述连接部。16.一种离子检测组件，该离子检测组件包括: 带电材料的输送腔室，该输送腔室包括由大致绝缘材料和半导体材料中的至少一者制成的腔室，所述腔室具有内表面和外表面，所述腔室的所述内表面和外表面中的至少一者上设置有图案化电阻轨迹，该图案化电阻轨迹设置为连接至电能供应源； 入口组件，该入口组件与所述带电材料的输送腔室流体连通，所述入口组件包括用于接收样品的入口、用于使所述样品电离的反应区以及用于控制电离的样品进入所述带电材料的输送腔室的门；以及 收集组件，该收集组件与所述带电材料的输送腔室流体连通，所述收集组件包括用于在所述电离的样品穿过所述带电材料的输送腔室后收集所述电离的样品的收集盘。17.根据权利要求16所述的离子检测组件，其中，所述图案化电阻轨迹设置为连接至电能供应源，以在通电时在所述腔室内形成电场。18.根据权利要求16所述的离子检测组件，其中，所述图案化电阻轨迹设置为连接至所述电能供应源，以在通电时加热所述腔室。19.根据权利要求16-18中任意一项所述的离子检测组件，其中，所述图案化电阻轨迹包括设置在所述腔室的内表面和外表面中的至少一者上的线圈，所述线圈定向为至少大体上垂直于所述腔室的纵向轴线。20.根据权利要求19所述的所述的离子检测组件，其中，所述线圈包括至少270°的单BL21.根据权利要求16-20中任意一项所述的离子检测组件，其中，所述图案化电阻轨迹设置为离子调节部。22.根据权利要求16-21中任意一项所述的离子检测组件，其中，所述腔室进一步包括连接部，该连接部连接至所述图案化电阻轨迹并且设置为将所述图案化电阻轨迹连接至所述电能供应源。23.根据权利要求16-22中任意一项所述的离子检测组件，其中，所述带电材料的输送腔室进一步包括纵向电阻轨迹，该纵向电阻轨迹设置为将所述图案化电阻轨迹至少连接至第二图案化电阻轨迹和所述连接部。
【专利摘要】本发明公开了一种离子检测组件，该离子检测组件包括迁移腔室、入口组件以及收集组件。所述迁移腔室由大致绝缘材料和/或半导体材料形成。图案化电阻轨迹设置在所述迁移腔室的内表面或外表面中的一者或者多者上。所述图案化电阻轨迹设置为连接至电能供应源。所述入口组件和所述收集组件与所述迁移腔室流体连通。所述入口组件包括用于接收样品的入口、用于使所述样品电离的反应区以及用于控制电离的样品进入所述迁移腔室的门。所述收集组件包括用于在电离的样品穿过所述迁移腔室后收集所述电离的样品。
【IPC分类】H01J49/02, G01N27/62, H01J49/04
【公开号】CN105209898
【申请号】CN201480028334
【发明人】B·阿塔曼丘卡, V·邦达连科, V·瑟奇耶夫, H·扎列斯基, D·莱文, M·品尼尔斯基, I·库贝利克, Q·卞, S·费尔德贝格, D·J·格林, B·博索, A·J·帕特尔
【申请人】蒙特利尔史密斯安检仪公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2014年3月18日
【公告号】CA2907115A1, EP2976632A1, US20140264021, WO2014146200A1