对称侧向双载子接面晶体管及特征化和保护晶体管的用图
【技术领域】
[0001]本发明大体涉及晶体管的特征化和保护。更特别的是，本发明涉及对称侧向双载子接面晶体管及其在特征化和保护晶体管中的用途。
【背景技术】
[0002]在制造有金属氧化物半导体场效晶体管的集成电路期间，一个常见的问题是由“天线效应”造成的栅极氧化物损坏，更正式来说，为习称等离子诱发的栅极氧化物损坏。此类损坏可能造成集成电路的良率及可靠性问题。目前，二极管用来在特征化晶体管期间保护该等晶体管。不过，二极管的使用受到限制，例如无法测量栅极诱发的漏极漏电流或栅极漏电流，以及在其他测试特性上的不准确。
[0003]因此，亟须改善晶体管的特征化和保护。
【发明内容】
[0004]在一态样中，通过提供一种特征化晶体管的方法，克服先前技术的缺点以及提供额外优点。该方法包括提供测试晶体管，该测试晶体管包含栅极与栅极介电材料。该方法进一步包括提供对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)，使该SLBJT电气耦合至该测试晶体管的该栅极，施加电压至该栅极，以及特征化该测试晶体管在该施加电压下的一或多个态样。该SLBJT保护该栅极以免该栅极介电材料受损。
[0005]根据另一态样，提供一种对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)。该SLBJT包含ρ型半导体基板、至少一个井(well)、以及属于第一类型且用于对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)的射极的第一植入区。该第一植入区位于该至少一个井的其中一者中，且该第一类型为η型与ρ型的其中一者。此外，该SLBJT包含属于与该第一类型相反的第二类型且用于该SLBJT的基极的第二植入区，该第二植入区位于该至少一个井中且在该基极的第一侧与该射极以一距离隔开。此外，该SLBJT包含属于该第一类型且用于该SLBJT的集极的第三植入区，该第三植入区位于该至少一个井中且在该基极与该第一侧相反的第二侧与该基极以该距离隔开。此外，该SLBJT包含用于电气耦合至该基板的ρ型植入区，该ρ型植入区位于该至少一个井外。
[0006]根据又一态样，提供一种电路。该电路包含含有栅极的测试晶体管，以及对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)。该SLBJT包含射极、基极及集极。该射极、该基极之间的距离与该基极、该集极之间的距离相同，该射极与该集极在该基极的两侧，而该射极电气耦合至该测试晶体管的该栅极。
[0007]由以下本发明各种态样结合附图的详细说明可明白以上及其他的本发明目标、特征及优点。
【附图说明】
[0008]图1是根据本发明的一或多个态样图示用于特征化测试晶体管的一或多个态样的电路实施例，该测试晶体管包含半导体基板、栅极、源极及漏极，该电路包含对称侧向双载子接面晶体管，在此称为"SLBJT"(在此实施例为NPN型)，其电气耦合及保护该测试晶体管以免高电压损坏测试晶体管中的栅极介电材料。
[0009]图2是根据本发明的一或多个态样，与图1类似，不同处在于图2使用PNP SLBJT的一实施例，而不是图1的NPN SLBJT。
[0010]图3是根据本发明的一或多个态样图示平面PNPSLBJT实施例的横截面图，其包含P型基板、在基板中位于隔离材料区之间的η型井、用于射极接点的Ρ型植入物、用于基极接点的η型植入物、以及用于集极接点的第二 ρ型植入物，相同的距离及隔离材料使射极与基极隔开以及使基极与相对于射极是在基极反对侧的集极隔开，该平面PNP SLBJT也包含在η型井外用于电气耦合至基板接点158的ρ型植入物。
[0011]图4是根据本发明的一或多个态样图示平面NPNSLBJT实施例的横截面图，其包含Ρ型基板、在基板中位于隔离材料区之间的Ρ型井、η型井、“三重”η型井、用于射极接点的η型植入物、用于基极接点的ρ型植入物、以及用于集极接点的第二 η型植入物，相同的距离及隔离材料使该射极植入物与该基极植入物隔开以及使该基极植入物与相对于该射极植入物是在基极反对侧的该集极植入物隔开，该平面NPN SLBJT也包含在η型井外用于经由基板接点电气耦合至基板的Ρ型植入物。
[0012]图5是根据本发明的一或多个态样图示非平面PNPSLBJT实施例的横截面图，其包含Ρ型基板(或η型基板中的ρ型井)、耦合至基板的增高结构、该SLBJT也包含在增高结构位于隔离材料区之间的η型井、用于具有ρ型外延材料于其上的射极的ρ型植入物、用于具有η型外延材料于其上的基极的η型植入物、以及用于具有ρ型外延材料于其上的集极的Ρ型植入物，相同的距离及隔离材料使该射极在一侧与该基极隔开以及使该基极在反对侧与该集极隔开，该非平面PNP SLBJT也包含与η型井分开且具有ρ型外延材料在其上用于电气耦合至基板的Ρ型植入物。
[0013]图6是根据本发明的一或多个态样图示非平面NPNSLBJT实施例的横截面图，其包含Ρ型基板(或η型基板中的ρ型井)、耦合至基板的增高结构、该SLBJT也包含在该增高结构中位于隔离材料区之间的η型井、ρ型井、“三重”η型井、具有η型外延材料在其上用于射极的η型植入物、具有ρ型外延材料在其上用于基极的ρ型植入物、以及具有η型外延材料在其上用于集极的η型植入物，相同的距离及隔离材料使该射极在一侧与该基极隔开以及使该基极在另一侧与该集极隔开，该非平面NPN SLBJT也包含与η型井分开且具有Ρ型外延材料在其上用于电气耦合至基板的Ρ型植入物。
[0014]符号说明
[0015]100电路102测试晶体管
[0016]103 对称侧向双载子接面晶体管
[0017]104 半导体基板105可变电压源
[0018]106 栅极108源极
[0019]110 漏极112、114、116 电压源
[0020]118 集极120接地
[0021]124 PNP SLBJT130平面 PNP SLBJT
[0022]132、162、192、232 ρ 型基板
[0023]134、164、196、236η 型井
[0024]136、138、198、200隔离材料区
[0025]140、156、174、186、202、210、246、260、220 ρ 型植入物
[0026]142射极接点
[0027]144、170、206、242、250η 型植入物
[0028]146基极接点148第二 ρ型植入物
[0029]150、180集极接点
[0030]152、182、214、216、254、256 间距
[0031]154、184、218隔离材料158、188 基板接点
[0032]160平面 NPN SLBJT
[0033]165、235Ρ 型井
[0034]166、168、238、240隔离材料区
[0035]167,237“三重”η型井 172射极接点
[0036]176接点178第二 η型植入物
[0037]190非平面 PNP SLBJT
[0038]194,234增高结构204、212 ρ型外延材料
[0039]208、244、252η 型外延材料
[0040]222、248、262ρ 型外延材料
[0041]224、264介电材料230非平面 NPN SLBJT
[0042]258隔离材料。
【具体实施方式】
[0043]以下用图示于附图的非限定性实施例更详细地解释本发明的数个态样及其一些特征、优点及细节。省略习知材料、制造工具、加工技术等等的描述，以免不必要地模糊本发明的细节。不过，应了解，尽管实施方式及特定实施例指出本发明的数个态样，但它们皆仅供图解说明而不是用来限制。本领域技术人员显然由本揭示内容可明白在本发明概念的精神及/或范畴内有各种取代、修改、附加及/或配置。