一种支持s模式工作方式的发射组件的制作方法

文档序号:10265175阅读:573来源:国知局
一种支持s模式工作方式的发射组件的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于二次雷达领域,特别涉及一种支持S模式工作方式的发射组件。
【背景技术】
[0002]早期的二次雷达采用的是单脉冲二次雷达,此种雷达采用全呼叫询问方式,工作时,地面雷达向空间发出全呼叫询问信号,安装在飞机上的应答机接收询问信号后,都会发出一个应答信号,随着航空运输量的增加,尤其是在大型航空港等飞机非常密集的地方,单脉冲二次雷达的时间不同步和混淆信号已经越来越严重,同时单脉冲二次雷达在数据链路的需求方面仍然不能令人满意。针对上述情况出现了 S模式二次雷达。S模式是一种先进的雷达询问系统,它建立在独立编址和选择性询问的基础上,能够解决在模式A/C中具有的信号干扰、有限的信息编码、幻影和异步应答等问题,同时在数据链路方面也具有巨大的潜力。
[0003]S模式二次加长信息链对发射机提出了更高的要求,要求发射组件能够满足S模式加长信息链的工作要求,现有技术下的发射组件无法满足S模式加长信息链的工作要求,而且结构复杂、性能不稳定。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型为了克服上述现有技术的不足,提供了一种支持S模式工作方式的发射组件,本实用新型解决了 S模式加长信息链的要求,而且结构简单、性能稳定、散热效果较好。
[0005]为实现上述目的,本实用新型采用了以下技术措施:
[0006]—种支持S模式工作方式的发射组件,本发射组件包括一级8W功率放大器,所述一级8W功率放大器的输入端连接输入功率信号,所述一级8W功率放大器的输出端连接二级60W功率放大器的输入端,所述二级60W功率放大器的输出端连接第一隔离器的输入端,所述第一隔离器的输出端连接三级500W功率放大器的输入端,所述三级500W功率放大器的输出端连接第二隔离器的输入端,所述第二隔离器的输出端连接串馈分配器的输入端,所述串馈分配器的输出端经过PIN开关后连接四级500W功率放大器的输入端,所述四级500W功率放大器的输出端连接第三隔离器的输入端,所述第三隔离器输出端连接串馈合成器的输入端,所述串馈合成器的输出端输出功率信号,所述一级8W功率放大器的TTL控制端、PIN开关的TTL控制端均与BITE控制电路的输出端相连。
[0007]本实用新型还可以通过以下技术措施进一步实现。
[0008]优选的,所述四级500W功率放大器包括500W功率管,所述500W功率管的发射极连接第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第一电感、第二电感的一端以及PIN开关的输出端,所述第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第一电感、第二电感的另一端接地,所述500W功率管的基极接地,所述500W功率管的集电极连接第一电容、第一电阻、第三电感的一端,所述第一电阻、第三电感的另一端均连接第六电容、第七电容、第八电容、第九电容的一端以及电源,所述第九电容的另一端连接第二电阻的一端,所述第二电阻、第六电容、第七电容、第八电容的另一端均接地,所述第一电容的另一端连接第三隔离器的输入端。
[0009]优选的,所述四级500W功率放大器、PIN开关、第三隔离器的个数相同,且个数至少为六个。
[0010]进一步的,所述一级8W功率放大器功率管的芯片型号为石家庄新元电子股份有限公司生产的PA1030,所述二级60W功率放大器功率管的芯片型号为美国Microsemi公司生产的MDS60L,所述三级500W功率放大器、四级500W功率放大器功率管的芯片型号均为美国Microsemi 公司生产的 MDS500L。
[0011]进一步的,所述一级8W功率放大器、二级60W功率放大器、三级500W功率放大器、四级500W功率放大器、第一隔离器、第二隔离器、第三隔离器、串馈分配器、串馈合成器的散热面材质均为铜。
[0012]本实用新型的有益效果在于:
[0013]1)、本实用新型由一级8W功率放大器、二级60W功率放大器、三级500W功率放大器、至少6个四级500W功率放大器组成,所述一级8W功率放大器功率管的芯片型号为石家庄新元电子股份有限公司生产的PA1030,所述二级60W功率放大器功率管的芯片型号为美国Microsemi公司生产的MDS60L,所述三级500W功率放大器、四级500W功率放大器功率管的芯片型号均为美国Microsemi公司生产的MDS500L,上述功率放大器功率管均满足S模式加长信息链的要求,而且本实用新型结构简单、性能稳定。
[0014]值得特别指出的是:本实用新型只保护由上述物理部件以及连接各个物理部件之间的线路所构成的装置或者物理平台,而不涉及其中的软件部分。
[0015]2)、所述二级60W功率放大器、三级500W功率放大器、四级500W功率放大器的输出端均连接有隔离器,隔离器吸收电路中的反射功率,有效的保护了功率放大器,防止反射功率过大而造成功率放大器的损坏。
[0016]3)、所述一级8W功率放大器、二级60W功率放大器、三级500W功率放大器、四级500W功率放大器、第一隔离器、第二隔离器、第三隔离器、串馈分配器、串馈合成器的散热面材质均为铜,增加了发射组件的散热率,因此本实用新型的散热效果较好。
【附图说明】
[0017]图1为本实用新型的系统组成原理图;
[0018]图2为本实用新型的四级500W功率放大器的电路原理图。
[0019]图中标注符号的含义如下:
[0020]10—一级8W功率放大器20—二级60W功率放大器
[0021]30—三级500W功率放大器40—四级500W功率放大器
[0022]Vl—500W功率管Cl?C9 一第一电容?第九电容
[0023]LI?L3—第一电感?第三电感 Rl?R2—第一电阻?第二电阻
【具体实施方式】
[0024]下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0025]如图1所示,本实用新型在组合连接过程中首先选择6个四级500W功率放大器40,6个所述四级500W功率放大器40的功率管型号均为MDS500L,每一个四级500W功率放大器40的输出端均连接第三隔离器的输入端,6个所述第三隔离器的输出端均连接6:1串馈合成器的输入端,6个所述四级500W功率放大器40的输入端分别连接6个PIN开关的输出端,通过PIN开关的通断来控制四级500W功率放大器40输入功率的通断,6个所述PIN开关的输入端均
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