技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基准电流产生电路中的内部电源产生电路，包括由第一和二条件路径形成的正温度系数电流产生电路和第一和二电流源，第一PMOS管，第一和二NMOS管；第一PMOS管的栅极连接正温度系数电流产生电路提供的具有正温度系数的参考电压，第一NMOS管和第一PMOS管的源极连接，第一NMOS管的栅极和漏极和第二NMOS管的栅极连接在第一节点；第一PMOS管的漏极为第二节点；第一节点和第二节点串联在第一电流源和第一条路径之间或者在第二电流源和第二条路径之间；第二NMOS管的漏极连接电源电压，第二NMOS管的源极输出内部电源。本发明能节约电流路径以及能同时提高内部电源的温度特性。
技术研发人员：袁志勇
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2017.09.29
技术公布日：2018.03.23