基准电流源的制作方法

技术特征：

1.一种基准电流源，其特征在于，所述基准电流源包括：

变温电阻模块，用于提供随温度变化的电阻，所述变温电阻模块的第一端电连接于第一电压；

第一晶体管，所述第一晶体管的第一端电连接于第二电压，第二端电连接于所述第一电压，第三端电连接于所述变温电阻模块的第二端，

其中，所述第一晶体管的第一端用于根据所述变温电阻模块的电阻输出基准电流。

2.根据权利要求1所述的基准电流源，其特征在于，所述基准电流源还包括：

第二晶体管，所述第二晶体管的第一端电连接于所述第二电压，第二端电连接于第三端；

第三晶体管，所述第三晶体管的第一端及第二端电连接于所述第二晶体管的第二端及第三端，所述第三晶体管的第三端电连接于所述第一电压；

其中，所述变温电阻模块包括第四晶体管，所述第四晶体管的第一端电连接于所述第一晶体管的第三端，第二端电连接于所述第三晶体管的第一端及第二端，第三端电连接于所述第一电压，

其中，所述第二电压大于所述第一电压。

3.根据权利要求2所述的基准电流源，其特征在于，所述基准电流源还包括：

第五晶体管，所述第五晶体管的第一端电连接于所述第二电压，第二端电连接于第三端及所述第一晶体管的第一端；

其中，所述第五晶体管的第一端用于输出所述基准电流；

其中，所述第一晶体管的第一端通过所述第五晶体管电连接于所述第二电压。

4.根据权利要求2所述的基准电流源，其特征在于，所述第四晶体管的第二端接收所述第三晶体管的第一端输出的控制电压，所述控制电压使得所述第四晶体管工作于线性区，其中，在所述第四晶体管工作于线性区时，所述第四晶体管为随所述控制电压变化的等效电阻。

5.根据权利要求4所述的基准电流源，其特征在于，所述控制电压表示为：

其中，VBIAS为控制电压，为所述第二晶体管的宽长比，为所述第三晶体管的宽长比，VTna1为所述第二晶体管的阈值电压，VTn1为所述第三晶体管的阈值电压，其中，所述控制电压的值随温度的变化而变化。

6.根据权利要求4所述的基准电流源，其特征在于，所述变温电阻模块的电阻的阻值表示为：

其中，R为所述电阻的阻值，μ为所述第四晶体管的迁移率，COXn2为所述第四晶体管的单位面积的栅极和沟道之间氧化层电容，为所述第四晶体管的宽长比，VBIAS为所述控制电压，VTn2为所述第四晶体管的阈值电压。

7.根据权利要求2所述的基准电流源，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管为耗尽型NMOS晶体管，所述第三晶体管、所述第四晶体管为增强型NMOS晶体管。

8.根据权利要求1所述的基准电流源，其特征在于，所述第一电压作为所述基准电流源的参考地，所述第二电压作为所述基准电流源的工作电压。

9.根据权利要求1所述的基准电流源，其特征在于，所述变温电阻模块包括：

第一电阻，所述第一电阻的第一端电连接于所述第一晶体管的第三端；

第二电阻，所述第二电阻的第一端电连接于所述第一电阻的第二端，第二端电连接于所述第一电压。

10.根据权利要求9所述的基准电流源，其特征在于，所述第一电阻为正温度系数电阻，所述第二电阻为负温度系数电阻。