集成电路的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及例如用于磁平衡式电流传感器等的集成电路。
【背景技术】
[0002] 磁平衡式电流传感器使用因被测定电流引起的感应磁场对该被测定电流进行测 定（参照例如专利文献1)。磁平衡式电流传感器一般具备被称为汇流条的一次导体及对在 该一次导体中流动的被检测电流进行检测的集成电路。为了高精度地测定被测定电流，必 须高精度地将一次导体相对于集成电路进行定位并设置。
[0003] 专利文献1 :日本特开2013-047610号公报
【发明内容】
[0004] 另外，用于磁平衡式电流传感器的集成电路优选的是基于磁特性对废品进行判 另IJ。但是，在未设置一次导体的状态下，由于无法对该集成电路赋予所期望的外部磁场，因 此无法检查该集成电路的磁特性。因此，在组装为产品之后，对集成电路的磁特性进行检 查，但当在此时发现废品时，存在装入到该废品的一次导体白白浪费的问题。
[0005] 本发明鉴于该情况而作出，将提供能够在未设置一次导体的状态下（例如在从晶 片切下之前的状态下）检查磁特性的集成电路作为解决课题之一。
[0006] 为了解决上述课题，本发明的一形态的集成电路用于对在一次导体中流动的被测 定电流进行测定的磁平衡式电流传感器，上述集成电路的特征在于，具备：磁检测电桥电 路，当磁场发生作用时，产生与该磁场对应的检测电压；电感线圈，当电流流过时，产生与该 电流对应的磁场；测定电路，在由上述被测定电流产生的磁场所作用的上述磁检测电桥电 路中产生上述检测电压，由此对在上述电感线圈中流动的电流进行测定；检查电路，使检查 电流流入到上述电感线圈而产生检查磁场，对在该检查磁场所作用的上述磁检测电桥电路 中产生的上述检测电压进行测定；及电路设定部，设定为连接上述磁检测电桥电路与上述 测定电路的第一模式、或连接上述磁检测电桥电路与上述检查电路的第二模式。
[0007] 根据该形态，在使检查电流流入到集成电路所具备的电感线圈而产生了检查磁场 时，该集成电路对在该检查磁场所作用的磁检测电桥电路中产生的电压（检测电压）进行 测定，并能够基于该检测电压对该磁检测电桥电路的磁特性进行检查。
[0008] 以往，由于未设置一次导体的状态的集成电路无法检查磁特性，因此虽然检查精 度较差，但通过对除磁特性以外的特性进行检查而进行了废品的判别。
[0009] 但是，根据本形态，即使是设置一次导体之前的状态（例如从晶片切下之前的状 态）的集成电路，也能够对能够更高精度地判别废品的磁特性进行检查。
[0010] 本发明的另一形态的集成电路的特征在于，在上述形态的集成电路的基础上，上 述电路设定部包含开关元件，上述开关元件将上述测定电路及上述检查电路中的任一方与 上述磁检测电桥电路连接。
[0011] 根据该形态，将该集成电路设定为第一模式或第二模式的电路设定部由开关元件 构成。由此，仅对开关元件供给预定的控制信号，就能够将该集成电路设定为第一模式或第 二模式。
[0012] 本发明的另一形态的集成电路的特征在于，在上述形态的集成电路的基础上，上 述测定电路具备：运算放大器，被输入在上述磁检测电桥电路中产生的上述检测电压；及 测定用电阻元件，连接于该运算放大器的输出端子，将在上述电感线圈中流动的电流转换 为电压，上述电路设定部在上述第二模式下将上述测定电路中的上述运算放大器的输出阻 抗设定为高阻抗。
[0013] 根据该形态，测定电路具备：运算放大器，被输入在磁检测电桥电路中产生的检测 电压；及测定用电阻元件，连接于该运算放大器的输出端子，将在电感线圈中流动的电流转 换为电压。并且，电路设定部在第二模式中将测定电路的运算放大器的输出阻抗设定为高 阻抗，由此使测定电路不连接于磁检测电桥电路，而仅使检查电路连接于磁检测电桥电路。 即，根据本形态，仅将测定电路的运算放大器的输出阻抗设定为高阻抗的控制信号供给到 运算放大器，就能够将该集成电路设定成第一模式或第二模式。
[0014] 本发明的另一形态的集成电路的特征在于，在上述形态的集成电路的基础上，上 述测定电路与上述检查电路是具备运算放大器、测定用电阻元件及检查用电阻元件的单一 的电路，上述运算放大器被输入在上述磁检测电桥电路中产生的上述检测电压，上述测定 用电阻元件将在上述电感线圈中流动的电流转换为电压，上述检查用电阻元件用于将向上 述运算放大器输入的电压以预定的放大率放大并从上述运算放大器输出，上述电路设定部 包含开关元件，上述开关元件在上述第一模式下连接上述运算放大器中的输出端子与上述 测定用电阻元件，并且，在上述第二模式下将上述检查用电阻元件连接于上述运算放大器 的输入端子与输出端子之间。
[0015] 根据该形态，能够将测定电路与检查电路设为单一的电路，因此实现了电路结构 的进一步简化。
【附图说明】
[0016] 图1是表不具备本发明的第一实施方式的集成电路的磁平衡式电流传感器的一 结构例的图。
[0017] 图2是表示本发明的第一实施方式的集成电路的一结构例（普通模式时）的图。
[0018] 图3是表示本发明的第一实施方式的集成电路的一结构例（检查模式时）的图。
[0019] 图4是表示本发明的第二实施方式的集成电路的一结构例（普通模式时）的图。
[0020] 图5是表示本发明的第二实施方式的集成电路的一结构例（检查模式时）的图。
[0021] 图6是表示本发明的第三实施方式的集成电路的一结构例（普通模式时）的图。
[0022] 图7是表示本发明的第三实施方式的集成电路的一结构例（检查模式时）的图。
【具体实施方式】
[0023] [第一实施方式]
[0024] 参照附图对本发明的实施方式进行说明。图1是表示具备本发明的第一实施方式 的集成电路的磁平衡式电流传感器的一结构例的图。如该图所示，磁平衡式电流传感器1 具备例如被称为IC(IntegratedCircuit:集成电路）芯片的集成电路10及被称为汇流条 (BUSBAR)的一次导体50。
[0025] 集成电路10具备磁检测电路13、测定/检查电路15、电源端子Tl、检查电流输入 端子T2、输出端子T3、第一控制信号输入端子T4及接地端子T5。
[0026] 电源端子Tl是供电源电压VDD输入的端子。检查电流输入端子T2是供在检查集 成电路10的磁特性时使用的检查电流Itest输入的端子。输出端子T3是供与后述的差动 电压Vsub对应的电压输出的端子。第一控制信号输入端子T4是供后述的第一控制信号 CTLl输入的端子。接地端子T5是供向该集成电路10的各部供给的接地电位输入的端子。
[0027] 另外，集成电路10的磁特性是指例如磁检测电路13的磁特性。
[0028] 磁检测电路13具备：连接于测定/检查电路15的消除线圈（电感线圈）COILa、 COILb、COILc、COILd;连接（插入）于电源端子Tl与接地端子T5之间而构成电桥电路的 磁阻元件GMRa、GMRb、GMRc、GMRcL
[0029] 磁阻元件GMRa、GMRb、GMRc、GMRd是根据作用于自身的磁场而使电气特性（电阻） 变化的传感器元件，用于检测磁场。在本例中，作为磁阻元件GMRa、GMRb、GMRc、GMRd而使 用例如巨磁阻效果（GMR:GiantMagneto-ResistanceEffect)元件。
[0030] 另外，当磁场发生作用时，由磁阻元件GMRa、GMRb、GMRc、GMRd构成的电桥电路 (磁检测电桥电路）在节点nl与节点n2之间产生对应于该磁场的电压（后述的差动电压 Vsub)〇
[0031] 另外，例如如图1所示，集成电路10俯视观察时呈大致矩形，磁阻元件GMRa、GMRb 沿着集成电路10的一边设置，并且磁阻元件GMRc、GMRd沿着与上述一边相向的另一边设 置。
[0032] 在此，磁阻元件GMRa、GMRb、GMRc、GMRd分别以如下方式连接。即，磁阻元件GMRa与 磁阻元件GMRd串联连接，磁阻元件GMRb与磁阻元件GMRc串联连接。另外，磁阻元件GMRa、 GMRd与磁阻元件GMRb、GMRc相对于电源端子Tl与接地端子T5而并联连接（插入）。
[0033] 并且，一次导体50是供由该磁平衡式电流传感器1测定的被测定电流Ib流动的 俯视大致"U"字形的导电体。在图1所示的例子中，被测定电流Ib从一次导体50的正极 端1+向负极端I-流动。
[0034] 因此，被测定电流Ib在图1所示的例子中，沿着一个方向在磁阻元件GMRa、b的左 侧流动，并且沿着该一个方向的反方向在磁阻元件GMRc、d的