VCC电性相连，第一电压源VCC的电压例如是5V。
[0067]状态保持电路模块12包括晶闸管124，第一三极管121、第二三极管122、以及第三三极管123。
[0068]第一三极管121可以替换为绝缘栅型场效应管(M0SFET)。此时，二极管11a的阳极与M0SFET的漏极电性相连，M0SFET的栅极分别与第二电压源以及所述第三三极管的集电极电性相连，M0SFET的源极接地。此外，M0SFET的栅极还经由第八电阻器108与第二电压源VDD电性相连。为了保护M0SFET，其栅极还可经由一个电阻(图未示)到地，防止M0SFET损坏。相比于三极管，M0SFET具有更好的低温性能。
[0069]第一三极管121的集电极与继电器的输出端、二极管11a的阳极以及晶闸管124的阳极电性相连。第一三极管121的基极经由第八电阻器108与第二电压源VDD电性相连，第一三极管121的基极还与第三三极管123的集电极电性相连。第一三极管121的发射极接地。
[0070]第二三极管122的集电极与晶闸管124的门极电性相连，第二三极管122的集电极还经由第九电阻器109与第二电压源VDD电性相连，第二三极管122的集电极与发射极之间并联有第十电阻器110。第二三极管122的基极经由第十一电阻器111与第二电压源VDD电性相连。第二三极管122的基极还经由第十二电阻器112与微控制单元13的第二I/O端口(relay on)端口电性相连。第二三极管122的发射极接地。
[0071]第三三极管123的集电极由第八电阻器108与第二电压源VDD电性相连，第三三极管的基极经由第十三电阻器113与第二电压源VDD电性相连，第三三极管的基极还经由第十四电阻器114与微控制单元13的第一 I/O端口(relay off)端口电性相连。第三三极管123的发射极接地。
[0072]在一个具体的实施方式中，第七电阻器107阻值为3Ω，第八电阻器108阻值为10K Ω，第九电阻器109阻值为10K Ω，第十电阻器110阻值为5.1K Ω，第^^一电阻器111阻值为10ΚΩ，第十二电阻器112阻值为470 Ω，第十三电阻器113阻值为10ΚΩ，第十四电阻器114阻值为470 Ω。可以理解的是，这些电阻值仅为示例，并不受限制，本领域普通技术人员可以根据具体需要进行调整。
[0073]在图3所示的电路中，要导通核心控制器件11，则微控制单元13可以通过第一 1/0端口(relay off端口)给出为1的持续高电平信号，此时第三三极管123被导通，第一三极管121的基极被拉低，从而第一三极管121被关闭。同时，微控制单元13可通过第二 1/0端口(relay on端口)发出为0的低电平脉冲触发信号，第二二极管122被关闭，晶闸管124的门极电平被拉高，晶闸管124被开启，第一电压源VCC通过继电器线圈、晶闸管124到地形成闭合回路。在麦克斯韦电磁效应的情况下，继电器线圈与磁芯组成电磁铁吸引触点吸合，受控电路模块10被导通。
[0074]若要关闭核心控制器件11，第二 I/O端口由于开启信号是单周期的低电平脉冲触发信号，现已被上拉电阻(第十一电阻器111)拉至高电平，无须再进行其他操作。微控制单元13可通过第一 I/O端口(relay off端口)给出低电平脉冲触发信号(信号长度例如可为200微秒)短暂关闭第三三极管123，从而使得第一三极管121的基极出现一定时间(与低电平脉冲触发信号的长度相同)的高电平，从而开启第一三极管121。第一电压源VCC流经继电器线圈的电流经第一三极管121到地，导致晶闸管的阳极电压变低，流通电流降为0A，从面关闭晶闸管124。由于开启第一三极管121的信号是单周期低电平脉冲触发信号，因此晶闸管124被关闭后，第一三极管121也处于关闭状态。此时继电器的线圈没有电流流通，电磁力消失，继电器断开。相应地，受控电路模块10也被断开。
[0075]以上所述的过程是正常的控制过程，然而在实际情形的一些场景下，例如，微控制单元13正在复位时，微控制单元13的I/O端口可能处于不定状态。也就是说此时，I/O端口的输出既不是上述的relay on端口的持续高电平信号，也不是relay off端口的低电平脉冲触发信号。在此不定状态下，晶闸管124可能处于两种不同的状态。
[0076]状态1，晶闸管124已被导通，也就是说，受控电路模块10处于导通状态，但此时由于上拉电阻(第十三电阻器113)的作用，第三三极管123将维持导通状态，从而导致第一三极管121的基极电平被拉低，第一三极管121处于关闭状态。晶闸管124被导通后已不再受门极控制，也就是说不受微控制单元13的relay on端口控制，因此受控电路模块10不会受到微控制单元13复位时I/O端口处于不定状态的影响。
[0077]状态2，晶闸管124处于关闭状态，此时由于上拉电阻(第^^一电阻器111)的作用，会使得relay on的不定状态上拉至高电平，第二三极管122会被导通，从而拉低晶闸管124的门极电压处于低电平，晶闸管124依然处于关断状态。另一方面，由于上拉电阻(第十三电阻器113)的作用，会使得relay on的不定状态上拉至高电平，第三三极管123将维持导通状态，从而导致第一三极管121的基极电极被拉低，第一三极管121处于关闭状态。因此，继电器线圈内无电流通过，受控电路10会维持原来的开断状态。
[0078]根据本实施例的技术方案，采用晶闸管与继电器供电线圈串联，微控制单元13通过控制晶闸管来开启，通过给三极管组成的关闭来关断，控制电路的电压可保持恒定，适用于供电电压需要保持恒定的系统。
[0079]实施例3
[0080]参阅图5，其为上述的智能设备控制电路100的另一个具体的实施例的电路图。如图5所示，本实施例中，核心控制器件11为一个磁保持继电器(以符号L简化表示)。磁保持继电器的特性是，通电后内部磁化，变为永磁铁，并能根据同极相吸，异极相斥的原理保持全有状态。
[0081]状态保持电路模块12包括用于驱动所述磁保持继电器的驱动电路，其包括第一输入端201与第二输入端202，第一输入端201与第二输入端202分别与微控制单元13的第一 1/0端口 (relay off)与第二 1/0端口 (relay on)电性相连。驱动电路的作用在于:当第一输入端201与第二输入端202出现互异的电平时(即一高一低)，磁保持继电器能闭合和断开，一旦闭合或者断开，不给相反电平的1/0驱动信号，则磁保持继电器的输出保持其上一时刻状态。举例来说，若第一输入端201为0(低电平)，第二输入端202为1 (高电平)时，磁保持继电器打开，则当且仅当第一输入端201为1，第二输入端202为0时，磁保持继电器才会关闭。其他所有的状态，例如第一输入端201为与第二输入端202均为0，或者均为1时，磁保持继电器均会保持上一时刻的状态。
[0082]本实施例的状态保持电路模块12中，微控制单元13的第一 1/0端口与第二 1/0端口还分别通过下拉电阻115、116接地。因此，当微控制单元13处于复位状态时，其1/0端口的输出处于不定状态。而由于下拉电阻115与116的存在，微控制单元13此时的1/0端口处于确定的低电平状态，而根据磁保持继电器的特性，其输出不会发生变化，仍然保持之前的状态。作为下拉电阻的替换方案，也可以在微控制单元13的第一 1/0端口与第二 1/0端口接上拉电阻，如此，当微控制单元13处于复位状态时，其1/0端口就处于确定的高电平状态，根据磁保持继电器的特性，其输出仍然不会发生变化，保持之前的状态。相应地，继电器的输出不变，受控电路模块11也保持之前的状态。
[0083]实施例4
[0084]参阅图6，本实施例中，状态保持电路模块12可由单独的芯片实现，此时控制芯片的I/O端口与核心控制器件11及微控制单元13电性