，表面温度预测模块420可以执行更新操 作从而减小第一缓冲的尺寸。因此，表面温度预测模块420可在时间t4设定尺寸为从tb2 到t4的第二缓冲，并且可理解的是，第二缓冲的尺寸小于第一缓冲的尺寸（时间tb2和t4 之间的间隔比时间tbl和t3之间的间隔短）。如果第三变化小于某一值，表面温度预测模 块420可将第二缓冲的尺寸设定为与第一缓冲的尺寸相同，或可将第二缓冲的尺寸设定为 大于第一缓冲的尺寸。
[0102] 同样地，在第四变化大于或等于某一值的情形中，表面温度预测模块420可以执 行更新操作从而减小第二缓冲的尺寸。因此，表面温度预测模块420可在时间t5设定尺寸 为从tb3到t5的第三缓冲，并且可理解的是，第三缓冲的尺寸小于第二缓冲的尺寸（时间tb3 和t5之间的间隔比时间tb2和t4之间的间隔短）。
[0103] 根据本公开的实施方式，表面温度预测模块420可基于内部温度的变化的等级 (例如，预定值）更新缓冲尺寸。例如，在内部温度的变化小于第一等级的情形中，表面温 度预测模块420可增加缓冲尺寸。在内部温度的变化大于或等于第一等级并且小于第二等 级的情形中，表面温度预测模块420可不改变缓冲尺寸。此外，在内部温度的变化大于或等 于第二等级的情形中，表面温度预测模块420可减小缓冲尺寸。即，内部温度的变化（例如 变化的绝对值）较小的事件可表示内部温度是稳定的，没有大的波动。根据本公开的实施 方式，在该情形中，可以使用包括在具有宽范围的缓冲中的内部温度。相反，内部温度的变 化（例如绝对值）较大的事件可表示内部温度剧烈变化。根据本公开的实施方式，在该情 形中，可将包括在具有窄范围的缓冲内的内部温度预测为表面温度。
[0104] 如果内部温度的变化具有大于或等于第三等级的变化，表面温度预测模块420可 重置缓冲，并只使用对应的内部温度值作为表面温度。
[0105] 参照图4,处理器430可基于表面温度预测模块420预测的表面温度控制电子装置 400的性能的至少一部分。例如，如果预测的表面温度达到某一（例如预定的）温度，则可 执行操作。电子装置400的内部温度可通过控制电子装置400的性能来降低，从而能够降 低待预测的表面温度。根据本公开的实施方式，处理器430可包括至少与图1中所示的处 理器120相同或相似的配置。
[0106] 处理器430可调节CPU或GPU的操作时钟、操作核的数量、电子装置充电电流的等 级、电子装置的屏幕亮度、或帧率（例如每秒的帧数（FPS))中的至少一个。根据本公开的 实施方式，处理器430可根据运行的应用的属性操作。例如，对于在电子装置400上正在运 行游戏的情形，处理器430可控制GPU的操作时钟或操作核的数量。此外，在电子装置400 正在充电的情形中，处理器430可通过电源管理集成电路（PMIC)控制充电电流的等级。
[0107] 根据本公开的实施方式，处理器430可利用至少一个或多个TMU或热敏电阻获取 电子装置400中的部分的温度，并可利用获取的温度值选择待控制的目标。
[0108]CPU或GPU的操作时钟、操作核的数量、电子装置的充电电流的等级、电子装置的 屏幕亮度、或帧率（例如FPS)中的至少一个或多个可被分阶段控制（或分梯级控制）。例 如，可控制CPU或GPU的操作时钟以使得电子装置400的性能以下列渐进方式变化：100% -90% - 80% - 70%，反之亦然。在该情形中，如何控制电子装置400的性能可基于预测 的表面温度的变化来确定。例如，在表面温度预测值的变化小于第一等级的情形中，处理 器430可不改变关于电子装置400性能的梯级（例如，90%);在表面温度预测值大于或等 于第一等级的情形中，处理器430可降低梯级，以使得电子装置400的性能从90 %变化到 80%。如果表面温度预测值的变化大于或等于第二等级（例如大于第一等级），处理器430 可显著降低梯级以使得电子装置400的性能从90%变化到70%。
[0109] 然而，性能可具有最低限制。例如，可由处理器430控制的CPU或GPU的操作时钟 可不被降低到低于"50%"的性能。根据本公开的实施方式，在预测的表面温度大于或等于 第一限制温度的情形中，处理器430可设定电子装置400的性能以不被降低到低于第一等 级（例如，70% )。即，处理器430可分梯级控制电子装置400的性能，并可基于表面温度每 个等级的最低限制来限制电子装置400的性能，从而防止电子装置400的性能被过度降低 到用户不能预测表面温度的程度。
[0110] 在预测的表面温度达到目标温度的情形中，处理器430可恢复至少部分地被限制 的电子装置400的性能。处理器430可基于表面温度的变化分阶段恢复电子装置400的性 能。
[0111] 存储器440可储存数据。存储器440可包括例如与图1中所示的存储器130至少 相同或等价的配置。在该情形中，存储在存储器440中的数据可包括在电子装置400中的部 件之间交换的数据和在电子装置400和电子装置400外部的部件之间交换的数据。例如， 存储器440可存储与测量时间有关的由传感器模块410测量的电子装置400的内部温度。 此外，存储器440可存储控制包括在电子装置400中的部分的性能所需的最低限制。
[0112] 例如，存储器440可以是电子装置400外部或内部的硬盘驱动器、只读存储器 (ROM)、随机存取存储器（RAM)、闪速存储器、存储卡等。
[0113] 可理解的是，传感器模块410、表面温度预测模块420、处理器430、和存储器440互 相独立实现或它们中的两个或更多集成在一起。
[0114] 根据本公开的实施方式，电子装置可包括传感器模块、表面温度预测模块、和处理 器，其中，传感器模块配置为多次测量电子装置的内部温度，表面温度预测模块配置为利用 至少一个测量的内部温度预测电子装置的表面温度，处理器配置为基于预测的表面温度控 制电子装置的性能的至少一部分。
[0115] 根据本公开的实施方式，表面温度预测模块可基于内部温度的变化确定用于预测 表面温度的内部温度的数量。
[0116] 根据本公开的实施方式，表面温度预测模炔基于表面温度执行的操作是基于所确 定数量的内部温度的加权平均值进行的。
[0117] 根据本公开的实施方式，处理器控制电子装置性能的至少一部分的操作可用来调 节CPU或GPU的操作时钟、操作核的数量、电子装置充电电流的等级、电子装置的屏幕亮度、 或帧率（例如每秒的帧数（FPS))中的至少一个。在该情形中，可根据运行在处理器上的应 用的属性执行调节。
[0118] 根据本公开的实施方式，如果预测的表面温度达到某一（例如预定的）温度，可执 行这样一种操作，即处理器控制电子装置性能的至少一部分，并且可基于预测的表面温度 的变化确定如何控制电子装置的性能。
[0119] 根据本公开的实施方式，处理器用来控制电子装置的性能的至少一部分的操作可 表示，如果预测的表面温度达到第一限制温度，则处理器控制电子装置的性能以使电子装 置的性能至少大于或等于第一等级，如果预测的表面温度达到第二限制温度，则处理器控 制电子装置的性能以使电子装置的性能至少大于或等于第二等级。在该情形中，第二限制 温度可大于第一限制温度并且第二等级小于第一等级。
[0120] 根据本公开的实施方式，处理器用来控制电子装置性能的至少一部分的操作可基 于预测的表面温度的变化分阶段执行。
[0121] 根据本公开的实施方式，传感器模块可测量电子装置的内部温度，并且表面温度 预测模块可利用测量的内部温度更新电子装置的表面温度。在该情形中，表面温度预测模 块可基于测量的内部温度和近似测量的内部温度之间的变化更新内部温度测量值的确定 的数量。
[0122] 根据本公开的实施方式，如果内部温度的变化大于或等于某一值，表面温度预测 模块可使用最近测量的表面温度值。
[0123] 根据本公开的实施方式，如果预测的表面温度达到目标温度，处理器可恢复至少 部分地被控制的电子装置的性能。在该情形中，处理器用来恢复电子装置性能的操作可表 示：基于表面温度的变化分阶段恢复电子装置的性能。
[0124] 图6是根据本公开的实施方式的电子装置400预测表面温度的方法的流程图。
[0125] 参照图6,电子装置400预测表面温度的方法可包括图1至图5中所示的根据本公 开实施方式的在电子装置400中以时间连续的方式处理的操作。因此，除非在下文中有说 明，否则上述参照图1至图5对电子装置的描述可应用到图6中所示的根据本公开实施方 式的电子装置400预测表面温度的方法中。
[0126] 在操作610中，电子装置400可测量电子装置400的内部温度。
[0127] 在操作620中，电子装置400可基于在操作610中测量的内部温度和近似测量的 内部温度（例如内部温度的变化）来确定缓冲的尺寸。
[0128] 在操作630中，电子装置400可利用包括在缓冲中的内部温度的值预测电子装置 400的表面温度，其中缓冲的尺寸在操作620中被确定。如上所述，可基于所述内部温度的 变化值选择待用于预测所述表面温度的内部温度测量值的数量，并基于所选择数量的内部 温度测量值的平均值（例如加权平均值）预测电子装置的表面温度。
[0129] 在操作640中，电子装置400可测量电子装置400的内部温度。在本申请的一个 实施方式中，可测量电子装置的另一内部温度，并利用测量的另一内部温度更新电子装置 的表面温度。特别地，如上所述，基于所测量的内部温度和所测量的另一内部温度之间的变 化值更新所确定内部温度测量值的数量。
[0130] 在操作650中，电子装置可基于在操作640测量的内部温度和在操作610中测量 的内部温度更新缓冲的尺寸。
[0131] 在操作660中，电子装置400可利用包括在缓冲中的内部温度的值预测电子装置 400的表面温度，其中缓冲的尺寸在操作650中的被更新（例如内部温度的变化）。
[0132] 参照图6的上述操作610至660的顺序不限于此。即，上述操作的顺序可以改变， 并且它们中的一些操作可同时执行（例如并行）。此外，上述操作周期性地重复，即，在每个 特定时间执行并且可基于用户输入执行。
[0133] 图7是根据本公开的实施方式的电子装置400利用表面温度控制其性能的方法的 流程图。
[0134] 参照图7,电子装置400利用表面温度控制其性能的方法可包括图1至图5中所示 的根据本公开的实施方式的在电子装置400中以时间连续的方式处理的操作。因此，除非 在下文中有说明，否则上述提供的关于图1至图5的电子装置的描述可应用到图7中所示 的根据本公开实施方式的电子装置400预测表面温度的方法中。
[0135] 在操作710中，电子装置400可预测其表面温度。表面温度可通过图6中所示的 流程图预测。
[0136] 在操作720中，电子装置400可确定在操作710中预测的表面温度是否大于或等 于限制温度。如果预测的表面温度小于限制温度，则可终止用于控制电子装置400的性能 的方法。
[0137] 根据本公开的实施方式，限制温度可包括第一限制温度和第二限制温度（例如大 于第一限制温度）。第一限制温度和第二限制温度可具有用于限制性能的最低限制，它们的 最低限制彼此不同。例如，在表面温度大于或等于第一限制温度并且小于第二限制温度的 情形中，可限制电子装置400的性能使其不小于至少70%。在表面温度大于第二限制温度 的情形中，可限制电子装置400的性能使其不小于至少50 %。
[0138] 在操作730中，在预测的表面温度大于或等于限制温度的情形中，电子装置400可 计算预测的表面温度和近似预测