1.一种用于形变感测的透明导电氧化物薄膜，其具有一长度，并在一外力作用下产生一形变量以令使所述透明导电氧化物薄膜之一电阻值变化，其中所述形变量与所述长度间的比值介于5×10-5与3.5×10-4之间，其中所述电阻值的变化率范围为0.01％-3％。
2.如权利要求1所述的用于形变感测的透明导电氧化物薄膜，其特征在于所述透明导电氧化物薄膜为一铟锡氧化物薄膜。
3.如权利要求2所述的用于形变感测的透明导电氧化物薄膜，其特征在于该氧化铟锡薄膜中存在一氧空缺浓度，在制备所述铟锡氧化物薄膜时更通入一气体，以调控所述铟锡氧化物薄膜中的该氧空缺浓度。
4.如权利要求5所述的用于形变感测的透明导电氧化物薄膜，其特征在于通入所述气体令使所述铟锡氧化物薄膜之所述电阻值的变化率上升。
5.如权利要求5所述的用于形变感测的透明导电氧化物薄膜，其特征在于所述气体中具有氧气、氩气以及氢气，且氧气与所述气体之间的体积比值介于0.1％至10％之间。
6.如权利要求5所述的用于形变感测的透明导电氧化物薄膜，其特征在于氧气与所述气体之间的体积比值介于1％至2％之间。
7.如权利要求2所述的用于形变感测的透明导电氧化物薄膜，其特征在于所述铟锡氧化物薄膜之一能带间隙在一压应力作用下增加，以使所述铟锡氧化物薄膜之所述电阻值上升。
8.如权利要求2所述的用于形变感测的透明导电氧化物薄膜，其特征在于所述铟锡氧化物薄膜之一能带间隙在一拉应力作用下减少，以使所述铟锡氧化物薄膜之所述电阻值下降。
9.如权利要求2所述的用于形变感测的透明导电氧化物薄膜，其特征在于所述铟锡氧化物薄膜的电阻值变化率为0.01％-0.5％。
10.一种触控装置，包含：
一显示面板与一透明盖板；以及
一触控感测层夹设于所述显示面板与所述透明盖板之间，所述触控感测层包含：
一透明基板；以及
如权利要求1-8任一项所述的用于形变感测的透明导电氧化物薄膜位于所述透明基板上。