本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方法。
背景技术：
目前在市面上凡是投射式电容触摸屏面板都为GLASS结构，投射式电容触摸屏结构，由顶部GLASS面板+光学胶+底部SENSOR(SENSOR材质可为ITO FILM或ITO GLASS)构成。
由于现有的触摸屏面板的结构一般为基板(如玻璃、PMMA等)再镀上一层抗指纹镀层，使触摸屏具有抗指纹功能，抗指纹镀层让触摸屏更顺滑更容易滑动且不易留下指纹。但是抗指纹膜没有抗刮的功能，所以抗指纹镀层一旦被刮掉以后触屏在使用过程中容易被刮伤，特别是手机和触摸屏电脑，很多使用者都自行买了贴膜来防止屏幕被刮伤，但是贴膜也容易刮花，要不断更换。
技术实现要素：
本发明为解决手机触摸屏易留下指纹的技术问题，提供一种具有抗刮性结构的抗刮抗指纹触摸屏。
一种抗刮抗指纹触摸屏，包括顶部面板、光学胶及底部SENSOR 构成，所述顶部面板为触摸屏的面盖，用于使用者点触的接触面，所述光学胶黏接面顶部面板和底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布线路；所述顶部面板上覆有真空溅镀的二氧化硅膜，所述真空溅镀的二氧化硅膜上覆有真空溅镀的类钻石膜；所述真空溅镀的类钻石膜上覆有真空蒸镀的二氧化硅膜；所述真空蒸镀的二氧化硅膜上覆有真空蒸镀的抗指纹膜。
所述顶部面板为PET面板。
所述底部SENSOR 为PET或者GLASS基材的导线线路板。
所述真空溅镀的二氧化硅膜厚度为1-5 nm。
所述真空溅镀的类钻石膜膜层厚度为1-15 nm。
所述真空蒸镀的抗指纹膜厚度小为1-5 nm。
一种抗刮抗指纹触摸屏的制备方法，包括以下步骤：
一、清洗顶部面板；
二、沉积二氧化硅膜：将顶部面板放置在真空溅射腔体内，该腔体装有平行于顶部面板的硅靶材，关闭镀膜腔体，抽真空到真空度为10-3Pa以下，停止抽真空；用离子束轰击顶部面板材料5～30分钟，然后打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0.5Pa～5Pa，氩气的分压为0.1Pa～5Pa，待气压稳定后，在温度为25℃～200℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完二氧化硅膜后，转移顶部面板进入下一个镀膜腔体；
三、沉积类钻石膜：将经过步骤二处理的顶部面板进入装有类钻石靶材的真空腔体，顶部面板与靶材平行放置，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内，氩气的分压为0.1Pa～5Pa，待气压规显示气压稳定之后，再在温度为25℃～150℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始通电镀膜，氩气离子形成等离子，等离子中的正电子在电场力的作用下轰击DLC靶材，使碳原子脱离，脱离后的碳原子会附着在顶部面板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完类钻石膜后，通入空气，接着取出顶部面板；
四、真空蒸镀法沉积的二氧化硅膜：将经过步骤三处理的顶部面板放置到真空蒸镀机内，该腔体有6个坩埚，分别往其中的两个坩埚加入二氧化硅膜料和抗指纹膜料，打开装有二氧化硅的坩埚，关闭其余坩埚；接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0Pa～0.01Pa，氩气的分压为0.1Pa～5Pa，待气压稳定之后，再在温度为25℃～100℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完二氧化硅膜后，关闭装有二氧化硅的坩埚；
五、真空蒸镀法沉积抗指纹膜：打开装有抗指纹膜料的坩埚，接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内氩气的分压为0.1Pa～5Pa，待气压稳定之后，再在温度为25℃～100℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完抗指纹膜后，通入空气，打开镀膜腔，取出顶部面板；
六、所述顶部面板为触摸屏的面盖，用于使用者点触的接触面，光学胶黏接顶部面板和底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布线路。
本发明克服了现有触摸屏技术不具抗刮性的不足，提供了一种具有抗刮性的结构及其制备方法。该结构具有良好的透过性，不影响手机触摸屏的光学性能且具有良好的抗刮性能。本发明主要采用类钻石靶材(diamond-likecarbon)，此材料在沉积成薄膜时其碳原子的SP3杂化程度大于70％，故具有很高的硬度具有抗刮性能。在此制程中，当DLC大于5nm时，触摸屏的抗刮行性能是现在触摸屏技术的3倍及以上，随着DLC厚度的增加其抗刮性能增加。
本发明抗刮抗指纹触摸屏的制备方法制备过程简单，可制成抗刮性能良好的触摸屏，尤其，采用真空磁控溅射法制得的DLC多晶薄膜材料具有很高的透过性和良好的抗刮性能，该膜层对基板光学改变穿透率改变量小于1％，对L值改变量小于1％，a*值的改变量小于0.05，b*值的该变量小于0.1。在相同条件下本专利中的强化玻璃基板镀上本专利膜层结构以后的触摸屏可耐刮3000次及以上，耐磨3000次后水滴角大于108°。现有产品只镀抗指纹膜的强化玻璃耐刮次数约1000左右，耐磨3000次后水滴角大于100°，此方法极大改善了触屏的抗刮性能，相比手机保护贴膜此抗刮膜的成本更低且无须更换。且该抗刮抗指纹膜层制程简单，可用于工业生产。
由于采用了上述技术方案，一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方法，依次包括触摸屏的基板，所述基板材料上覆有真空溅镀的二氧化硅膜；所述真空溅镀的二氧化硅膜上覆有真空溅镀的类钻石膜；所述真空溅镀的类钻石膜上覆有真空蒸镀的二氧化硅膜；所述真空蒸镀的二氧化硅膜上覆有真空蒸镀的抗指纹膜，制备过程简单，可制成抗刮性能良好的触摸屏，尤其，采用真空磁控溅射法制得的DLC多晶薄膜材料具有很高的透过性和良好的抗刮性能。
具体实施方式
本发明技术方案不局限于以下所列举具体实施方式，还包括各具体实施方式间的任意组合。
具体实施方式一：本实施方式一种抗刮抗指纹触摸屏包括顶部面板、光学胶及底部SENSOR 构成，所述顶部面板为触摸屏的面盖，用于使用者点触的接触面，所述光学胶黏接面顶部面板和底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布线路；所述顶部面板上覆有真空溅镀的二氧化硅膜，所述真空溅镀的二氧化硅膜上覆有真空溅镀的类钻石膜；所述真空溅镀的类钻石膜上覆有真空蒸镀的二氧化硅膜；所述真空蒸镀的二氧化硅膜上覆有真空蒸镀的抗指纹膜。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是所述顶部面板为PET面板。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二之一不同的是所述底部SENSOR 为PET或者GLASS基材的导线线路板。其它与具体实施方式一或二之一相同。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是所述真空溅镀的二氧化硅膜厚度为1-5 nm。其它与具体实施方式一至三之一相同。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是所述真空溅镀的类钻石膜膜层厚度为1-15 nm。其它与具体实施方式一至四之一相同。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是所述真空蒸镀的抗指纹膜厚度小为1-5 nm。其它与具体实施方式一至五之一相同。
具体实施方式七：具体实施方式一所述一种抗刮抗指纹触摸屏的制备方法，包括以下步骤：
一、清洗顶部面板；
二、沉积二氧化硅膜：将顶部面板放置在真空溅射腔体内，该腔体装有平行于顶部面板的硅靶材，关闭镀膜腔体，抽真空到真空度为10-3Pa以下，停止抽真空；用离子束轰击顶部面板材料5～30分钟，然后打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0.5Pa～5Pa，氩气的分压为0.1Pa～5Pa，待气压稳定后，在温度为25℃～200℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完二氧化硅膜后，转移顶部面板进入下一个镀膜腔体；
三、沉积类钻石膜：将经过步骤二处理的顶部面板进入装有类钻石靶材的真空腔体，顶部面板与靶材平行放置，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内，氩气的分压为0.1Pa～5Pa，待气压规显示气压稳定之后，再在温度为25℃～150℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始通电镀膜，氩气离子形成等离子，等离子中的正电子在电场力的作用下轰击DLC靶材，使碳原子脱离，脱离后的碳原子会附着在顶部面板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完类钻石膜后，通入空气，接着取出顶部面板；
四、真空蒸镀法沉积的二氧化硅膜：将经过步骤三处理的顶部面板放置到真空蒸镀机内，该腔体有6个坩埚，分别往其中的两个坩埚加入二氧化硅膜料和抗指纹膜料，打开装有二氧化硅的坩埚，关闭其余坩埚；接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0Pa～0.01Pa，氩气的分压为0.1Pa～5Pa，待气压稳定之后，再在温度为25℃～100℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完二氧化硅膜后，关闭装有二氧化硅的坩埚；
五、真空蒸镀法沉积抗指纹膜：打开装有抗指纹膜料的坩埚，接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内氩气的分压为0.1Pa～5Pa，待气压稳定之后，再在温度为25℃～100℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完抗指纹膜后，通入空气，打开镀膜腔，取出顶部面板；
六、所述顶部面板为触摸屏的面盖，用于使用者点触的接触面，光学胶黏接顶部面板和底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布线路。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式七不同的是所述真空蒸镀的二氧化硅膜料纯度为99.9％。其它与具体实施方式七相同。
采用下述实验验证本发明效果：
实验一： 一种抗刮抗指纹触摸屏的制备方法，包括以下步骤：
一、清洗顶部面板；
二、沉积二氧化硅膜：将顶部面板放置在真空溅射腔体内，该腔体装有平行于顶部面板的硅靶材，关闭镀膜腔体，抽真空到真空度为10-3Pa以下，停止抽真空；用离子束轰击顶部面板材料5分钟，然后打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0.5Pa，氩气的分压为0.1Pa，待气压稳定后，在温度为25℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s；镀完二氧化硅膜后，转移顶部面板进入下一个镀膜腔体；
三、沉积类钻石膜：将经过步骤二处理的顶部面板进入装有类钻石靶材的真空腔体，顶部面板与靶材平行放置，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内，氩气的分压为0.1Pa，待气压规显示气压稳定之后，再在温度为25℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始通电镀膜，氩气离子形成等离子，等离子中的正电子在电场力的作用下轰击DLC靶材，使碳原子脱离，脱离后的碳原子会附着在顶部面板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s；镀完类钻石膜后，通入空气，接着取出顶部面板；
四、真空蒸镀法沉积的二氧化硅膜：将经过步骤三处理的顶部面板放置到真空蒸镀机内，该腔体有6个坩埚，分别往其中的两个坩埚加入二氧化硅膜料和抗指纹膜料，打开装有二氧化硅的坩埚，关闭其余坩埚；接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0Pa，氩气的分压为0.1Pa，待气压稳定之后，再在温度为25℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完二氧化硅膜后，关闭装有二氧化硅的坩埚；
五、真空蒸镀法沉积抗指纹膜：打开装有抗指纹膜料的坩埚，接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内氩气的分压为0.1Pa，待气压稳定之后，再在温度为25℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s；镀完抗指纹膜后，通入空气，打开镀膜腔，取出顶部面板；
六、所述顶部面板为触摸屏的面盖，用于使用者点触的接触面，光学胶黏接顶部面板和底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布线路。
实验二： 一种抗刮抗指纹触摸屏的制备方法，包括以下步骤：
一、清洗顶部面板；
二、沉积二氧化硅膜：将顶部面板放置在真空溅射腔体内，该腔体装有平行于顶部面板的硅靶材，关闭镀膜腔体，抽真空到真空度为10-3Pa以下，停止抽真空；用离子束轰击顶部面板材料30分钟，然后打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为5Pa，氩气的分压为5Pa，待气压稳定后，在温度为200℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为5nm/s；镀完二氧化硅膜后，转移顶部面板进入下一个镀膜腔体；
三、沉积类钻石膜：将经过步骤二处理的顶部面板进入装有类钻石靶材的真空腔体，顶部面板与靶材平行放置，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内，氩气的分压为5Pa，待气压规显示气压稳定之后，再在温度为150℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始通电镀膜，氩气离子形成等离子，等离子中的正电子在电场力的作用下轰击DLC靶材，使碳原子脱离，脱离后的碳原子会附着在顶部面板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完类钻石膜后，通入空气，接着取出顶部面板；
四、真空蒸镀法沉积的二氧化硅膜：将经过步骤三处理的顶部面板放置到真空蒸镀机内，该腔体有6个坩埚，分别往其中的两个坩埚加入二氧化硅膜料和抗指纹膜料，打开装有二氧化硅的坩埚，关闭其余坩埚；接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0.01Pa，氩气的分压为5Pa，待气压稳定之后，再在温度为100℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为5nm/s；镀完二氧化硅膜后，关闭装有二氧化硅的坩埚；
五、真空蒸镀法沉积抗指纹膜：打开装有抗指纹膜料的坩埚，接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内氩气的分压为5Pa，待气压稳定之后，再在温度为100℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为5nm/s；镀完抗指纹膜后，通入空气，打开镀膜腔，取出顶部面板；
六、所述顶部面板为触摸屏的面盖，用于使用者点触的接触面，光学胶黏接顶部面板和底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布线路。