本实用新型涉及触控技术领域,尤其涉及一种触摸显示屏及显示装置。
背景技术:
投射电容式触摸显示屏除了操作简单、方便、自然,还具有高穿透性、耐久性、防水防尘等优点,因此,广泛应用于公共信息查询、领导办公、工业控制、军事指挥、电子游戏等领域。
按照检测原理,投射电容式触摸显示屏可以分为:自电容屏和互电容屏两种类型。自电容屏中的触控电极通常是按照行和列来布置的,通过扫描行和列,根据测得的电容确定手指的触摸位置;互电容屏中,感应电极与驱动电极垂直设置,感应电极的一行(或一列)与驱动电极的一列(或一行)共同作用,得到二者相交处的电容,从而确定触摸位置。
相较于互电容屏,自电容屏的触控容易受容值均一性的影响。
技术实现要素:
本实用新型的实施例提供一种触摸显示屏及显示装置,可以提高自电容屏的容值均一性。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供一种触摸显示屏,包括间隔设置的多个块状触控电极,还包括导电的屏蔽层,所述屏蔽层与所述触控电极绝缘;所述屏蔽层在所述触摸显示屏中衬底基板上的正投影至少位于所述触控电极在所述衬底基板上的正投影的空隙。
可选的,所述屏蔽层的材料为透明导电材料。
可选的,所述屏蔽层的材料为不透明导电材料;所述触摸显示屏还包括黑矩阵;所述屏蔽层在所述衬底基板上的正投影与所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影重叠。
优选的,所述触摸显示屏包括阵列基板和对盒基板;所述触控电极设置在所述阵列基板或所述对盒基板上。
可选的,所述屏蔽层设置在所述对盒基板远离所述阵列基板的一侧;所述屏蔽层在所述衬底基板上的正投影位于所述触控电极在所述衬底基板上的正投影的空隙。
可选的,所述屏蔽层设置在所述阵列基板远离所述对盒基板的一侧;所述屏蔽层在所述衬底基板上的正投影位于所述触控电极在所述衬底基板上的正投影的空隙;或者,所述屏蔽层平铺一层设置。
可选的,所述屏蔽层设置在所述阵列基板中;所述屏蔽层在所述衬底基板上的正投影位于所述触控电极在所述衬底基板上的正投影的空隙。
可选的,所述屏蔽层设置在所述对盒基板中;所述屏蔽层在所述衬底基板上的正投影位于所述触控电极在所述衬底基板上的正投影的空隙。
另一方面,提供一种显示装置,包括上述的触摸显示屏、以及电路板;屏蔽层与所述电路板上的控制电路连接;所述控制电路用于在显示阶段,控制所述屏蔽层接地;在触控阶段,向所述屏蔽层施加控制信号,以屏蔽除触控信号外的干扰信号。
优选的,在触控阶段,所述控制电路向所述屏蔽层施加与所述触控信号相同的控制信号。
本实用新型实施例提供一种触摸显示屏及显示装置,通过在触摸显示屏中设置屏蔽层,并根据屏蔽层相对触控电极的设置位置,使屏蔽层在所述触摸显示屏中衬底基板上的正投影至少位于触控电极在所述衬底基板上的正投影的空隙,可以避免屏蔽层对触控功能的影响,在此基础上,通过在触控阶段,向屏蔽层施加信号,可使屏蔽层屏蔽由于阵列基板上的电路走线、触摸显示屏结构设置等造成的内部信号干扰,或屏蔽外部信号干扰,因而可提高触摸显示屏的容值均一性,提高触控精度。在此基础上,通过在显示阶段,控制屏蔽层接地,还可提高所述触摸显示屏的抗静电能力。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的一种触摸显示屏的俯视示意图一;
图2为本实用新型实施例提供的一种触摸显示屏的俯视示意图二;
图3为本实用新型实施例提供的一种触摸显示屏的剖视示意图一;
图4为本实用新型实施例提供的一种触摸显示屏的剖视示意图二;
图5为本实用新型实施例提供的一种触摸显示屏的剖视示意图三;
图6为本实用新型实施例提供的一种触摸显示屏的剖视示意图四;
图7(a)为本实用新型实施例提供的一种触摸显示屏的剖视示意图五;
图7(b)为本实用新型实施例提供的一种触摸显示屏的剖视示意图六;
图8为本实用新型实施例提供的一种触摸显示屏的剖视示意图七;
图9为本实用新型实施例提供的一种触摸显示屏的剖视示意图八;
图10为本实用新型实施例提供的一种触摸显示屏的剖视示意图九。
附图标记:
01-阵列基板;02-对盒基板;10-触控电极;20-屏蔽层;201-第一屏蔽层;202-第二屏蔽层。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型实施例提供一种触摸显示屏,如图1和图2所示,包括间隔设置的多个块状触控电极10,还包括导电的屏蔽层20,屏蔽层20与触控电极10绝缘;屏蔽层20在触摸显示屏中衬底基板上的正投影至少位于触控电极10在所述衬底基板上的正投影的空隙。
需要说明的是,第一,不对屏蔽层20与触控电极10的相对位置进行限定,屏蔽层20可以位于触控电极10的上方或下方,屏蔽层20也可以与触控电极10同层设置。
第二,触摸显示屏包括显示面板,显示面板中至少包括一个衬底基板。当触摸显示屏中具有一个以上的衬底基板时,可仅选择一个衬底基板作为触控电极10和屏蔽层20的正投影参考。
其中,衬底基板例如可以为玻璃基板。
第三,本领域技术人员应该明白,由于触摸显示屏是通过手指与触控电极10之间的电容来确定触摸位置,当屏蔽层20位于触控电极10的上方,即屏蔽层20位于触控电极10的触控面一侧时,若屏蔽层20覆盖触控电极10,则会导致触控电极10无法进行触控位置的识别,因此屏蔽层20在所述衬底基板上的正投影应位于触控电极10在所述衬底基板上的正投影的空隙。
当屏蔽层20位于触控电极10的下方时,屏蔽层20即使覆盖触控电极10,也不会影响触控电极10对触控位置的识别,因此,屏蔽层20在所述衬底基板上的正投影除位于触控电极10在所述衬底基板上的正投影的空隙,还可覆盖触控电极10,即屏蔽层20在所述衬底基板上的正投影至少位于触控电极10在所述衬底基板上的正投影的空隙。
第四,当屏蔽层20在所述衬底基板上的正投影位于触控电极10在所述衬底基板上的正投影的空隙时,如图1所示,屏蔽层20可以与触控电极10无重叠;当然,如图2所示,屏蔽层20也可以与触控电极10有部分重叠,在此情况下,基于屏蔽层20的宽度,且为了不影响触控,二者重叠的宽度应小于50μm。
当然,当屏蔽层20与触控电极10同层设置时,为了保证二者的绝缘,屏蔽层20可以与触控电极10无重叠。
本实用新型实施例提供一种触摸显示屏,通过在触摸显示屏中设置屏蔽层20,并根据屏蔽层20相对触控电极10的设置位置,使屏蔽层20在所述触摸显示屏中衬底基板上的正投影至少位于触控电极10在所述衬底基板上的正投影的空隙,可以避免屏蔽层20对触控功能的影响,在此基础上,通过在触控阶段,向屏蔽层20施加信号,可使屏蔽层20屏蔽由于阵列基板上的电路走线、触摸显示屏结构设置等造成的内部信号干扰,或屏蔽外部信号干扰,因而可提高触摸显示屏的容值均一性,提高触控精度。在此基础上,通过在显示阶段,控制屏蔽层20接地,还可提高所述触摸显示屏的抗静电能力。
可选的,所述屏蔽层20的材料为透明导电材料。
其中,透明导电材料例如可以为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锡(IZO)等。
这样,可不必考虑屏蔽层20是否会遮挡触摸显示屏发出的用于显示的光,因而也不会影响开口率。
可选的,屏蔽层20的材料为不透明导电材料;在此情况下,触摸显示屏还包括黑矩阵;所述屏蔽层20在所述衬底基板上的正投影与所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影重叠。
其中,不透明导电材料例如可以为钼(Mo)、钼合金、铝(Al)、铝合金、铜(Cu)等。
本实用新型实施例通过将不透光的屏蔽层20与黑矩阵对应,可避免对开口率的影响。
可选的,如图3、图4和图5所示,触摸显示屏包括阵列基板01和对盒基板02;触控电极10设置在阵列基板01或对盒基板02上。
其中,如图3所示,触控电极10可以以in cell touch(内嵌式触控)设置在阵列基板01的面向对盒基板02的一侧,也可以如图4所示,设置在对盒基板02的面向阵列基板01的一侧。当然,如图5所示,触控电极10也可以以on cell touch(表面式触控)设置在对盒基板02的远离阵列基板01的一侧,即,触控电极10设置在对盒基板02和上偏光片之间。
阵列基板01可以包括薄膜晶体管,以及与薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极,进一步的还可以包括公共电极。对盒基板02可以包括黑矩阵和彩色滤光层。其中,公共电极可以设置在阵列基板01上,也可以设置在对盒基板02上;彩色滤光层可以设置在对盒基板02上,也可以设置在阵列基板01上。
需要说明的是,本实用新型实施例不对屏蔽层20的设置位置进行限定,只要屏蔽层20不影响触控电极10对触控位置的识别即可。
此外,由于阵列基板01和对盒基板02均包括衬底基板,因此可以其中一个衬底基板作为触控电极10和屏蔽层20的正投影参考。
本实用新型实施例中,将触控电极10和显示面板整合在一起,使触摸显示屏更加轻薄。
可选的,如图6所示,屏蔽层20设置在对盒基板02远离阵列基板01的一侧;屏蔽层20在所述衬底基板上的正投影位于触控电极10在所述衬底基板上的正投影的空隙。
需要说明的是,图6中的触控电极10的设置位置仅为示意。当屏蔽层20与触控电极10都设置在对盒基板02远离阵列基板01的一侧时,屏蔽层20与触控电极10可以位于同一层,也可以位于不同层。
本实用新型实施例通过将屏蔽层20设置在对盒基板02远离阵列基板01的一侧,一方面,可使制备形成屏蔽层20的工艺更为简单,另一方面,当屏蔽层20位于触控电极10上方时,屏蔽层20可通过屏蔽外部信号干扰例如辐射电场对触摸显示屏的影响,来提高容值均一性;当屏蔽层20位于触控电极10下方时,屏蔽层20可通过屏蔽阵列基板01上的电路走线、触摸显示屏结构设置等造成的内部干扰信号,来提高容值均一性。
可选的,屏蔽层20设置在阵列基板01远离对盒基板02的一侧;如图7(a)所示,屏蔽层20在所述衬底基板上的正投影位于触控电极10在所述衬底基板上的正投影的空隙;或者,如图7(b)所示,屏蔽层20平铺一层设置。
本实用新型实施例通过将屏蔽层20设置在阵列基板01远离对盒基板02的一侧,一方面,可使制备形成屏蔽层20的工艺更为简单,另一方面,屏蔽层20可通过屏蔽外部信号干扰例如辐射电场对触摸显示屏的影响,来提高容值均一性。其中,将屏蔽层20平铺一层设置,可以进一步简化工艺。
可选的,如图8所示,屏蔽层20设置在阵列基板01中;屏蔽层20在所述衬底基板上的正投影位于触控电极10在所述衬底基板上的正投影的空隙。
或者,可选的,如图9所示,屏蔽层20设置在对盒基板02中;屏蔽层20在所述衬底基板上的正投影位于触控电极10在所述衬底基板上的正投影的空隙。
需要说明的是,图8和图9中的触控电极10的设置位置仅为示意。当屏蔽层20与触控电极10都设置在阵列基板01中,或者屏蔽层20与触控电极10都设置在对盒基板02中时,屏蔽层20与触控电极10可以位于同一层,也可以位于不同层。
本实用新型实施例通过将屏蔽层20设置在阵列基板01或对盒基板02中,可以起到屏蔽阵列基板01上的电路走线、触摸显示屏结构设置等造成的内部干扰信号的作用,从而提高容值均一性。
可选的,如图10所示,屏蔽层20包括第一屏蔽层201和第二屏蔽层202,第一屏蔽层201与第二屏蔽层202分别位于阵列基板01和对盒基板02中。
此处,第一屏蔽层201与第二屏蔽层202可通过含有导电金球的封胶框或导电银浆电连接。
本实用新型实施例还提供一种显示装置,包括上述的触摸显示屏、以及电路板;屏蔽层20与电路板上的控制电路连接;所述控制电路用于在显示阶段,控制屏蔽层20接地;在触控阶段,向屏蔽层20施加控制信号,以屏蔽除触控信号外的干扰信号。
此处,电路板可以是柔性线路板(Flexible Printed Circuit,简称FPC)。其中,电路板通过绑定(bonding)工艺压合至阵列基板01中。
需要说明的是,当屏蔽层20的设置位置不同时,屏蔽层20与电路板上的控制电路连接方式不同,例如可分为以下几种情况:
第一,当屏蔽层20设置在阵列基板01中时,由于电路板本身需与阵列基板01进行绑定,因而,可通过阵列基板01中的走线与电路板的控制电路连接。
第二,当屏蔽层20设置在对盒基板02中时,屏蔽层20可以通过导电银浆与电路板上的控制电路连接。
第三,当屏蔽层20设置在对盒基板02远离阵列基板01的一侧时,屏蔽层20可以通过金属中壳中使用的导电胶,例如导电黑胶,或者通过导电银浆与电路板上的控制电路连接。
第四,当屏蔽层20设置在阵列基板01远离对盒基板02的一侧时,屏蔽层20可以通过金属中壳中使用的导电胶,例如导电黑胶,与电路板连接上的控制电路。
第五,当第一屏蔽层201与第二屏蔽层202分别位于阵列基板01和对盒基板02中时,可通过阵列基板01中的走线使第一屏蔽层201与电路板的控制电路连接,也可以通过导电银浆使第二屏蔽层202与电路板上的控制电路连接,其中,通过第一屏蔽层201与电路板上的控制电路连接,制作工艺较简单,因此,优选阵列基板01中的走线通过第一屏蔽层201与电路板的控制电路连接。
本实用新型实施例提供一种显示装置,通过在触摸显示屏中设置屏蔽层20,并根据屏蔽层20相对触控电极10的设置位置,使屏蔽层20在所述触摸显示屏中衬底基板上的正投影至少位于触控电极10在所述衬底基板上的正投影的空隙,可以避免屏蔽层20对触控功能的影响,在此基础上,通过将屏蔽层20与电路板中的控制电路连接,在触控阶段,控制电路向屏蔽层20施加信号,可使屏蔽层20屏蔽由于阵列基板01上的电路走线、触摸显示屏结构设置等造成的内部信号干扰,或屏蔽外部信号干扰,因而可提高触摸显示屏的容值均一性,提高触控精度。在此基础上,通过在显示阶段,控制电路控制屏蔽层20接地,还可提高所述触摸显示屏的抗静电能力。
优选的,在触控阶段,所述控制电路向屏蔽层20施加与所述触控信号相同的控制信号。
本实用新型实施例中,在触控阶段,控制电路通过向屏蔽层20施加与所述触控信号相同的控制信号,使屏蔽层20起到屏蔽信号干扰的作用,提高了显示装置的容值均一性,从而可以更精确地确定出手指的位置,提高显示装置的触控性能。
以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。