本实用新型涉及一种驱动电路，具体是一种适用于计算机的电平驱动电路。
背景技术：
单片机是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能(可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路)集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统。使用单片机输出高低电平进行工业控制，是现代常用的控制手段，很多时候需要对单片机IO口输出端的高低电平进行变换，即高电平变为低电平，低电平变为高电平。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种适用于计算机的电平驱动电路，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种适用于计算机的电平驱动电路，包括电阻R1、电容C、电容C1、三极管VT1、电位器RP1、二极管VD1和二极管VD2，所述电阻R1一端分别连接电容C1、电感L1、接地电容C3和电阻R3，电阻R3另一端分别连接电源VCC和电阻R4，电阻R4另一端分别连接电容C6、输出端Vo和二极管VD2正极，二极管VD2负极分别连接二极管VD1负极和电位器RP1，电位器RP1另一端分别连接电位器RP1滑片和电容C5，电容C5另一端分别连接电容C4、电感L2和三极管VT1发射极，电容C4另一端分别连接电感L1另一端、输入端Vi、电容C1另一端和三极管VT1集电极，三极管VT1基极分别连接电容C、电阻R1另一端和电阻R2，电阻R2另一端分别连接电容C另一端、电感L2另一端、二极管VD1正极和电容C6另一端并极地。所述电容C1与电感L1构成并联谐振电路，电感L2和三极管VT1为共基接法，电容C4是反馈电容，电容C5是耦合电容，电阻R3与电容C3形成去耦电路，电阻R1和电阻R2是偏置电阻，与电容C2形成选频网络，而二极管VD1与二极管VD2构成检波电路，C6是检波电容。
作为本实用新型进一步的方案：所述输入端Vi连接单片机控制IO口。
作为本实用新型再进一步的方案：所述电源VCC电压为5V。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型电路设置在单片机控制IO口上，能有效将高电平转换为低电平输出，同时也能够将低电平转换为高电平输出，满足开发人员的需求。
附图说明
图1为适用于计算机的电平驱动电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，本实用新型实施例中，一种适用于计算机的电平驱动电路，包括电阻R1、电容C、电容C1、三极管VT1、电位器RP1、二极管VD1和二极管VD2，所述电阻R1一端分别连接电容C1、电感L1、接地电容C3和电阻R3，电阻R3另一端分别连接电源VCC和电阻R4，电阻R4另一端分别连接电容C6、输出端Vo和二极管VD2正极，二极管VD2负极分别连接二极管VD1负极和电位器RP1，电位器RP1另一端分别连接电位器RP1滑片和电容C5，电容C5另一端分别连接电容C4、电感L2和三极管VT1发射极，电容C4另一端分别连接电感L1另一端、输入端Vi、电容C1另一端和三极管VT1集电极，三极管VT1基极分别连接电容C、电阻R1另一端和电阻R2，电阻R2另一端分别连接电容C另一端、电感L2另一端、二极管VD1正极和电容C6另一端并极地；所述输入端Vi连接单片机控制IO口；所述电源VCC电压为5V。
请参阅图1，电容C1与电感L1构成并联谐振电路，电感L2和三极管VT1为共基接法，电容C4是反馈电容，电容C5是耦合电容，电阻R3与电容C3形成去耦电路，电阻R1和电阻R2是偏置电阻，与电容C2形成选频网络，二极管VD1与二极管VD2构成检波电路，电容C6是检波电容，当输入端Vi输入高电平时，电容C4充电，与电感L2形成振荡器的振荡条件遭到破坏，从而减弱振荡，经二极管VD1、二极管VD2检波后，输出端Vo输出低电平；当输入端Vi输入低电平的工作状态与上述状态正好相反，振荡器正常振荡，输出端Vo输出高电平。
综上所述，本实用新型电路设置在单片机控制IO口上，能有效将高电平转换为低电平输出，同时也能够将低电平转换为高电平输出，满足开发人员的需求。