触控电极结构及其制作方法与流程

文档序号:12462015阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种触控电极结构的制作方法,包括:

在纳米银墨水中制作诱导柱,所诱导柱为两两一组的双诱导柱阵列结构;

将包含所述诱导柱的纳米银墨水横向打印在基板上形成横向电极;

在所述横向电极上打印形成介电层;

将包含所述诱导柱的纳米银墨水纵向打印在所述介电层和所述横向电极上形成纵向电极。

2.一种触控电极结构的制作方法,包括:

在基板上制作诱导柱,所述诱导柱为两两一组的双诱导柱阵列结构;

将纳米银墨水横向打印在基板上,所述纳米银墨水由所述诱导柱诱导形成横向电极;

在所述横向电极上打印形成介电层;

将所述纳米银墨水纵向打印在所述介电层和所述横向电极上,所述纳米银墨水由所述诱导柱诱导形成纵向电极。

3.如权利要求1或2所述的触控电极结构的制作方法,其中所述制作两两一组的双诱导柱阵列结构包括将一组之内的两个诱导柱之间的距离制作成在5-10μm之间。

4.如权利要求1或2所述的触控电极结构的制作方法,其中所述制作两两一组的双诱导柱阵列结构包括将一组之内的两个诱导柱之间的距离制作成不大于所述纳米银墨水的墨滴直径的两倍。

5.如权利要求1或2所述的触控电极结构的制作方法,其中所述制作两两一组的双诱导柱阵列结构包括使得将一组之内的两个诱导柱制作成结构相同,并且每个所述诱导柱包括在其高度方向上从下至上的第一结构和第二结构,所述第二结构的高度和横截面积大于所述第一结构的高度和横截面积,所述第一结构为亲水结构并且所第二结构为疏水结构,或者所述第一结构为疏水结构并且所述第一结构为亲水结构。

6.如权利要求1或2所述的触控电极结构的制作方法,包括打印所述横向电极层、所述介电层和所述纵向电极层之后一并进行干燥。

7.如权利要求1或2所述的触控电极结构的制作方法,所述在所述横向电极上打印形成介电层包括在所述横向电极上打印形成界面性质与打印形成所述横向电极的纳米银墨水相匹配的介电层,并且在打印形成所述横向电极的纳米银墨水中的双诱导柱处打印以形成介电层。

8.一种触控电极结构,包括:

基板;

横向电极,形成在所述基板之上,所述横向电极是由纳米银墨水在诱导柱的作用下而形成,所述诱导柱包括两两一组的双诱导柱阵列结构;

介电层,形成在所述横向电极之上,并且所述介电层由与所述纳米银墨水的界面性质相同的材料形成;

纵向电极层,形成在所述介电层和所述横向电极之上,所述纵向电极由与形成所述横向电极的纳米银墨水相同的纳米银墨水在所述诱导柱的作用下而形成。

9.如权利要求8所述的触控电极结构,其中所述双诱导柱阵列结构中一组之内的两个诱导柱之间的距离在5-10μm之间。

10.如权利要求8所述的触控电极结构,其中所述双诱导柱阵列结构中一组之内的两个诱导柱的结构相同,并且每个所述诱导柱包括在其高度方向上从下至上的第一结构和第二结构,所述第二结构的高度和横截面积大于所述第一结构的高度和横截面积,所述第一结构为亲水结构并且所第二结构为疏水结构,或者所述第一结构为疏水结构并且所述第一结构为亲水结构。

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