技术特征：
1.一种晶圆缺陷分析方法，其特征在于，包括：获取半导体制程工艺中每片晶圆的批次信息以及缺陷信息，所述缺陷信息包括热点缺陷信息；设定热点缺陷特征，从所述热点缺陷信息中筛选出与热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息；根据所述批次信息，追踪与所述热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息所对应的第一片晶圆，确定缺陷源。2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，所述热点缺陷信息包括晶圆表面热点的横纵坐标。3.根据权利要求2所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，各所述晶圆的批次信息包括各所述晶圆对应的晶圆卡盘信息，从所述热点缺陷信息中筛选出与热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息包括：根据所述晶圆卡盘信息，筛选出与同一晶圆卡盘相对应的热点缺陷信息；在所述对应于同一晶圆卡盘的热点缺陷信息中筛选具有相同横纵坐标的热点缺陷信息；若具有相同横纵坐标热点缺陷信息连续出现次数超过设定数量，则判定所述热点缺陷信息的热点缺陷特征为晶圆卡盘缺陷，筛选出与所述晶圆卡盘缺陷相关联的目标热点缺陷信息。4.根据权利要求1所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，各所述晶圆的批次信息包括工艺膜层信息或产品信息。5.根据权利要求4所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，所述晶圆缺陷分析方法还包括：根据所述目标热点缺陷信息对所述缺陷源进行分类，并根据各所述晶圆的工艺膜层信息或产品信息制作相应的缺陷源分布图。6.根据权利要求2所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，所述目标热点缺陷信息还包括晶圆表面热点相对于晶圆表面的高度。7.一种晶圆缺陷分析系统，其特征在于，所述系统包括：信息获取模块，用于获取半导体制程工艺中每片晶圆的批次信息以及缺陷信息，所述缺陷信息包括热点缺陷信息；目标缺陷信息筛选模块，用于根据设定热点缺陷特征，从所述热点缺陷信息中筛选出与热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息；晶圆追踪模块，用于根据所述批次信息，追踪与所述热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息所对应的第一片晶圆，确定缺陷源。8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述系统还包括：缺陷源分类模块，用于根据所述目标热点缺陷信息对所述缺陷源进行分类，并根据各所述晶圆的批次信息制作相应的缺陷源分布图。9.一种电子设备，其特征在于，包括：一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实
现如权利要求1～6中任一所述的晶圆缺陷分析方法。10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如权利要求1～6中任一所述的晶圆缺陷分析方法。
技术总结
本发明公开了一种晶圆缺陷分析方法、系统、设备和介质。该晶圆缺陷分析方法包括获取半导体制程工艺中每片晶圆的批次信息以及缺陷信息，缺陷信息包括热点缺陷信息；设定热点缺陷特征，从热点缺陷信息中筛选出与热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息；根据批次信息，追踪与热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息所对应的第一片晶圆，确定缺陷源。在本发明实施例中，通过在半导体制程工艺中获取晶圆的批次信息以及热点缺陷信息，并根据热点缺陷特征筛选出目标热点缺陷信息，最后追踪目标热点缺陷信息所对应的第一片晶圆，确定缺陷源，提高了晶圆缺陷溯源的准确性。提高了晶圆缺陷溯源的准确性。提高了晶圆缺陷溯源的准确性。
技术研发人员：蔡孟勳
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2020.06.08
技术公布日：2021/12/23