触控结构和触控显示面板的制作方法

本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种触控结构和触控显示面板。

背景技术：

随着显示技术的飞速发展，触控技术已经应用到各种电子设备中。按照工作原理，电子设备的触控屏可以分为：电容式、电阻式、红外线式、表面声波式、电磁式、振波感应式以及光学感应式等。其中，电容式触控屏具有高灵敏度、长寿命、高透光率等优点，广泛应用于各种显示面板中。

为了实现更大的屏占比，一些显示面板采用屏内挖孔技术，即在有效显示区内设置用于放置前置摄像头等硬件的挖孔区域。但是，对于集成触控技术的显示面板来说，挖孔区域破坏了触控性能的均一性，降低了触控性能。

技术实现要素：

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供一种触控结构和触控显示面板，以解决现有结构存在触控性能均一性较差的问题。

一方面，本公开提供了一种触控结构，包括第一区域和第二区域，所述第一区域中的触控电极为轮廓未缺失的触控电极，所述第二区域中的触控电极为轮廓有缺失的触控电极；所述第一区域中的触控电极包括至少一个与所述第二区域中的触控电极邻接的第一交界电极，以及至少一个不与所述第二区域中的触控电极邻接的第一非交界电极，所述第二区域中的触控电极包括至少一个与所述第一交界电极邻接的第二交界电极；

所述第一交界电极包括与所述第二交界电极邻接的第一侧边，所述第二交界电极包括与所述第一交界电极邻接的第二侧边；所述第一侧边和第二侧边设置有补偿结构，所述补偿结构配置为使所述第一侧边与第二侧边之间形成补偿交界线，所述补偿交界线的长度大于基准交界线的长度；所述基准交界线是所述第一非交界电极的一个侧边与邻接的触控电极的一个侧边之间形成的交界线。

在示例性实施方式中，

所述补偿结构包括设置在所述第一侧边上的第一凸起和设置在所述第二侧边上的第二凹槽，所述第一凸起设置在所述第二凹槽内，使所述第一侧边和第二侧边形成折线形的补偿交界线；或者，

所述补偿结构包括设置在所述第一侧边上的第一凹槽和设置在所述第二侧边上的第二凸起，所述第二凸起设置在所述第一凹槽内，使所述第一侧边和第二侧边形成折线形的补偿交界线；或者，

所述补偿结构包括设置在所述第一侧边上的第一凸起和第一凹槽，以及设置在所述第二侧边上的第二凸起和第二凹槽，所述第一凸起设置在所述第二凹槽内，所述第二凸起设置在所述第一凹槽内，使所述第一侧边和第二侧边形成折线形的补偿交界线。

在示例性实施方式中，所述第一凸起设置在相邻的第一凹槽之间，所述第二凸起设置在相邻的第二凹槽之间。

在示例性实施方式中，所述第一凸起的宽度为相邻的第二凹槽之间距离的1/5～2/3，所述第二凸起的宽度为相邻的第一凹槽之间距离的1/5～2/3。

在示例性实施方式中，所述第一侧边上的第一凸起的数量为1个～5个，所述第一侧边上的第一凹槽的数量为1个～5个，所述第二侧边上的第二凸起的数量为1个～5个，所述第二侧边上的第二凹槽的数量为1个～5个。

在示例性实施方式中，所述第一凸起、第二凸起、第一凹槽和第二凹槽的形状包括如下任意一种或多种：三角形、矩形、梯形、半圆形和半椭圆形。

在示例性实施方式中，所述第一非交界电极的侧边和邻接的触控电极的侧边设置有基准凸起，或者设置有基准凹槽，或者设置有基准凸起和基准凹槽，形成折线形的基准交界线。

在示例性实施方式中，所述第一交界电极的第一侧边上设置第一凸起的数量大于所述第一非交界电极的侧边上设置基准凸起的数量；或者，所述第一交界电极的第一侧边上设置第一凹槽的数量大于所述第一非交界电极的侧边上设置基准凹槽的数量；或者，所述第一交界电极的第一侧边上设置第一凸起和第一凹槽的数量分别大于所述第一非交界电极的侧边上设置基准凸起和基准凹槽的数量。

在示例性实施方式中，所述第一交界电极的第一凸起的高度大于所述第一非交界电极的基准凸起的高度；或者，所述第一交界电极的第一凹槽的深度大于所述第一非交界电极的基准凹槽的深度；或者，所述第一交界电极的第一凸起的高度和第一凹槽的深度分别大于所述第一非交界电极的基准凸起的高度和基准凹槽的深度。

在示例性实施方式中，

所述第一交界电极的第一凸起上设置有至少一个第三凸起，所述第二交界电极的第二凹槽内设置有至少一个第四凹槽，所述第三凸起设置在所述第四凹槽内；或者，

所述第一交界电极的第一凹槽内设置有至少一个第三凹槽，所述第二交界电极的第二凸起上设置有至少一个第四凸起，所述第四凸起设置在所述第三凹槽内；或者，

所述第一交界电极的第一凸起上设置有至少一个第三凸起，所述第一交界电极的第一凹槽内设置有至少一个第三凹槽，所述第二交界电极的第二凸起上设置有至少一个第四凸起，所述第二交界电极的第二凹槽内设置有至少一个第四凹槽，所述第三凸起设置在所述第四凹槽内，所述第四凸起设置在所述第三凹槽内。

在示例性实施方式中，所述第三凸起的宽度为第一凸起的宽度的1/5～2/3，所述第四凸起的宽度为第二凸起的宽度的1/5～2/3，所述第三凹槽的宽度为第一凹槽的宽度的1/5～2/3，所述第四凹槽的宽度为第二凹槽的宽度l2的1/5～2/3。

在示例性实施方式中，每个第一凸起上设置1～3个第三凸起，每个第一凹槽内设置1～3个第三凹槽，每个第二凸起上设置1～3个第四凸起，每个第二凹槽内设置1～3个第四凹槽。

在示例性实施方式中，所述触控结构包括叠设的桥接层、绝缘层和触控层，所述触控层包括沿第一方向交替设置且依次连接的多个第一触控电极和多个第一连接部，以及沿第二方向间隔设置的多个第二触控电极，所述桥接层包括连接桥，所述连接桥与相邻的第二触控电极连接；所述第一方向与所述第二方向相交。

在示例性实施方式中，所述第一交界电极为第一触控电极，所述第二交界电极为第二触控电极；或者，所述第一交界电极为第二触控电极，所述第二交界电极为第一触控电极；所述第一触控电极和第二触控电极为透明电极，或者为金属网格。

另一方面，本公开还提供了一种触控显示面板，包括基底、设置在所述基底上的显示结构层以及设置在所述显示结构层上的触控结构层，所述触控结构层包括前述的触控结构；所述第二区域的位置对应于所述显示结构层如下任意一个位置或多个位置：边缘区域、角部区域和安装孔区域。

本公开提供了一种触控结构和触控显示面板，通过在第一交界电极和第二交界电极的侧边设置补偿结构，增加了第一交界电极与第二交界电极之间补偿交界线的长度，使得轮廓有缺失的触控电极的互容值和容差值与轮廓未缺失的触控电极的互容值和容差值趋于一致，提高了触控性能均一性，提高了触控性能。

在阅读理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。

图1为一种触控结构层的结构示意图；

图2为一种触控电极轮廓有缺失的示意图；

图3为本公开一种触控结构层的平面示意图；

图4-1和图4-2为本公开示例性实施例轮廓有缺失的触控电极的示意图；

图5-1和图5-2为本公开示例性实施例交界电极的示意图；

图6-1和图6-2为本公开示例性实施例交界线的示意图；

图7为本公开示例性实施例一种补偿交界线的示意图；

图8为本公开示例性实施例一种补偿结构的示意图；

图9为本公开示例性实施例另一种补偿交界线的示意图；

图10为本公开示例性实施例另一种补偿结构的示意图；

图11为本公开示例性实施例又一种补偿结构的示意图；

图12-1、图12-2和图12-3为本公开示例性实施例仿真试验用触控电极的示意图。

附图标记说明:

10—第一触控电极；11—第一连接部；20—第二触控电极；

21—第二连接部；31—第一凸起；32—第三凸起；

41—第二凸起；42—第四凸起；51—第一凹槽；

52—第三凹槽；61—第二凹槽；62—第四凹槽；

100—第一区域；101—第一触控单元；102—第一传输线；

103—第一焊盘电极；110—第一交界电极；120—第一非交界电极；

200—第二区域；201—第二触控单元；202—第二传输线；

203—第二焊盘电极；210—第二交界电极。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以为固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以为机械连接，或电连接；可以为直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。

在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

本公开触控显示面板包括设置在基底上的显示结构层和设置在所述显示结构层上的触控结构层。显示结构层可以为液晶显示结构层，或者可以为有机发光二极管显示结构层，或者可以为等离子体显示结构层，或者可以为电泳显示结构层。有机发光二极管(organiclightemittingdiode，简称oled)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度等优点，随着显示技术的不断发展，以oled为发光器件、由薄膜晶体管(thinfilmtransistor，简称tft)进行信号控制的触控显示面板已成为目前显示领域的主流产品。

在示例性实施方式中，oled触控显示面板采用柔性多层覆盖表面式(flexiblemultilayeroncell，简称fmloc)结构形式，柔性的触控结构层设置在oled显示结构层上。oled触控显示面板包括设置在基底上的oled显示结构层和设置在oled显示结构层上的触控结构层。触控结构层设置在显示结构层的封装层上，形成触控结构在薄膜封装上(touchonthinfilmencapsulation，简称touchontfe)的结构。

在示例性实施方式中，在平行于显示结构层的平面上，oled显示结构层可以包括规则排布的多个像素单元，每个像素单元可以包括3个子像素，或者可以包括4个子像素，或者可以包括多个子像素。当像素单元包括3个子像素时，3个子像素包括出射第一颜色光线的第一子像素、出射第二颜色光线的第二子像素和出射第三颜色光线的第三子像素。当像素单元包括4个子像素时，4个子像素包括出射第一颜色光线的第一子像素、出射第二颜色光线的第二子像素、出射第三颜色光线的第三子像素和出射第四颜色光线的第四子像素。在示例性实施方式中，第一颜色光线可以为红色(r)光线，第二颜色光线可以为绿色(g)光线，第三颜色光线可以为蓝色(b)光线，第四颜色光线可以为白色(w)光线。在示例性实施方式中，子像素的形状可以为三角形、正方形、矩形、菱形、梯形、平行四边形、五边形、六边形和其它多边形中的任意一种或多种，排列方式可以为并列、正方形、x形、十字形或品字形等，本公开在此不做限定。

在示例性实施方式中，在垂直于显示结构层的平面上，显示结构层可以包括设置在基底上的驱动电路层、设置在驱动电路层上的发光结构层以及设置在发光结构层上的封装层。在形成触控显示面板时，将触控结构层设置在封装层上。在一些可能的实现方式中，显示结构层可以包括其它膜层，触控结构层与封装层之间可以设置其它膜层，本公开在此不做限定。

在示例性实施方式中，基底可以为硬质基底或柔性基底，硬质基底可以采用玻璃或石英等，柔性基底可以包括叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层，第一柔性材料层和第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(pi)、聚对苯二甲酸乙二酯(pet)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一无机材料层和第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)等，配置为提高基底的抗水氧能力，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。

在示例性实施方式中，驱动电路层可以包括构成像素驱动电路的晶体管和存储电容。在一些可能的实现方式中，每个子像素的驱动电路层可以包括：设置在柔性基底上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的有源层，覆盖有源层的第二绝缘层，设置在第二绝缘层上的栅电极和第一电容电极，覆盖栅电极和第一电容电极的第三绝缘层，设置在第三绝缘层上的第二电容电极，覆盖第二电容电极的第四绝缘层，第四绝缘层上开设有过孔，过孔暴露出有源层，设置在第四绝缘层上的源电极和漏电极，源电极和漏电极分别通过过孔与有源层连接，覆盖前述结构的平坦层。有源层、栅电极、源电极和漏电极组成晶体管，第一电容电极和第二电容电极组成存储电容。在一些可能的实现方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)和氮氧化硅(sion)中的任意一种或多种，可以为单层、多层或复合层。第一绝缘层可称之为缓冲(buffer)层，配置为提高基底的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层可称之为栅绝缘(gi)层，第四绝缘层可称之为层间绝缘(ild)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜可以采用金属材料，如银(ag)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)和钼(mo)中的任意一种或多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(alnd)或钼铌合金(monb)，可以为单层结构，或者多层复合结构，如ti/al/ti等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-igzo)、氮氧化锌(znon)、氧化铟锌锡(izto)、非晶硅(a-si)、多晶硅(p-si)、六噻吩或聚噻吩等材料，即本公开适用于基于氧化物(oxide)技术、硅技术或有机物技术制造的晶体管。

在示例性实施方式中，发光结构层可以包括阳极、像素定义层、有机发光层和阴极，阳极设置在平坦层上，通过平坦层上开设的过孔与漏电极连接，像素定义层设置在阳极和平坦层上，其上设置有像素开口，像素开口暴露出阳极，有机发光层设置在像素开口内，阴极设置在有机发光层上，有机发光层在阳极和阴极施加电压的作用下出射相应颜色的光线。

在示例性实施方式中，封装层可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层可采用无机材料，第二封装层可采用有机材料，第二封装层设置在第一封装层和第三封装层之间，可以保证外界水汽无法进入发光结构层。

图1为一种触控结构层的结构示意图。如图1所示，在平行于触控结构层的平面上，触控结构层包括多个第一触控单元101和多个第二触控单元201，第一触控单元101具有沿第一方向d1延伸的线形状，多个第一触控单元101沿第二方向d2依次排列，第二触控单元201具有沿第二方向d2延伸的线形状，多个第二触控单元201沿第一方向d1依次排列，第一方向d1与第二方向d2交叉。

在示例性实施方式中，每个第一触控单元101包括沿第一方向d1依次排列的多个第一触控电极10和第一连接部11，多个第一触控电极10和多个第一连接部11交替设置且依次连接。每个第二触控单元201包括沿第二方向d2依次排列的多个第二触控电极20，多个第二触控电极20间隔设置，相邻的第二触控电极20通过第二连接部21彼此连接。第二连接部21所在的层不同于第一触控电极10和第二触控电极20所在的层。第一触控电极10和第二触控电极20在第三方向d3上交替布置，第三方向d3与第一方向d1和第二方向d2交叉。

在示例性实施方式中，每个第一触控单元101通过第一传输线102连接到第一焊盘电极103，每个第二触控单元201通过第二传输线202连接到第二焊盘电极203。在示例性实施方式中，第一触控电极10通过第一焊盘电极103连接到触控显示面板的驱动器，第二触控电极20通过第二焊盘电极203连接到驱动器，驱动器可以将驱动信号施加到第二触控电极20上，并且接收来自第一触控电极10的输出信号，从而在第一触控电极10和第二触控电极20之间形成稳定的电容。在手指触摸触控屏时，触摸会导致第一触控电极10和第二触控电极20之间的电容变化，从而确定触摸位置，实现相应的触摸操作。在一些可能的实现方式中，驱动器可以将驱动信号施加到第一触控电极10，并且接收来自第二触控电极20的输出信号。

在示例性实施方式中，在垂直于触控结构层的平面上，触控结构层可以包括叠设的桥接层、绝缘层和触控层。在示例性实施方式中，多个第一触控电极10、多个第二触控电极20和多个第一连接部11可以同层设置在触控层，并且可以通过同一次构图工艺形成，第一触控电极10和第一连接部11可以为相互连接的一体结构。第二连接部21可以设置在桥接层，通过过孔使相邻的第二触控电极20相互连接，触控层与桥接层之间设置有绝缘层。在示例性实施方式中，第二连接部21称为连接桥。在一些可能的实现方式中，多个第一触控电极10、多个第二触控电极20和多个第二连接部21可以同层设置在触控层，第二触控电极20和第二连接部21可以为相互连接的一体结构，第一连接部11可以设置在桥接层，通过过孔使相邻的第一触控电极10相互连接。在示例性实施方式中，第一触控电极可以为驱动电极(tx)，第二触控电极可以为感应电极(rx)；或者，第一触控电极可以为感应电极(rx)，第二触控电极可以为驱动电极(tx)。

在示例性实施方式中，第一触控电极10和第二触控电极20可以为菱形状，例如可以为正菱形，或者是横长的菱形，或者是纵长的菱形。在一些可能的实现方式中，第一触控电极10和第二触控电极20可以为三角形、正方形、梯形、平行四边形、五边形、六边形和其它多边形中的任意一种或多种，本公开在此不做限定。

在示例性实施方式中，第一触控电极10和第二触控电极20可以为透明电极形式，透明电极可以采用透明导电材料，如氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)，通过构图工艺形成相互隔离的第一触控电极10和第二触控电极20图案。

在示例性实施方式中，第一触控电极10和第二触控电极20可以为金属网格(metalmesh)形式，金属网格由多条金属线交织形成，金属网格包括多个网格图案，网格图案是由多条金属线构成的多边形。第一触控电极10和第二触控电极20采用金属网格形式，具有电阻小、厚度薄、反应速度快、轻薄和可折叠等优点。在示例性实施方式中，一个网格图案中金属线所围成的区域包含显示结构层中子像素的区域，金属线所在位置位于相邻子像素之间。例如，当显示结构层为oled显示结构层时，子像素的区域可以为发光结构层中像素界定层限定的发光区域，金属线所围成的区域包含发光区域，金属线位于像素界定层的对应位置，即位于非发光区域中。在示例性实施方式中，金属线围成的网格图案的形状可以包括三角形、正方形、矩形、菱形、梯形、五边形和六边形中的任意一种或多种。在一些可能的实现方式中，金属线围成的网格图案可以为规则的形状，或者为不规则的形状，网格图案的边可以为直线，或者可以为曲线，本公开在此不做限定。在一些可能的实现方式中，金属线的线宽≤5μm。

为了适应多种产品需求，一些oled显示结构层的特殊设计使得触控结构层中触控电极的轮廓有缺失。例如，为了实现全面屏，一些oled显示结构层在有效显示(activearea，aa)区域开设安装孔，安装孔配置为安装前置摄像头等硬件。又如，为了实现窄边框和光滑角部，一些oled显示结构层的边缘和四角设计成异形。图2为一种触控电极轮廓有缺失的示意图。如图2所示，触控结构层中的安装孔k使得邻近安装孔100的多个触控电极10-1、触控电极10-2、触控电极20-1和触控电极20-2的外形轮廓有缺失，形状不完整。触控结构层中的弧形角d使得邻近弧形角d的多个触控电极10-3和触控电极20-3的外形轮廓有缺失，形状不完整。触控结构层中的窄边b使得邻近窄边b的多个触控电极10-4的外形轮廓有缺失，形状不完整。因此，oled显示结构层的特殊设计使得触控结构层部分位置的触控电极的形状不同于设计形状，设计形状的完整性被破坏，导致轮廓有缺失的触控电极的互容值降低，与轮廓未缺失的触控电极的互容值存在较大差别，触控性能均一性较差，降低了触控性能。

一种触控结构层的仿真研究表明，在触控电极轮廓未缺失的中心区域，触控电极的互容值cm约为1.30pf～1.35pf。在触控电极轮廓有缺失的边缘区域，触控电极的互容值cm约为1.20pf～1.25pf，互容值cm下降约10％。在触控电极轮廓有缺失的角部区域，触控电极的互容值cm约为0.90pf～0.93pf，互容值cm下降约40％。在触控电极轮廓有缺失的安装孔区域，触控电极的互容值cm约为0.90pf～0.93pf，互容值cm下降约40％。进一步仿真研究表明，轮廓有缺失的触控电极所在区域的容差值△cm也会有10％左右的下降。容差值△cm是指无手指触摸时驱动电极和感应电极之间的互容值与有手指触摸时驱动电极和感应电极之间的互容值之差。尽管触控芯片(touchic)在算法上对形状完整性遭到破坏的部分触控电极能够做到一定的算法补偿，但这种补偿是有限的，难以实现均一性要求，而且这种补偿牺牲了触控芯片的其它性能，如功耗等。

图3为本公开一种触控结构层的平面示意图。如图3所示，在示例性实施方式中，触控结构层包括第一区域100和第二区域200，第一区域100中所有的触控电极均为轮廓未缺失的触控电极，第二区域200中所有的触控电极均为轮廓有缺失的触控电极。也就是说，第一区域100为轮廓未缺失的触控电极所在的区域，包括多个轮廓未缺失的触控电极，第二区域200为轮廓有缺失的触控电极所在的区域，包括至少一个轮廓有缺失的触控电极。在示例性实施方式中，第二区域200可以位于第一区域100的边缘或角部，与显示结构层的边缘和四角的位置相对应。在示例性实施方式中，第二区域200可以位于第一区域100的内部，与显示结构层的安装孔的位置相对应。在示例性实施方式中，第二区域200可以位于任意位置，可以为任意形状，如矩形、圆形、椭圆形或环形等，本公开不做限定。

本公开示例性实施例中，轮廓未缺失的触控电极是指触控电极的边缘轮廓与设计的边缘轮廓相同，轮廓有缺失的触控电极是指触控电极的边缘轮廓与设计的边缘轮廓不同，设计的轮廓形状被破坏。在示例性实施方式中，触控电极所在区域内可以设置有一个或多个虚拟(dummy)区域，这些设置有虚拟区域的触控电极仍属于轮廓未缺失的触控电极。

图4-1为本公开示例性实施例一种轮廓有缺失的触控电极的示意图，第一触控电极10和第二触控电极20的设计形状为菱形。如图4-1所示，两个第一触控电极10和两个第二触控电极20中，由于上侧边缘使上侧的第二触控电极20的形状为三角形，不同于菱形的设计形状，轮廓有缺失，因而上侧的第二触控电极20为轮廓有缺失的触控电极，属于第二区域200的触控电极，下侧的第二触控电极20和两个第一触控电极10为菱形，是轮廓未缺失的触控电极，属于第一区域100的触控电极。

图4-2为本公开示例性实施例另一种轮廓有缺失的触控电极的示意图，第一触控电极10和第二触控电极20的设计形状为菱形。如图4-2所示，两个第一触控电极10和两个第二触控电极20中，由于安装孔使上侧的第二触控电极20和两个第一触控电极10的形状不同于设计形状，轮廓有缺失，因而上侧的第二触控电极20和两个第一触控电极10为轮廓有缺失的触控电极，属于第二区域200的触控电极，下侧的第二触控电极20为轮廓未缺失的触控电极，属于第一区域100的触控电极。

在示例性实施方式中，第一区域100中可以包括多个轮廓未缺失的触控电极，轮廓未缺失的触控电极包括第一触控电极和第二触控电极。第二区域中可以包括至少一个轮廓有缺失的触控电极，至少一个轮廓有缺失的触控电极可以为第一触控电极，或者可以为第二触控电极。

图5-1和图5-2为本公开示例性实施例交界电极的示意图。第一区域100中的轮廓未缺失的触控电极中，包括多个不与第二区域200中的触控电极邻接的触控电极，以及至少一个与第二区域200中的触控电极邻接的触控电极。第二区域200中的轮廓有缺失的触控电极中，包括至少一个与第一区域100中的触控电极邻接的触控电极，可以没有不与第一区域100中的触控电极邻接的触控电极，或者可以包括至少一个不与第一区域100中的触控电极邻接的触控电极。本公开示例性实施例中，第一区域100中，与第二区域200的触控电极邻接的触控电极称为第一交界电极110，不与第二区域200的触控电极邻接的触控电极称为第一非交界电极120，第二区域200中，与第一区域100的第一交界电极110邻接的触控电极称为第二交界电极210，不与第一区域100的第一交界电极110邻接的触控电极称为第二非交界电极。

如图5-1所示，上侧的三个触控电极是第二区域200中的触控电极(轮廓有缺失的触控电极)，与第一区域100中的触控电极邻接，因而上侧的三个触控电极是第二交界电极210。中部的四个触控电极是第一区域100中的触控电极(轮廓未缺失的触控电极)，与第二交界电极210邻接，因而中部的四个触控电极是第一交界电极110。下侧的三个触控电极没有与第二交界电极210邻接，因而下侧的三个触控电极是第一非交界电极120。

如图5-2所示，安装孔附近的三个触控电极是第二区域200中的触控电极(轮廓有缺失的触控电极)，与第一区域100中的触控电极邻接，因而安装孔附近的三个触控电极是第二交界电极210。第一区域100中的其它触控电极中，与第二交界电极210邻接的触控电极是第一交界电极110，没有与第二交界电极210邻接的触控电极是第一非交界电极120。

在示例性实施方式中，第一交界电极110、第二交界电极210、第一非交界电极120以及第二非交界电极可以为第一触控电极，或者可以为第二触控电极，相互邻接的第一交界电极110和第二交界电极210中，一个是第一触控电极，另一个是第二触控电极。

图6-1为本公开示例性实施例一种交界线的示意图，示意了第一区域中4个触控电极的交界线，触控电极采用透明电极形式。如图6-1所示，4个触控电极为菱形，菱形的侧边为直线形。在示例性实施方式中，上下两个触控电极是第二触控电极20，左右两个触控电极是第一触控电极10，第一触控电极10与第二触控电极20之间具有间隔，以实现第一触控电极10与第二触控电极20之间的绝缘。在示例性实施方式中，第一触控电极10的每个侧边都与第二触控电极20邻接，第二触控电极20的每个侧边都与第一触控电极10邻接，第一触控电极10的侧边与相邻的第二触控电极20的侧边平行，形成直线形的交界线。以左侧的第一触控电极10和上侧的第二触控电极20之间的交界线为例，由于左侧的第一触控电极10与上侧的第二触控电极20之间的交界线包括线段ab，因而第一触控电极10与第二触控电极20之间的交界线长度是线段ab的长度。或者，由于上侧的第二触控电极20与左侧的第一触控电极10之间的交界线包括线段cd，因而第二触控电极20与第一触控电极10之间的交界线长度是线段cd的长度。在示例性实施方式中，线段ab的长度可以等于线段cd的长度。

图6-2为本公开示例性实施例另一种交界线的示意图，示意了第一区域中4个触控电极的交界线，触控电极采用金属网格形式，网格图案为菱形状。如图6-2所示，为了形成相互绝缘的第一触控电极10和第二触控电极20，金属网格上设置有多个切口，多个切口断开网格图案的金属线，实现第一触控电极10的网格图案与第二触控电极20的网格图案的隔离。图6-2中采用黑色块表示切口，切口可以理解为切割金属线的假想线。这样所形成的4个触控电极为菱形，上下两个触控电极是第二触控电极20，左右两个触控电极是第一触控电极10，第一触控电极10的网格图案与第二触控电极20的网格图案之间通过断开金属线的多个切口实现相互绝缘。由于每个切口两侧的金属线邻接，因此，金属网格形式的第一触控电极10的每个侧边都与金属网格形式的第二触控电极20邻接，金属网格形式的第二触控电极20的每个侧边都与金属网格形式的第一触控电极10邻接，第一触控电极10与第二触控电极20之间形成接近直线形的交界线，交界线长度是线段ab的长度。

在示例性实施方式中，由于第一区域中所有的触控电极均为轮廓未缺失的触控电极，每个第一触控电极10的轮廓形状相同，每个第二触控电极20的轮廓形状相同，因而第一区域中每个第一触控电极10与第二触控电极20之间的交界线的形状和长度相同。本公开示例性实施例中，将第一区域中第一非交界电极120与邻接的触控电极的一个侧边之间形成的交界线称为基准交界线。也就是说，将第一区域中第一触控电极10的一个侧边与邻接的第二触控电极20的一个侧边之间的交界线称为基准交界线。

如图5-1和图5-2所示，第一区域100和第二区域200之间存在交界区域，交界区域包括多个第一交界电极110和多个第二交界电极210，一个第一交界电极110与至少一个第二交界电极210邻接，或者一个第二交界电极210与至少一个第一交界电极110邻接。在示例性实施方式中，对于邻接的一个第一交界电极110和一个第二交界电极210，第一交界电极110与第二交界电极210邻接的侧边称为第一侧边，第二交界电极210与第一交界电极110邻接的侧边称为第二侧边。在示例性实施方式中，第一侧边和第二侧边设置有补偿结构，补偿结构配置为使第一侧边与第二侧边之间形成补偿交界线，补偿交界线的长度大于基准交界线的长度。基准交界线是第一非交界电极120的一个侧边与邻接的触控电极的一个侧边之间形成的交界线。

在示例性实施方式中，补偿结构可以包括设置在第一侧边上的第一凸起和设置在第二侧边上的第二凹槽，第一凸起设置在第二凹槽内，使第一侧边和第二侧边相互嵌合，形成折线形的补偿交界线。

在示例性实施方式中，补偿结构可以包括设置在第一侧边上的第一凹槽和设置在第二侧边上的第二凸起，第二凸起设置在第一凹槽内，使第一侧边和第二侧边相互嵌合，形成折线形的补偿交界线。

在示例性实施方式中，补偿结构可以包括设置在第一侧边上的第一凸起和第一凹槽，以及设置在第二侧边上的第二凸起和第二凹槽，第一凸起设置在第二凹槽内，第二凸起设置在第一凹槽内，使第一侧边和第二侧边相互嵌合，形成折线形的补偿交界线。

图7为本公开示例性实施例一种补偿交界线的示意图，第二交界电极位于触控结构层的上部边缘，第一交界电极和第二交界电极采用透明电极形式。如图7所示，第一区域包括两个第一交界电极110和一个第一非交界电极120，第一交界电极110和第一非交界电极120的形状为菱形，与设计形状相同，是轮廓未缺失的触控电极。第二区域位于触控结构层的边缘，第二区域包括一个第二交界电极210，第二交界电极210的形状为三角形，不同于菱形的设计形状，轮廓缺失约50％。

在示例性实施方式中，第一区域的第一非交界电极120分别与第一区域的两个第一交界电极110邻接，与第二区域的第二交界电极210不邻接。第一非交界电极120的一个侧边与第一交界电极110的一个侧边之间形成直线形的交界线，交界线长度是线段ab的长度，因而基准交界线的长度l0＝线段ab的长度。

在示例性实施方式中，第二区域的第二交界电极210分别与第一区域的两个第一交界电极110邻接，形成两条交界线，即第二交界电极210的一个侧边与一个第一交界电极110的侧边形成一条交界线，第二交界电极210的另一个侧边与另一个第一交界电极110的侧边形成一条交界线。在示例性实施方式中，第一交界电极110的侧边称为第一侧边，第二交界电极210的侧边称为第二侧边。

在示例性实施方式中，补偿结构可以包括第一侧边上设置的至少一个第一凸起31和至少一个第一凹槽51，以及第二侧边上设置的至少一个第二凸起41和至少一个第二凹槽61。第一凸起31从第一侧边向着第二交界电极210方向(远离第一交界电极110的方向)延伸，第一凹槽51从第一侧边向着第一交界电极110内部延伸，使第一侧边形成凹凸结构的折线形。第二凸起41从第二侧边向着第一交界电极110方向(远离第二交界电极210的方向)延伸，第二凹槽61从第二侧边向着第二交界电极210内部延伸，使第二侧边形成凹凸结构的折线形。第一凸起31设置在第二凹槽61内，第二凸起41设置在第一凹槽51内，使得第一侧边和第二侧边相互嵌合，第一侧边和第二侧边咬合在一起，形成折线形的补偿交界线。

在示例性实施方式中，第一侧边的第一凸起31的数量与第二侧边的第二凹槽61的数量相同，第一侧边的第一凸起31的形状与第二侧边的第二凹槽61的形状可以相同，或者可以相似。第二侧边的第二凸起41的数量与第一侧边的第一凹槽51的数量相同，第二侧边的第二凸起41的形状与第一侧边的第一凹槽51的形状可以相同，或者可以相似。

在示例性实施方式中，第一凸起31的形状与第二凸起41的形状可以相同，或者可以不同。第一凹槽51的形状与第二凹槽61的形状可以相同，或者可以不同。

在示例性实施方式中，在第一凸起31的形状与第二凸起41的形状相同时，第一凸起31的尺寸与第二凸起41的尺寸可以相同，或者可以不同。在第一凹槽51的形状与第二凹槽61的形状相同时，第一凹槽51的尺寸与第二凹槽61的尺寸可以相同，或者可以不同。

在示例性实施方式中，在平行于触控结构层的平面上，第一凸起31、第二凸起41、第一凹槽51和第二凹槽61的形状可以包括如下任意一种或多种：三角形、矩形、梯形、多边形、半圆形和半椭圆形，多边形的边可以为直线，或者是弧线。

在示例性实施方式中，第一侧边上的第一凸起31可以设置在相邻的第一凹槽51之间，或者，第一侧边上的第一凹槽51可以设置在相邻的第一凸起31之间。第二侧边的第二凸起41可以设置在相邻的第二凹槽61之间，或者，第二侧边的第二凹槽61可以设置在相邻的第二凸起41之间。

在示例性实施方式中，第一侧边上的第一凸起31的数量可以约为1个～5个，第一侧边上的第一凹槽51的数量可以约为1个～5个，第二侧边上的第二凸起41的数量可以约为1个～5个，第二侧边上的第二凹槽61的数量可以约为1个～5个。在一些可能的实现方式中，第一侧边上的第一凸起31的数量可以约为2个～4个，第一侧边上的第一凹槽51的数量可以约为2个～4个，第二侧边上的第二凸起41的数量可以约为2个～4个，第二侧边上的第二凹槽61的数量可以约为2个～4个。

如图7所示，以左侧的第一交界电极110与上侧的第二交界电极210之间形成的补偿交界线为例，第一交界电极110的第一凸起31和第一凹槽51与第二交界电极210的第二凸起41和第二凹槽61之间所形成的补偿交界线包括如下线段：线段ab、线段bc、线段cd、线段de、线段ef、线段fg、线段gh、线段hi、线段ij、线段jk、线段kl、线段lm、线段mn、线段no和线段op，因而第一交界电极110与第二交界电极210之间的补偿交界线的长度l是上述线段长度之和，即补偿交界线的长度l＝线段ab的长度+线段bc的长度+线段cd的长度+线段de的长度+线段ef的长度+线段fg的长度+线段gh的长度+线段hi的长度+线段ij的长度+线段jk的长度+线段kl的长度+线段lm的长度+线段mn的长度+线段no的长度+线段op的长度。

在示例性实施方式中，线段ab、线段cd、线段ef、线段gh、线段ij、线段kl、线段no和线段op的线段长度之和约为线段ab的长度，因此第一交界电极110与第二交界电极210之间的补偿交界线的长度l大于基准交界线的长度l0，补偿交界线的长度l与基准交界线的长度l0之差约为线段bc、线段de、线段fg、线段hi、线段jk、线段lm和线段mn的长度之和。

本公开示例性实施例通过在第一交界电极和第二交界电极的侧边设置补偿结构，调整第一交界电极和第二交界电极之间所形成的补偿交界线的形状，增加了第一交界电极与第二交界电极之间补偿交界线的长度，增加了第一交界电极和第二交界电极之间的接触面积，使得轮廓有缺失的触控电极的互容值和容差值得以提升，进而使得轮廓有缺失的触控电极的互容值和容差值与轮廓未缺失的触控电极的互容值和容差值趋于一致，提高了触控性能均一性，提高了触控性能。

图8为本公开示例性实施例一种补偿结构的示意图，为图7中c1区域的放大图。如图8所示，第一交界电极110的第一侧边上设置有第一凸起31和第一凹槽51，第二交界电极210的第二侧边上设置有第二凸起41和第二凹槽61。第一凸起31、第二凸起41、第一凹槽51和第二凹槽61的形状相同，为矩形状，第一凸起31设置在第二凹槽61内，第二凸起41设置在第一凹槽51，使得第一交界电极110和第二交界电极210相互嵌合，两者的侧边咬合在一起，形成折线形的补偿交界线。

在示例性实施方式中，第一凸起31和第二凸起41的长度和宽度相同，第一凹槽51和第二凹槽61的长度和宽度相同。在x方向，第一凸起31的宽度和第二凸起41的宽度为l1，第一凹槽51和第二凹槽61的宽度为l2。在y方向，第一凸起31的高度和第二凸起41的高度为h1，第一凹槽51的深度和第二凹槽61的深度为h2。在示例性实施方式中，x方向可以是交界线的延伸方向，y方向是x方向的垂直方向。

在示例性实施方式中，可以设置h1＝h2。在一些可能的实现方式中，可以设置h1>h2，或者可以设置h1<h2。在示例性实施方式中，第一凸起31的高度和第二凸起41的高度的最大值约为4个～5个子像素的宽度。

在示例性实施方式中，可以设置l1<l2，以使第一凸起31与第二凹槽61之间、第二凸起41与第一凹槽51之间形成间隔，实现第一交界电极110与第二交界电极210之间的绝缘。在示例性实施方式中，第一凸起31的宽度和第二凸起41的宽度的最小值约为1个～2个子像素的宽度。

如图8所示，第一凸起31设置在相邻的第一凹槽51之间，第二凸起41设置在相邻的第二凹槽61之间。或者，第一凹槽51设置在相邻的第一凸起31之间，第二凹槽61设置在相邻的第二凸起41之间。相邻的第一凸起31之间的距离和相邻的第二凸起41之间的距离为l3，相邻的第一凹槽51之间的距离和相邻的第二凹槽61之间的距离为l4。在示例性实施方式中，可以设置l1＝(1/5～2/3)l4，l2＝(1/5～2/3)l3。由于相邻的第一凹槽51之间和相邻的第二凹槽61之间的区域相当于形成了一个凸台，因而第一凸起31和第二凸起41可以理解为在该凸台上形成的凸起，l4为凸台的宽度，l1为凸起的宽度，凸起的宽度l1为凸台的宽度l4的1/5～2/3。由于相邻的第一凸起31之间和相邻的第二凸起41之间的区域相当于形成了一个凹坑，因而第一凹槽51和第二凹槽61可以理解为在该凹坑内形成的凹槽，l3为凹坑的宽度，l2为凹槽的宽度，凹槽的宽度l2为凹坑的宽度l3的1/5～2/3。

虽然图8以第一交界电极110上设置多个第一凸起和第一凹槽、第二交界电极210上设置多个第二凸起和第二凹槽为例进行了说明，但本公开不限于该结构。在一个示例性实施方式中，第一交界电极110上可以仅设置一个或多个第一凸起，第二交界电极210上可以仅设置一个或多个第二凹槽，第一凸起设置在第二凹槽内。在另一个示例性实施方式中，第一交界电极110上可以仅设置一个或多个第一凹槽，第二交界电极210上可以仅设置一个或多个第二凸起，第二凸起设置在第一凹槽内。

图9为本公开示例性实施例另一种补偿交界线的示意图，第一交界电极与第二交界电极采用透明电极形式。如图9所示，第一区域包括两个第一交界电极110和一个第一非交界电极120，第二区域包括一个第二交界电极210。第一区域所包括第一交界电极110和第一非交界电极120的形状为菱形，与设计形状相同，是轮廓未缺失的触控电极。第二区域位于触控结构层的边缘，第二交界电极210的形状为三角形，不同于菱形的设计形状，轮廓缺失约50％。

在示例性实施方式中，第一区域的第一非交界电极120与第二区域的第二交界电极210不邻接，分别与第一区域的两个第一交界电极110邻接。对于邻接的第一非交界电极120和第一交界电极110，第一非交界电极120和第一交界电极110的侧边上设置有凸起和凹槽，使第一非交界电极120与第一交界电极110之间形成折线形的交界线。第一非交界电极120和第一交界电极110上设置的凸起和凹槽的结构，与前述图7中的凸起和凹槽的结构类似，本公开示例性实施例将第一非交界电极120上设置的凸起称为基准凸起，将第一非交界电极120上设置的凹槽称为基准凹槽。在示例性实施方式中，第一非交界电极120上设置有3个基准凸起和3个基准凹槽。在示例性实施方式中，第一非交界电极120与第一交界电极110之间所形成的交界线的长度为：线段ab的长度+线段bc的长度+线段cd的长度+线段de的长度+线段ef的长度+线段fg的长度+线段gh的长度+线段hi的长度+线段ij的长度+线段jk的长度+线段kl的长度+线段lm的长度+线段mn的长度+线段no的长度+线段op的长度。

在示例性实施方式中，第二区域的第二交界电极210分别与第一区域的两个第一交界电极110邻接，形成两条交界线，即第二交界电极210的一个侧边与一个第一交界电极110的侧边形成一条交界线，第二交界电极210的另一个侧边与另一个第一交界电极110的侧边形成一条交界线。在示例性实施方式中，第一交界电极110的侧边称为第一侧边，第二交界电极210的侧边称为第二侧边。

在示例性实施方式中，补偿结构可以包括第一侧边上设置的多个第一凸起31和多个第一凹槽51，以及第二侧边上设置的多个第二凸起41和多个第二凹槽61。在示例性实施方式中，第一侧边上设置的多个第一凸起31和多个第一凹槽51的结构与前述图7中的第一凸起和第一凹槽的结构类似，第二侧边上设置的多个第二凸起41和多个第二凹槽61的结构与前述图7中的第二凸起和第二凹槽的结构类似。

在示例性实施方式中，第一交界电极110的第一侧边上设置第一凸起31的数量大于第一非交界电极120的侧边上设置基准凸起的数量。

在示例性实施方式中，第一交界电极110的第一侧边上设置第一凹槽51的数量大于第一非交界电极120的侧边上设置基准凹槽的数量。

如图9所示，以左侧的第一交界电极110与第二交界电极210之间形成的补偿交界线为例。第一交界电极110的第一侧边上设置5个第一凸起31，第一凸起31的数量大于第一交界电极110上设置的3个基准凸起，第一交界电极110的第一侧边上设置5个第一凹槽51，第一凹槽51的数量大于第一交界电极110上设置的3个基准凹槽。相应的，第二交界电极210的第二侧边上设置5个第二凸起41和5个第二凹槽61，第二凸起41和第二凹槽61的数量大于3个基准凸起和3个基准凹槽。

在示例性实施方式中，第一交界电极110的第一凸起31和第一凹槽51与第二交界电极210的第二凸起41和第二凹槽61之间所形成的补偿交界线包括如下线段：线段ab、线段bc、线段cd、线段de、线段ef、线段fg、线段gh、线段hi、线段ij、线段jk、线段kl、线段lm、线段mn、线段no、线段op、线段pq、线段qr、线段rs、线段st、线段tu、线段uv、线段vw和线段wx，因而第一交界电极110与第二交界电极210之间的补偿交界线的长度l是上述线段长度之和，即补偿交界线的长度l＝线段ab的长度+线段bc的长度+线段cd的长度+线段de的长度+线段ef的长度+线段fg的长度+线段gh的长度+线段hi的长度+线段ij的长度+线段jk的长度+线段kl的长度+线段lm的长度+线段mn的长度+线段no的长度+线段op的长度+线段pq的长度+线段qr的长度+线段rs的长度+线段st的长度+线段tu的长度+线段uv的长度+线段vw的长度+线段wx的长度。由于第一凸起31和第一凹槽51的数量大于基准凸起的数量，因此第一交界电极110与第二交界电极210之间的补偿交界线的长度l大于基准交界线的长度l0，补偿交界线的长度l与基准交界线的长度l0之差约为线段no、线段pq、线段rs和线段tu的长度之和。

本公开示例性实施例同样增加了第一交界电极与第二交界电极之间补偿交界线的长度，增加了第一交界电极和第二交界电极之间的接触面积，使得轮廓有缺失的触控电极的互容值和容差值得以提升，进而使得轮廓有缺失的触控电极的互容值和容差值与轮廓未缺失的触控电极的互容值和容差值趋于一致，提高了触控性能均一性，提高了触控性能。

在示例性实施方式中，在第一交界电极110的第一侧边上设置第一凸起31的数量大于第一非交界电极120的侧边上设置基准凸起的数量时，第一凸起的高度可以等于基准凸起的高度，第一凸起的宽度可以小于基准凸起的宽度。在一些可能的实现方式中，在保证补偿交界线的长度大于基准交界线的长度的情况下，第一凸起的高度可以小于基准凸起的高度。

在示例性实施方式中，在第一交界电极110的第一侧边上设置第一凹槽51的数量大于第一非交界电极120的侧边上设置基准凹槽的数量时，第一凹槽的深度可以等于基准凹槽的深度，第一凹槽的宽度可以小于基准凹槽的宽度。在一些可能的实现方式中，在保证补偿交界线的长度大于基准交界线的长度的情况下，第一凹槽的深度可以小于基准凹槽的深度。

在示例性实施方式中，在第一交界电极110的第一侧边上设置第一凸起31的数量等于第一非交界电极120的侧边上设置基准凸起的数量时，可以通过设置第一凸起的高度大于基准凸起的高度，以使补偿交界线的长度大于基准交界线的长度。

在示例性实施方式中，在第一交界电极110的第一侧边上设置第一凹槽51的数量等于第一非交界电极120的侧边上设置基准凹槽的数量时，可以通过设置第一凹槽的深度大于基准凹槽的深度，以使补偿交界线的长度大于基准交界线的长度。

在示例性实施方式中，可以设置第一凸起的数量大于基准凸起的数量，且第一凸起的高度大于基准凸起的高度。可以设置第一凹槽的数量大于基准凹槽的数量，且第一凹槽的深度大于基准凹槽的深度。

在示例性实施方式中，可以通过第一侧边上设置第一凸起的数量、第一凹槽的数量、第一凸起的高度以及第一凹槽的深度来调整第一交界电极与第二交界电极之间补偿交界线的长度，进而调整轮廓有缺失的触控电极的互容值和容差值，使得轮廓有缺失的触控电极的互容值和容差值与轮廓未缺失的触控电极的互容值和容差值趋于一致。

图10为本公开示例性实施例另一种补偿结构的示意图，为图9中c2区域的放大图。如图10所示，第一交界电极110的第一侧边上设置有第一凸起31和第一凹槽51，第二交界电极210的第二侧边上设置有第二凸起41和第二凹槽61。在示例性实施方式中，第一凸起31上还设置有一个第三凸起32，第一凹槽51内还设置有一个第三凹槽52，第二凸起41上还设置有一个第四凸起42，第二凹槽61内还设置有一个第四凹槽62。

在示例性实施方式中，第一凸起31、第二凸起41、第一凹槽51和第二凹槽61的形状相同，为矩形状，第三凸起32、第四凸起42、第三凹槽52和第四凹槽62的形状相同，为矩形状，第一凸起31设置在第二凹槽61内，第三凸起32设置在第四凹槽62内，第二凸起41设置在第一凹槽51内，第四凸起42设置在第三凹槽52内，使得第一交界电极110和第二交界电极210相互嵌合，两者的侧边咬合在一起，形成折线形的补偿交界线。在示例性实施方式中，第一凸起31和第二凸起41的高度和宽度相同，第一凹槽51和第二凹槽61的深度和宽度相同，第三凸起32和第四凸起42的高度和宽度相同，第三凹槽52和第四凹槽62的深度和宽度相同。

在示例性实施方式中，第三凸起32的宽度可以为第一凸起31的宽度l1的1/5～2/3，第四凸起42的宽度可以为第二凸起41的宽度l1的1/5～2/3，第三凹槽52的宽度可以为第一凹槽51的宽度l2的1/5～2/3，第四凹槽62的宽度可以为第二凹槽61的宽度l2的1/5～2/3。

在示例性实施方式中，第三凸起32的高度可以为第一凸起31的高度h1的1/2～2/3，第四凸起42的高度可以为第二凸起41的高度的1/2～2/3，第三凹槽52的深度可以为第一凹槽51的深度h2的1/2～2/3，第四凹槽62的深度可以为第二凹槽61的深度h2的1/2～2/3。

在示例性实施方式中，第三凸起32的位置可以设置在第一凸起31的中部，第四凹槽62的位置可以设置在第二凹槽61的中部。或者，第三凸起32的位置可以设置在第一凸起31的一侧，第四凹槽62的位置可以设置在第二凹槽61的一侧。

在示例性实施方式中，第四凸起42的位置可以设置在第二凸起41的中部，第三凹槽52的位置可以设置在第一凹槽51的中部。或者，第四凸起42的位置可以设置在第二凸起41的一侧，第三凹槽52的位置可以设置在第一凹槽51的一侧。

在示例性实施方式中，第一凸起的高度可以等于基准凸起的高度，第二凹槽的深度可以等于基准凹槽的深度，这样，本公开示例性实施例所设置第三凸起和第四凹槽增加了第一交界电极与第二交界电极之间补偿交界线的长度。

在示例性实施方式中，第二凸起的高度可以等于基准凸起的高度，第一凹槽的深度可以等于基准凹槽的深度。这样，本公开示例性实施例所设置第四凸起和第三凹槽增加了第一交界电极与第二交界电极之间补偿交界线的长度。

在示例性实施方式中，每个第一凸起31上可以设置1～3个第三凸起32，每个第一凹槽51内可以设置1～3个第三凹槽52，每个第二凸起41上可以设置1～3个第四凸起42，每个第二凹槽61内可以设置1～3个第四凹槽62。

图11为本公开示例性实施例又一种补偿结构的示意图，为图9中c2区域的放大图。如图11所示，第一交界电极110的第一侧边上设置有第一凸起31和第一凹槽51，第二交界电极210的第二侧边上设置有第二凸起41和第二凹槽61。在示例性实施方式中，第一凸起31上还设置有2个第三凸起32，第一凹槽51内还设置有2个第三凹槽52，第二凸起41上还设置有2个第四凸起42，第二凹槽61内还设置有2个第四凹槽62，使得第一交界电极与第二交界电极之间形成叉指状的补偿交界线。

在示例性实施方式中，可以设置第一凸起和第一凹槽的数量和几何尺寸分别与基准凸起和基准凹槽的数量和几何尺寸相同，通过设置第三凸起和第四凸起的数量和几何尺寸来调整第一交界电极与第二交界电极之间补偿交界线的长度，进而调整轮廓有缺失的触控电极的互容值和容差值，使得轮廓有缺失的触控电极的互容值和容差值与轮廓未缺失的触控电极的互容值和容差值趋于一致。

虽然图8和图10以交界电极采用透明电极形式为例进行了说明，但本公开不限于该结构。在示例性实施方式中，第一交界电极和第二交界电极可以采用金属网格形式。

虽然前述示例性实施例以触控结构层上部边缘为例进行了说明，但本公开不限于该位置。在示例性实施方式中，轮廓有缺失的触控电极可以位于触控结构层的下部边缘、左侧边缘、右侧边缘、四个角部或安装孔位置。

图12-1为本公开示例性实施例一种仿真试验用触控电极的示意图，驱动电极和感应电极采用金属网格形式。如图12-1所示，4个触控电极包括2个轮廓未缺失的驱动电极和2个轮廓未缺失的感应电极。仿真结果表明，对于轮廓未缺失的触控电极，无手指触摸时驱动电极和感应电极之间的互容值cm约为0.991pf，有手指触摸时驱动电极和感应电极之间的互容值cm′约为0.932pf，轮廓未缺失的触控电极的容差值△cm约为0.059pf。

图12-2为本公开示例性实施例另一种仿真试验用触控电极的示意图，驱动电极和感应电极采用金属网格形式。如图12-2所示，4个触控电极包括1个轮廓有缺失的驱动电极、1个轮廓未缺失的驱动电极和2个轮廓未缺失的感应电极，轮廓有缺失的驱动电极位于边缘，没有进行补偿设计。仿真结果表明，对于轮廓有缺失的触控电极，无手指触摸时驱动电极和感应电极之间的互容值cm约为0.847pf，有手指触摸时驱动电极和感应电极之间的互容值cm′约为0.794pf，轮廓未缺失的触控电极的容差值△cm约为0.053pf。因此，触控电极轮廓缺失会导致其互容值减小，会导致其容差值减小。

图12-3为本公开示例性实施例又一种仿真试验用触控电极的示意图，驱动电极和感应电极采用金属网格形式。如图12-3所示，4个触控电极包括1个轮廓有缺失的驱动电极、1个轮廓未缺失的驱动电极和2个轮廓未缺失的感应电极，轮廓有缺失的驱动电极位于边缘，采用本公开提出的技术方案进行了补偿设计。轮廓未缺失的触控电极的侧边设置有基准凸起和基准凹槽，轮廓有缺失的触控电极的侧边设置有第一凸起和第一凹槽，第一凸起的数量多于基准凸起的数量，第一凹槽的数量多于基准凹槽的数量，增加了驱动电极与感应电极之间的接触面积。仿真结果表明，对于轮廓有缺失但进行了补偿的触控电极，无手指触摸时驱动电极和感应电极之间的互容值cm提高到约0.986pf，有手指触摸时驱动电极和感应电极之间的互容值cm′提高到约0.927pf，轮廓未缺失的触控电极的容差值△cm补偿至约0.059pf。由此可见，轮廓有缺失的触控电极经过补偿后，其互容值和容差值与轮廓未缺失的触控电极的互容值和容差值相近，补偿效果明显。

本公开示例性实施例还对角部区域的补偿设计进行了仿真试验，仿真结果表明，即使对于轮廓缺失严重的角部区域，触控电极经过补偿后的互容值和容差值降低较小，相比补偿前有了明显提升。

综上，本公开示例性实施例补偿结构可以使轮廓有缺失的触控电极的互容值和容差值与轮廓未缺失的触控电极的互容值和容差值保持一致，能够大大提升边缘、角部和安装孔等区域的触控性能，提高了触控性能均一性，提高了触控性能。

本公开触控显示面板可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本公开还提供了一种触控结构，包括第一区域和第二区域，所述第一区域中的触控电极为轮廓未缺失的触控电极，所述第二区域中的触控电极为轮廓有缺失的触控电极；所述第一区域中的触控电极包括至少一个与所述第二区域中的触控电极邻接的第一交界电极，以及至少一个不与所述第二区域中的触控电极邻接的第一非交界电极，所述第二区域中的触控电极包括至少一个与所述第一交界电极邻接的第二交界电极；

所述第一交界电极包括与所述第二交界电极邻接的第一侧边，所述第二交界电极包括与所述第一交界电极邻接的第二侧边；所述第一侧边和第二侧边设置有补偿结构，所述补偿结构配置为使所述第一侧边与第二侧边之间形成补偿交界线，所述补偿交界线的长度大于基准交界线的长度；所述基准交界线是所述第一非交界电极的一个侧边与邻接的触控电极的一个侧边之间形成的交界线。

在一些可能的实现方式中，

所述补偿结构包括设置在所述第一侧边上的第一凸起和设置在所述第二侧边上的第二凹槽，所述第一凸起设置在所述第二凹槽内，使所述第一侧边和第二侧边形成折线形的补偿交界线；或者，

所述补偿结构包括设置在所述第一侧边上的第一凹槽和设置在所述第二侧边上的第二凸起，所述第二凸起设置在所述第一凹槽内，使所述第一侧边和第二侧边形成折线形的补偿交界线；或者，

所述补偿结构包括设置在所述第一侧边上的第一凸起和第一凹槽，以及设置在所述第二侧边上的第二凸起和第二凹槽，所述第一凸起设置在所述第二凹槽内，所述第二凸起设置在所述第一凹槽内，使所述第一侧边和第二侧边形成折线形的补偿交界线。

在一些可能的实现方式中，所述第一凸起设置在相邻的第一凹槽之间，所述第二凸起设置在相邻的第二凹槽之间。

在一些可能的实现方式中，所述第一凸起的宽度为相邻的第二凹槽之间距离的1/5～2/3，所述第二凸起的宽度为相邻的第一凹槽之间距离的1/5～2/3。

在一些可能的实现方式中，所述第一侧边上的第一凸起的数量为1个～5个，所述第一侧边上的第一凹槽的数量为1个～5个，所述第二侧边上的第二凸起的数量为1个～5个，所述第二侧边上的第二凹槽的数量为1个～5个。

在一些可能的实现方式中，所述第一凸起、第二凸起、第一凹槽和第二凹槽的形状包括如下任意一种或多种：三角形、矩形、梯形、半圆形和半椭圆形。

在一些可能的实现方式中，所述第一非交界电极的侧边和邻接的触控电极的侧边设置有基准凸起，或者设置有基准凹槽，或者设置有基准凸起和基准凹槽，形成折线形的基准交界线。

在一些可能的实现方式中，所述第一交界电极的第一侧边上设置第一凸起的数量大于所述第一非交界电极的侧边上设置基准凸起的数量；或者，所述第一交界电极的第一侧边上设置第一凹槽的数量大于所述第一非交界电极的侧边上设置基准凹槽的数量；或者，所述第一交界电极的第一侧边上设置第一凸起和第一凹槽的数量分别大于所述第一非交界电极的侧边上设置基准凸起和基准凹槽的数量。

在一些可能的实现方式中，所述第一交界电极的第一凸起的高度大于所述第一非交界电极的基准凸起的高度；或者，所述第一交界电极的第一凹槽的深度大于所述第一非交界电极的基准凹槽的深度；或者，所述第一交界电极的第一凸起的高度和第一凹槽的深度分别大于所述第一非交界电极的基准凸起的高度和基准凹槽的深度。

在一些可能的实现方式中，

所述第一交界电极的第一凸起上设置有至少一个第三凸起，所述第二交界电极的第二凹槽内设置有至少一个第四凹槽，所述第三凸起设置在所述第四凹槽内；或者，

所述第一交界电极的第一凹槽内设置有至少一个第三凹槽，所述第二交界电极的第二凸起上设置有至少一个第四凸起，所述第四凸起设置在所述第三凹槽内；或者，

所述第一交界电极的第一凸起上设置有至少一个第三凸起，所述第一交界电极的第一凹槽内设置有至少一个第三凹槽，所述第二交界电极的第二凸起上设置有至少一个第四凸起，所述第二交界电极的第二凹槽内设置有至少一个第四凹槽，所述第三凸起设置在所述第四凹槽内，所述第四凸起设置在所述第三凹槽内。

在一些可能的实现方式中，所述第三凸起的宽度为第一凸起的宽度的1/5～2/3，所述第四凸起的宽度为第二凸起的宽度的1/5～2/3，所述第三凹槽的宽度为第一凹槽的宽度的1/5～2/3，所述第四凹槽的宽度为第二凹槽的宽度l2的1/5～2/3。

在一些可能的实现方式中，每个第一凸起上设置1～3个第三凸起，每个第一凹槽内设置1～3个第三凹槽，每个第二凸起上设置1～3个第四凸起，每个第二凹槽内设置1～3个第四凹槽。

在一些可能的实现方式中，所述触控结构包括叠设的桥接层、绝缘层和触控层，所述触控层包括沿第一方向交替设置且依次连接的多个第一触控电极和多个第一连接部，以及沿第二方向间隔设置的多个第二触控电极，所述桥接层包括连接桥，所述连接桥与相邻的第二触控电极连接；所述第一方向与所述第二方向相交。

在一些可能的实现方式中，所述第一触控电极和第二触控电极为透明电极，或者为金属网格。

在一些可能的实现方式中，所述第一交界电极为第一触控电极，所述第二交界电极为第二触控电极；或者，所述第一交界电极为第二触控电极，所述第二交界电极为第一触控电极。

本申请中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本申请的权利要求的范围当中。