技术特征：
1.一种数据库，包括气味的数字化特征，该数字化特征包括气味数据，该气味数据包括响应信号，该响应信号是对应于产生响应信号的发生器的第一数据和对应于用于产生响应信号的预定刺激的第二数据的函数；其中，数字化特征包括二进制数据；并且其中响应信号是发生器对预定刺激的可测量响应，所述刺激是发生器的电阻或阻抗的电特性变化的函数。2.如权利要求1所述的数据库，其中产生响应信号的发生器是在具有多个mos传感器像素的传感器阵列中包含金属氧化物半导体(mos)活性材料的传感器像素，所述mos活性材料选自具有下列成员的mos活性材料组：sno2、v2o5、wo3、zno、teo2、tio2、cuo、ceo2、al2o3、zro2、v2o3、fe2o3、mo2o3、nd2o3、la2o3、nb2o5、ta2o5、in2o3、geo2、ito、或它们的组合。3.根据权利要求1所述的数据库，其中具有多个mos传感器像素的mos传感器阵列中的一个或多个mos传感器像素可以由相同的mos活性材料构成并且可以同时被加热到不同的温度以便以更有效的方式检测来自分析物的响应信号，其中分析物包括挥发性有机化合物(voc)、烟雾或气化或汽化的固体。4.根据权利要求1所述的数据库，其中，所述预定刺激是一系列预定温度，其落在100℃到500℃之间的温度范围内，增量为20℃或更小，并且所述温度范围由具多个mos传感器像素的传感器阵列中的一个或多个单独的mos传感器像素所实现。5.如权利要求1所述的数据库，其中所述气味数据以计算机可读阵列格式排列并包括数据结构，其中置于第一向量的第一数据是对应于产生响应信号的具mos活性材料的发生器和置于第二向量的第二数据是对应于预定刺激，并且响应信号的对应值位于第一向量与第二向量的交点处。6.如权利要求1所述的数据库，还包括与气味数据相关联的嗅感条件数据。7.如权利要求6所述的数据库，其中与气味数据相关联的嗅感条件数据包括气味数据的来源、环境湿度、地理位置座标、地理位置的温度数据以及产生气味数据的日期和时间。8.如权利要求7所述的数据库，其中，所述地理位置座标对应于经度、纬度和高度。9.权利要求1的数据库，其中气味的数字化特征存储在与计算机可执行程序代码相关联的计算机可读存储介质上的数据结构中。10.权利要求1的数据库，其中对气味数据进行归一化并生成热图。11.根据权利要求1所述的数据库，其中所述数据库是气味信息的数据库并且包括多种气味的感测数据，并且可以针对由分析物产生的多种气味对其进行更新，其中所述分析物包括挥发性有机化合物(voc)、烟雾或气化或汽化固体。12.一种包括传感器和数据库的系统，所述数据库包括：包括气味数据的气味的数字化特征，其中所述气味数据包括响应信号，所述响应信号是对应于产生响应信号的材料类型(发生器)的第一数据和对应于用以产生响应信号的预定刺激的第二数据的函数；与气味数据相关联的嗅感条件数据，其中嗅感条件数据包括产生气味数据的条件和气味数据的索引；其中，气味数据存储在与计算机可执行程序代码相关联的计算机可读存储介质上的数据结构中；其中数据结构包括以计算机可读阵列或热图格式排列的气味数据；
并且其中响应信号是发生器对预定刺激的可测量响应，其是发生器中电阻或阻抗的电特性变化的函数。13.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述传感器是金属氧化物半导体(mos)传感器阵列，其具有多个具有mos活性材料的mos传感器像素。14.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述传感器具有带有逻辑功能的处理器，其被配置为将气味数据组装到数据库中。15.如权利要求12所述的系统，其中对应于材料类型的第一数据是mos活性材料类型数据。16.如权利要求12所述的系统，其中对应于所述预定刺激的第二数据是一系列预定温度值。17.如权利要求12所述的系统，其中所述计算机可执行程序代码被配置为可由处理器对未知气味进行分析。18.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述计算机可执行程序代码使用数学方法来查询气味信息并可使用所述气味数据的归一化值。19.如权利要求12所述的系统，其中所述计算机可执行程序代码使用图像处理软件或图像识别软件来查询气味信息并可使用所述气味数据的热图。20.如权利要求12所述的系统，其中气味数据的索引有助于从数据库中快速检索以取得记录信息。
技术总结
公开了一种包括气味的数字化特征的数据库，该数字化特征包括气味数据，该气味数据包括响应信号，该响应信号是对应于产生响应信号的发生器的第一数据和对应于用于生成响应信号的预定刺激的第二数据的函数，其中数字化特征包括二进制数据，其中响应信号是发生器对预定刺激的可测量响应，预定刺激是发生器中电阻或阻抗的电特性变化的函数。其中产生气味相关响应信号的发生器是在具有多个金属氧化物半导体(MOS)传感器像素的传感器阵列中包含MOS活性材料的传感器像素，该MOS传感器像素具有可暴露于气相环境中的分析物的MOS活性材料，并且预定刺激是一系列预定温度。并且预定刺激是一系列预定温度。并且预定刺激是一系列预定温度。
技术研发人员：苏星 吴开原
受保护的技术使用者：吴开原
技术研发日：2021.08.24
技术公布日：2022/3/11