一种内存测试方法和装置与流程

1.本技术涉及内存测试技术领域，具体而言，涉及一种内存测试方法和装置。


背景技术：

2.计算机里面所有程序的运行都离不开内存，所以内存的性能以及品质对计算机的影响非常大。服务器作为一种高性能计算机，比普通计算机运行速度更快，负载更高，作为网络的节点，存储、处理网络上的各类数据、信息，对于一家生产服务器厂商来说，服务器的安全可靠是对客户最基本的保证，目前服务器中内存故障依旧占比很高，如何保证内存部件的质量，成为各大服务器厂商提升产品质量的重要关卡。
3.目前，服务器厂商对内存的测试一般采用软件进行测试，例如基于linux系统的内存测试软件memtester来捕获内存错误，但这样的测试方式下，由于内存的部分存储空间会被bios，os，挂载设备的驱动预留空间和测试程序本身所占据而导致无法被测试到，造成潜在的质量风险，进而使得目前缺乏对内存质量深度分析的有效手段。


技术实现要素：

4.本技术实施例的目的在于提供一种内存测试方法和装置，用以解决目前内存测试方案无法对内存质量进行深度测试分析，从而使得内存存在潜在的质量风险的问题。
5.第一方面，本发明提供一种内存测试方法，所述方法包括：利用预设的测试模板对待测试内存进行测试，根据测试结果判断待测试内存为非残次品时，对待测试内存进行综合测试；该综合测试包括：在预设的多类工作环境下对待测试内存中每个颗粒的内存参数进行参数分析，获得待测试内存的第一静态分析测量值，第一静态分析测量值为在多类工作环境下，待测试内存的所有颗粒中的内存参数的下限值；以及第一静态分析测量值不满足预设的第一标准阈值时，确定待测试内存为残次品。
6.在上述设计的内存测试方法中，本方案首先利用预设的测试模板对待测试内存进行测试来初步判断待测试内存是否为残次品，在待测试内存不为残次品的基础上，本方案采用综合测试来对初筛不为残次品的待测试内存进行进一步的深度质量分析，进而对内存质量进行更准确的评判，从而有效识别并拦截低品质内存。在综合测试中，通过在多类工作环境下对所述待测试内存的内存参数进行参数分析，获取内存的多个颗粒在多类工作环境下的参数下限值，其中参数下限值即为在测试环境中取得的边界值，其可用于评价内存在极限环境下的运行能力，从而综合评定出内存的优劣。
7.在第一方面的可选实施方式中，所述综合测试还包括老化测试，所述方法还包括：当第一静态分析测量值满足预设的第一标准阈值时，利用预设测试模板，在不同的预设温度下对第一静态分析测量值满足预设的第一标准阈值的待测试内存进行测试，获得老化测试结果，其中，该老化测试结果包括为残次品或为非残次品。
8.在上述设计的实施方式中，本方案对第一静态分析测量值满足预设的第一标准阈值的待测试内存进一步进行老化测试，根据老化测试结果来对待测试器件是否为残次品进
行判定，从而更加全面地对待测试内存的质量进行分析测试，从而更加有效地拦截低品质内存。
9.在第一方面的可选实施方式中，该综合测试还包括：在预设的多类工作环境下对老化测试结果为非残次品的待测试内存中每个颗粒的内存参数进行参数分析，获得老化测试结果为非残次品的待测试内存的第二静态分析测量值，该第二静态分析测量值为在多类工作环境下，老化测试结果为非残次品的待测试内存的所有颗粒中的内存参数的下限值；根据第二静态分析测量值判断待测试内存是否为残次品。
10.在第一方面的可选实施方式中，根据所述第二静态分析测量值判断待测试内存是否为残次品，包括：判断第二静态分析测量值是否满足预设的第一标准阈值；若第二静态分析测量值不满足预设的第一标准阈值，则确定待测试内存为残次品。
11.在上述设计的实施方式中，本方案对老化测试结果不为残次品的待测试内存进行进一步的参数分析，从而根据老化测试结果不为残次品的待测内存的第二静态分析测量值来对待测试内存是否为残次品进行判断，从而更加深度分析老化测试后待测试内存的内存参数，从而更加全面地对待测试内存的质量进行分析测试。
12.在第一方面的可选实施方式中，若第二静态分析测量值满足预设的第一标准阈值，则判断第一静态分析测量值与第二静态分析测量值的差值是否在预设阈值范围内；若差值没有在预设阈值范围内，则确定待测试内存为残次品。
13.在上述设计的实施方式中，本方案将两次参数分析得到的第一静态分析测量值和第二静态分析测量值进行比较，进而根据二者的差值是否在预设阈值范围来判定待测试内存是否为残次品，从而通过比较待测试内存在老化测试前和老化测试后的内存参数的差异，进而基于差异来更加准确的判定待测试内存的质量。
14.在第一方面的可选实施方式中，该综合测试还包括idd电流测试，在根据第二静态分析测量值判断待测试内存为非残次品之后，该方法还包括：对根据第二静态分析测量值判断待测试内存为非残次品的待测试内存进行idd电流测试，获得待测试内存的耗电量曲线图；以及根据预设的对比曲线图和待测试内存的耗电量曲线图确定待测试内存是否为残次品。
15.在第一方面的可选实施方式中，该综合测试还包括信号完整性测试，在idd电流测试之后，该方法还包括：对idd电流测试为非残次品的待测试内存进行信号完整性测试，以判断待测试内存的信号是否存在缺失；若存在缺失，则确定待测试内存为残次品。
16.在上述设计的实施方式中，本方案中的综合测试还包括idd电流测试和信号完整性测试，从而来更加全面深度地对待测试内存进行测试。
17.在第一方面的可选实施方式中，利用预设的测试模板对待测试内存进行测试，判断待测试内存是否为残次品，包括：利用预设测试模板对待测试内存进行测试，该预设测试模板为所有内存参数均满足预设的第二标准阈值的测试模板；若待测试内存未满足预设测试模板，则确定待测试内存为残次品；若待测试内存满足预设测试模板则确定待测试内存为非残次品。
18.在第一方面的可选实施方式中，预设测试模板包括第一预设测试模板和第二预设测试模板，第一预设测试模板和第二预设测试模板对应的内存性能等级不同，第一预设测试模板为所有内存参数均满足预设的第二标准阈值的测试模板，第二预设测试模板为所有
内存参数均满足预设的第三阈值的测试模板，第三阈值低于第二标准阈值；利用预设的测试模板对待测试内存进行测试，判断所述待测试内存是否为残次品，包括：利用第一预设测试模板对待测试内存进行测试，若待测试内存的各项内存参数中存在至少一项内存参数未满足对应的预设的第二标准阈值，则确定待测试内存为残次品；若待测试内存的各项内存参数均满足预设的第二标准阈值，则利用第二预设测试模板对待测试内存进行测试；若待测试内存的各项内存参数中存在至少一项内存参数未满足对应的预设的第三标准阈值，则确定待测试内存为标准品；若待测试内存的各项内存参数均满足预设的第三标准阈值，则确定待测试内存为优品。
19.在上述设计的实施方式中，本方案利用多个预设测试模板并且每个预设测试模板对应一个内存性能等级，进而使得待测试内存经过多个预设测试模板的测试后可以实现分级，从而初步确定待测试内存的质量。
20.第二方面，本发明提供一种内存测试装置，该装置包括：测试判断模块，用于利用预设的测试模板对待测试内存进行测试，根据测试结果判断待测试内存为非残次品时，对待测试内存进行综合测试；综合测试模块，用于在预设的多类工作环境下对待测试内存中每个颗粒的内存参数进行参数分析，获得待测试内存的第一静态分析测量值，第一静态分析测量值为在多类工作环境下，待测试内存的所有颗粒中的内存参数的下限值；以及当第一静态分析测量值不满足预设的第一标准阈值时，确定待测试内存为残次品。
21.在上述设计的内存测试装置中，本方案首先利用预设的测试模板对待测试内存进行测试来初步判断待测试内存是否为残次品，在待测试内存不为残次品的基础上，本方案采用综合测试模块来对初筛不为残次品的待测试内存进行进一步的深度质量分析，进而对内存质量进行更准确的评判，从而有效识别并拦截低品质内存。在综合测试模块中，通过在多类工作环境下对所述待测试内存的内存参数进行参数分析，获取内存的多个颗粒在多类工作环境下的参数下限值，其中参数下限值即为在测试环境中取得的边界值，其可用于评价内存在极限环境下的运行能力，从而综合评定出内存的优劣。
22.在第二方面的可选实施方式中，所述综合测试模块还用于进行老化测试，包括：当第一静态分析测量值满足预设的第一标准阈值时，利用预设测试模板，在不同的预设温度下对所述第一静态分析测量值满足预设的第一标准阈值的待测试内存进行测试，获得老化测试结果，其中，该老化测试结果包括为残次品或为非残次品。
23.在第二方面的可选实施方式中，所述综合测试模块还用于在预设的多类工作环境下对老化测试结果为非残次品的待测试内存中每个颗粒的内存参数进行参数分析，获得老化测试结果为非残次品的待测试内存的第二静态分析测量值，该第二静态分析测量值为在多类工作环境下，老化测试结果为非残次品的待测试内存的所有颗粒中的内存参数的下限值；根据第二静态分析测量值判断待测试内存是否为残次品。
24.在第二方面的可选实施方式中，所述综合测试模块还用于进行idd电流测试，包括：对根据第二静态分析测量值判断待测试内存为非残次品的待测试内存进行idd电流测试，获得待测试内存的耗电量曲线图；以及根据预设的对比曲线图和待测试内存的耗电量曲线图确定待测试内存是否为残次品。
25.在第二方面的可选实施方式中，所述综合测试模块还用于进行信号完整性测试，包括：对idd电流测试为非残次品的待测试内存进行信号完整性测试，以判断待测试内存的
信号是否存在缺失；若存在缺失，则确定待测试内存为残次品。
26.第三方面，本技术提供一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时执行第一方面、第一方面的任一可选的实现方式中的所述方法。
27.第四方面，本技术提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时执行第一方面、第一方面的任一可选的实现方式中的所述方法。
28.第五方面，本技术提供了一种计算机程序产品，所述计算机程序产品在计算机上运行时，使得计算机执行第一方面、第一方面的任一可选的实现方式中的所述方法。
附图说明
29.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
30.图1为本技术实施例提供的内存测试方法的第一流程图；
31.图2为本技术实施例的待测试内存的分级测试流程图；
32.图3为本技术实施例提供的内存测试方法的第二流程图；
33.图4为本技术实施例提供的内存测试方法的第三流程图；
34.图5为本技术实施例提供的内存测试方法的第四流程图；
35.图6为本技术实施例提供的眼图示例图；
36.图7为本技术实施例提供的综合测试的示例图；
37.图8为本技术实施例提供的内存测试装置的结构示意图；
38.图9为本技术实施例提供的电子设备的结构示意图。
39.图标：800-测试判断模块；810-综合测试模块；9-电子设备；901-处理器；902-存储器；903-通信总线。
具体实施方式
40.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行描述。
41.本技术实施例提供一种内存测试方法，该内存测试方法可应用于计算设备，该计算设备可为计算机或服务器，从而对内存质量进行深度分析，如图1所示，该内存测试方法包括如下步骤：
42.步骤s100：利用预设的测试模板对待测试内存进行测试，根据测试结果判断待测试内存为非残次品时，转到步骤s110。
43.步骤s110：对待测试内存进行综合测试，该综合测试包括在预设的多类工作环境下对待测试内存的内存参数进行参数分析，获得待测试内存的第一静态分析测量值。
44.步骤s120：判断第一静态分析测量值是否满足预设的第一标准阈值；若不满足预设的第一标准阈值，则转到步骤s130。
45.步骤s130：确定待测试内存为残次品。
46.在步骤s100中，预设的测试模板的数量可为一个，也可以为多个。
47.作为一种可能的实施方式，当预设的测试模板为一个时，该预设的测试模板可根据内存参数均满足预设的第二标准阈值确定，具体的，该预设的测试模板可根据内存参数均满足jedec标准设定。
48.在此基础上，可利用该预设的测试模板对待测试内存进行测试，如果该待测试内存的内存参数均满足jedec标准，即可确定该待测试内存为非残次品；如果待测试内存的内存参数中存在至少一个内存参数不满足对应的jedec标准，则说明待测试内存的内存参数中有内存参数达不到设定的标准，从而确定该待测试内存为残次品。其中，残次品表示的是质量不满足标准要求的内存。
49.作为另一种可能的实施方式，当预设的测试模板为多个时，本方案可首先利用测试工具对样本内存的各个内存参数的边界值进行测量，并记录每个内存参数的参数临界点，然后按照内存参数设置的松紧程度将测试模板分为多个。
50.以预设的测试模板的数量为2组为例，其分别为第一预设测试模板和第二预设测试模板，其中，第一预设测试模板表示各项内存参数均满足jedec标准设定，第二预设测试模板表示各项内存参数基于jedec标准设定进行一定程度的加严；具体的，第一预设测试模板可根据内存参数均满足第二标准阈值设定，第二预设测试模板可根据内存参数均满足第三阈值设定，第三阈值低于第二标准阈值，其中，第二标准阈值可为前述的jedec标准，jedec标准表示的是内存参数需满足的最低要求，第三阈值则表示相对于jedec标准来说对内存参数的要求更严格。例如，针对内存参数中的某一个参数，如列地址选通脉冲的延迟时间cl，该内存参数cl的第二标准阈值即jedec标准为一个数值较大的阈值，假设其第二标准阈值为5，其中，数值越小表示对内存参数越严格，那么设定的第三阈值则比第二标准阈值数值小，如其可以为3或2等。
51.在上述设计的第一预设测试模板和第二预设测试模板的基础上，如图2所示，本方案首先利用第一预设测试模板对待测试内存进行基于jedec标准测试，若待测试内存的各项内存参数中存在任意一项内存参数未满足对应的jedec标准设定，则确定该待测试内存为残次品。其中，若确定待测试内存为残次品，则可以直接将该内存退回给厂家。
52.若待测试内存的各项内存参数均满足jedec标准设定，则利用第二预设测试模板对待测试内存进行测试，若待测试内存各项内存参数中存在任意一项内存参数未满足对应的加严的jedec标准设定，则确定该待测试内存为标准品；若待测试内存的各项内存参数均满足加严的jedec标准设定，则确定该待测试内存为优品。
53.其中，标准品表示质量满足标准要求的内存，优品表示质量不仅满足标准要求而且健壮性优秀的内存。
54.通过上述分为多个预设测试模板的方式可实现对待测试内存进行质量分级。
55.这里需要说明的是，前述的预设测试模板可通过将kti内存测试仪中的多种测试算法组合生成。
56.前述步骤s100只是对内存质量的初始评判，在步骤s100的基础上，本方案还执行步骤s110对模板测试结果为非残次品的待测试内存进行综合测试，从而实现更加全面深度的质量分析，其中，不管前述预设测试模板对待测试内存是否进行分级，只要为非残次品的待测试内存均执行步骤s110进行综合测试。
57.在步骤s110中，综合测试可包括第一次参数分析测试，该第一次参数分析测试包
括在预设的多类工作环境下对待测试内存的内存参数进行参数分析，获得待测试内存的第一静态分析测量值。
58.作为一种可能的实施方式，该内存参数可包括列地址选通脉冲的延迟时间cl、行地址传输到列地址的延迟时间trcd、行地址选通脉冲的预充电时间trp、静态等待时间delay、写恢复延时twr以及行刷新周期时间trfc六个时序参数。
59.针对上述六个时序参数，在三组电压(1.14v，1.20v，1.26v)和两个温度条件(常温，高温85℃)的多类环境条件下对待测试内存进行参数分析，即做参数profiler，从而可以获得在每一类环境下待测试内存的所有颗粒的参数值，从而可以找出在上述的多类环境条件下，待测试内存的多个颗粒中的参数下限值，从而获得待测试内存的第一静态分析测量值。其中参数下限值即为在测试环境中取得的边界值，其可用于评价内存在极限环境下的运行能力。
60.在上述基础上，本方案执行步骤s120判断第一静态分析测量值是否满足预设的第一标准阈值，从而确定待测试内存是否为残次品，其中，预设的第一标准阈值与可以为待测试内存对应品类的静态分析测量值的jedec标准值，从而在第一静态分析测量值不满足预设的第一标准阈值时，执行步骤s130确定待测试内存为残次品。即该待测试内存虽然满足步骤s100的初步筛选，但在本方案的步骤s110的深度质量分析的情况下不满足要求。
61.在上述设计的内存测试方法中，本方案首先利用预设的测试模板对待测试内存进行测试来初步判断待测试内存是否为残次品，在待测试内存不为残次品的基础上，本方案采用综合测试来对初筛不为残次品的待测试内存进行进一步的深度质量分析，进而对内存质量进行更准确的评判，从而有效识别并拦截低品质内存。在综合测试中，通过在多类工作环境下对所述待测试内存的内存参数进行参数分析，获取内存的多个颗粒在多类工作环境下的参数下限值，其中参数下限值即为在测试环境中取得的边界值，其可用于评价内存在极限环境下的运行能力，从而综合评定出内存的优劣。
62.在本实施例的可选实施方式中，综合测试不仅可以包含前述的第一次参数分析测试，还可以对满足第一次参数分析测试的待测试内存进行老化测试，进而通过老化测试结果来确定待测试内存是否为残次品。
63.在步骤s120判断第一静态分析测量值满足第一标准阈值的基础上，本方案可执行老化测试，如图3所示，其可包括如下步骤：
64.步骤s300：利用预设测试模板，在不同的预设温度下对第一静态分析测量值满足预设的第一标准阈值的待测试内存进行测试，获得老化测试结果。
65.在步骤s300的老化测试过程中，本方案利用前述的预设测试模板，在不同的预设温度下对待测试内存在此进行测试，从而根据得到的老化测试结果。
66.其中，利用预设测试模板进行测试的过程与前述步骤s100的测试过程一致，在此基础上，在温度变化的情况下，待测试内存的各项内存参数如果均满足jedec标准设定，那么老化测试结果为待测试内存为非残次品；待测试内存的各项内存参数中任意一项如果不满足对应的jedec标准设定是，那么老化测试结果为待测试内存为残次品。
67.其中，不同的预设温度可设置两种，其分别为常温(20～30℃)和85℃，进而测试待测试内存在不同温度环境下的运行能力。
68.作为一种可能的实施方式，在老化测试时，本方案还可以增加测试时长，例如，可
让待测试内存在常温(20～30℃)和85℃基于预设测试模板测试24～48小时，从而在老化测试完成后依照各个内存参数的情况判断待测试内存是否为残次品，从而使得待测试内存在不同预设温度环境中长时间工作来测试待测试内存的质量。
69.在本实施例的可选实施方式中，老化测试过程可能会对待测试内存的质量造成了影响，但是该影响在通过预设测试模板的筛选中没有体现，使得该待测试内存通过了老化测试，在此基础上，本技术方案设计的综合测试还可以包括第二次参数分析测试，该第二次参数分析测试对老化测试结果为非残次品的待测试内存进行参数分析，进而更加深度的分析待测试内存的质量。
70.如图4所示，该第二次参数分析测试可包括如下步骤：
71.步骤s400：在预设的多类工作环境下对老化测试结果为非残次品的待测试内存的内存参数进行参数分析，获得老化测试结果为非残次品的待测试内存的第二静态分析测量值。
72.步骤s410：根据第二静态分析测量值判断待测试内存是否为残次品。
73.上述步骤s400与前述步骤s110中的参数分析过程一致，只不过步骤s400针对的是老化测试结果不为残次品的待测试内存，其中，该多类工作环境也可以为步骤s110中的三组电压(1.14v，1.20v，1.26v)和两个温度条件(常温，高温85℃)的多类环境条件，该第二静态分析测量值为在多类工作环境下，老化测试结果不为残次品的待测试内存的多个颗粒中的参数下限值。
74.在上述基础上，本方案可执行步骤s410根据获得的第二静态分析测量值判断老化测试结果不为残次品的待测试内存是否为残次品。
75.对于步骤s410，如图5所示，本方案可通过方式来判断老化测试结果不为残次品的待测试内存是否为残次品。
76.步骤s500：判断第二静态分析测量值是否满足预设的第一标准阈值，若满足，则转到步骤s510；若不满足，则转到步骤s520。
77.步骤s510：判断第一静态分析测量值与第二静态分析测量值的差值是否在预设阈值范围内，若否，则转到步骤s520；若是，则转到步骤s530。
78.步骤s520：确定待测试内存为残次品。
79.步骤s530：idd电流测试以及信号完整性测试。
80.对于步骤s500，其可与前述步骤s110的判定方式一致，可判断第二静态分析测量值是否满足预设的第一标准阈值，即判断第二静态分析测量值是否满足jedce标准；若不满足，则确定该待测试内存为残次品。
81.若第二静态分析测量值满足jedce标准，作为一种可能的实施方式，本方案可以确定该待测试内存质量符合要求。作为另一种可能的实施方式，本方案还可以执行步骤s510来进一步进行质量分析，具体是，本方案将第一静态分析测量值和第二静态分析测量值作差得到差值，然后判断二者的差值是否在预设阈值范围内，如果没有在预设阈值范围内，说明第一次参数分析测试的结果和第二次参数分析测试的结果差距过大，该待测试内存受到老化测试的影响较大，从而判定该待测试内存为残次品。其中，该预设阈值范围可根据经验设定。
82.在本实施例的可选实施方式中，为了进一步深度分析待测试内存的质量，在第二
参数分析测试得到待测试内存为非残次品的基础上，本方案还可以执行步骤s530 idd电流测试以及信号完整性测试。
83.该idd电流测试具体使用idd电流测试器件对待测试内存进行测试，得到待测试内存在各个电压以及不同温度条件下的耗电量曲线图，从而根据预设的对比曲线图和该待测试内存的耗电量曲线图来判定该待测试器件是否为残次品。
84.其中，该预设的对比曲线图可采用不同厂商同型号颗粒的内存的耗电曲线图，进而比较对比曲线图与待测试内存的耗电量曲线图，若差异过大，则确定该待测试内存为残次品。
85.若待测试内存经过idd电流测试后，其不属于残次品，则对该待测试内存进行信号完整性测试，该信号完整性测试可基于kti测试仪的眼图测试工具对该待测试内存的信号完整性进行测试，从而生成待测试内存的眼图。
86.如图6所示，该眼图中如果眼图完整，眼睛上下均不闭合，则确定信号完整性良好，从而确定该待测试内存不为残次品；若眼图不完整，眼睛上下均闭合，则确定信号存在缺失，从而确定该待测试内存为残次品。
87.在前述基础上，综合测试可总结为如图7所示的测试过程，本方案通过综合测试中的一种测试方案或多种测试方案结合来层层分析待测试内存的质量，从而对内存质量进行更准确的评判，从而有效识别并拦截低品质内存。
88.图8出示了本技术提供的内存测试装置的示意性结构框图，应理解，该装置与图1至图7中执行的方法实施例对应，能够执行前述的方法涉及的步骤，该装置具体的功能可以参见上文中的描述，为避免重复，此处适当省略详细描述。该装置包括至少一个能以软件或固件(firmware)的形式存储于存储器中或固化在装置的操作系统(operating system，os)中的软件功能模块。具体地，该装置包括：测试判断模块800，用于利用预设的测试模板对待测试内存进行测试，根据测试结果判断待测试内存为非残次品时，对待测试内存进行综合测试；综合测试模块810，用于在预设的多类工作环境下对待测试内存中每个颗粒的内存参数进行参数分析，获得待测试内存的第一静态分析测量值，第一静态分析测量值为在多类工作环境下，待测试内存的所有颗粒中的内存参数的下限值；以及当第一静态分析测量值不满足预设的第一标准阈值时，确定待测试内存为残次品。
89.在上述设计的内存测试装置中，本方案首先利用预设的测试模板对待测试内存进行测试来初步判断待测试内存是否为残次品，在待测试内存不为残次品的基础上，本方案采用综合测试来对初筛不为残次品的待测试内存进行进一步的深度质量分析，进而对内存质量进行更准确的评判，从而有效识别并拦截低品质内存。在综合测试模块中，通过在多类工作环境下对所述待测试内存的内存参数进行参数分析，获取内存的多个颗粒在多类工作环境下的参数下限值，其中参数下限值即为在测试环境中取得的边界值，其可用于评价内存在极限环境下的运行能力，从而综合评定出内存的优劣。
90.在本实施例的可选实施方式中，综合测试模块810还用于进行老化测试，包括：当第一静态分析测量值满足预设的第一标准阈值时，利用预设测试模板，在不同的预设温度下对所述第一静态分析测量值满足预设的第一标准阈值的待测试内存进行测试，获得老化测试结果，其中，该老化测试结果包括为残次品或为非残次品。
91.在本实施例的可选实施方式中，综合测试模块810还用于在预设的多类工作环境
下对老化测试结果为非残次品的待测试内存中每个颗粒的内存参数进行参数分析，获得老化测试结果为非残次品的待测试内存的第二静态分析测量值，该第二静态分析测量值为在多类工作环境下，老化测试结果为非残次品的待测试内存的所有颗粒中的内存参数的下限值；根据第二静态分析测量值判断待测试内存是否为残次品。
92.在本实施例的可选实施方式中，综合测试模块810还用于进行idd电流测试，包括：对根据第二静态分析测量值判断待测试内存为非残次品的待测试内存进行idd电流测试，获得待测试内存的耗电量曲线图；以及根据预设的对比曲线图和待测试内存的耗电量曲线图确定待测试内存是否为残次品。
93.在本实施例的可选实施方式中，综合测试模块810还用于进行信号完整性测试，包括：对idd电流测试为非残次品的待测试内存进行信号完整性测试，以判断待测试内存的信号是否存在缺失；若存在缺失，则确定待测试内存为残次品。
94.如图9所示，本技术提供一种电子设备9，包括：处理器901和存储器902，处理器901和存储器902通过通信总线903和/或其他形式的连接机构(未标出)互连并相互通讯，存储器902存储有处理器901可执行的计算机程序，当计算设备运行时，处理器901执行该计算机程序，以执行时执行任一可选的实现方式中的方法，例如步骤s100至步骤s110：利用预设的测试模板对待测试内存进行测试，根据测试结果判断待测试内存为非残次品时，对待测试内存进行综合测试，该综合测试包括在预设的多类工作环境下对待测试内存的内存参数进行参数分析，获得待测试内存的第一静态分析测量值，判断第一静态分析测量值是否满足预设的第一标准阈值；若不满足预设的第一标准阈值，则确定待测试内存为残次品。
95.本技术提供一种存储介质，该存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行时执行前述任一可选的实现方式中的方法。
96.其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器(static random access memory,简称sram)，电可擦除可编程只读存储器(electrically erasable programmable read-only memory,简称eeprom)，可擦除可编程只读存储器(erasable programmable read only memory,简称eprom)，可编程只读存储器(programmable red-only memory,简称prom)，只读存储器(read-only memory,简称rom)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
97.本技术提供一种计算机程序产品，该计算机程序产品在计算机上运行时，使得计算机执行任一可选的实现方式中的方法。
98.在本技术所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
99.另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
100.再者，在本技术各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
101.在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
102.以上所述仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。