，该信号被引导到晶体管SI。取决于晶体管SI的状态，可以通过电路212的晶体管S3来引导输出信号，从而触发设备216来断言PROCHOT#。
[0027]如图2中进一步地示出的，系统输入电压106被布置为流过包括电阻器Rl和电容器Cl的电路210。电阻器Rl和电容器Cl操作以对输入电压信号进行滤波，从而降低瞬时(短持续时间)电压漂移的振幅或者将其消除，如以下详述的。经滤波的系统输入电SVfiuek到达比较器A2的一个输入，而另一个输入操作以接收第二参考电压VKEF2。如图2中所示，如果Vfiuek的值超过第二参考电压V KEF2，则由比较器A2输出打开晶体管SI的栅极的信号并且从而传递从电路208生成的信号以触发控制信号214。在各种实施例中，￥_2可以高于或低于VKEF1。以这样的方式，并且如以下详述的，当由电流漂移引起的电压下降使未滤波的系统输入电压减少到低于第一参考电压时，并且当可以将电压下降过滤掉的经滤波的电压保持超过第二阈值时，欠电压保护组件110操作以输出用于减小平台功率的控制信号214。具体关于随后的图4至10来详述该布置的优点。
[0028]图3图示出提供欠电压保护并且可以被认为是图2的布置200的变体的另一个示例性布置300。如图3中所示，布置300提供欠电压保护组件110的不同的实施例。在该实施例中，除电路212之外，欠电压保护组件110还包括电路302和附加电路304。当馈送给第一输入的系统输入电压106超过参考电压Vkefi时，电路302与电路208类似地操作以从比较器Al输出信号。此外，与电路210的功能类似地，电路304被布置为当经滤波的系统输入电压Vkefi超过第二参考电压Vkefi时允许从电路302输出的信号触发控制信号214的断言。
[0029]在该稍后实施例中，电路304包括其栅极被耦合以接收从比较器A2输出的信号的晶体管。在该情况下，当经滤波的系统输入电压Vfi■超过第二参考电压V ■时从比较器A2输出的信号的电压电平可以使晶体管S2的栅极开启晶体管S2，从而使晶体管SI的栅极的电压电平为足以将比较器A2的输出信号传递到电路212的电平。因此，欠电压保护组件110的该实施例也操作以当由电流漂移引起的电压下降使未滤波的系统输入电压减少到低于第一参考电压时，并且当经滤波的电压保持超过第二阈值时，来输出用于减小平台功率的控制信号214。如本领域技术人员将容易地理解的，目前的实施例不限于图2和3中示出的示例的特定布置，这是因为可以容易地预见以类似方式进行动作以经由未滤波的和滤波的输入电压信号的使用来管理控制信号的断言的其它电路。
[0030]图4详述使本实施例的操作突出的、在一个操作情形中的各个电压信号的行为。在图4的上部中，示出了表示作为时间的函数的系统电池电压(VBAT)402的曲线。在这情形中，诸如系统100的系统可以与外部AC电源解耦合(uncouple)，使得电池向包括平台组件的设备供给功率。作为时间的函数，当一个或多个平台组件活动时，电池电荷可以消耗并且电压电平可以减低，如在图4中由电池电压402的电平的逐渐下降所示的。图4也图示出表示未滤波的系统输入电压404的曲线。该未滤波的系统输入电压404低于电池电压，而且也与电池电压402并行地下降。另外，在图4的情形中，未滤波的系统输入电压404表现出电压尖峰406的集合，其可以响应于电流尖峰而产生，如下面关于图6所讨论的。具体地，再次参考图1至3，如果诸如处理器116、图形处理器122和/或存储器124之类的组件操作以进入短暂时段的高功率模式或漂移，这样的模式可以导致(朝下的)电压尖峰406。这样的朝下的电压尖峰可以在近似地与平台组件的高功率操作的持续时间相同的持续时间内出现。
[0031 ] 在图4的情形中，为简单起见，假定每个高功率(高电流)漂移的功率水平大约是相同的水平并且在与每个其他高功率漂移类似的持续时间内发生。因此，在每一个电压尖峰406中，系统输入电压从基线电平410降低大约相同的量，并且在类似的持续时间内。然而，更一般地说，这样的电流和电压漂移的持续时间可以变化，并且在至操作的高功率模式的漂移期间的功率水平不需要对于每个漂移是相同的。因此，在一些情况下，电压尖峰406可以相互之间大体上不同。
[0032]图4也描绘经滤波的系统输入电压408，其表示从(未滤波的)系统输入电压404得来的滤波的信号。取决于滤波器的时间常数和电压尖峰406的持续时间，经滤波的系统输入电压可以通过与未滤波的系统输入电压404的曲线相比平滑得多的曲线来表征。如图4所图示的，经滤波的系统输入电压408表现出与电压尖峰406相比具有小得多的振幅和更长的持续时间的渐进的波动。
[0033]图4进一步地图示出以上已经讨论了其操作的两个不同的电压电平Vkefi和电平VKEF2。如所提出的，可以在欠电压保护电路中设置电平Vkefi以保证系统输入电压不下降至可以造成系统停机或平台组件114的其它不利操作的电平。因此，当未滤波的系统输入电压408下降到低于电平Vkefi时，自动地触发用于调整平台组件的操作以使系统输入电压408的电平超过Vkefi的控制信号。在一些示例中，Vkefi的电平大约是5至6.5 Vo实施例不受限于该上下文中。如图4中示出的，在时间T1，针对系统输入电压404的朝下的电压尖峰突破电压电平Vkefi。
[0034]如由图4中的后续的电压曲线特征所图示的，并且在以下更详细地解释的，欠电压保护电路可以生成对在时间T1的电压突破的响应。例如，如图1至3中所示的根据本实施例布置的欠电压保护组件可以以使得系统输入电压404快速地上升而超过VREF1、因此确保供应给平台组件的电压保持在安全操作电平的方式对该电压突破进行响应。具体地，电压尖峰412包括其中电压电平短暂地下降至低于电平Vkefi的初始窄尖峰部分414和其中电压电平超过Vkefi但是仍然低于基线410的较长持续时间尖峰部分416。较长持续时间尖峰部分416对应于高功率模式中的系统操作，其中电流电平低于与电压尖峰406相对应的电流电平。在窄尖峰部分414期间，虽然未滤波的系统输入电压404降到第一参考电压电平Vkefi之下，但经滤波的系统输入电压408保持超过第二参考电压电平VKEF2。因此，欠电压保护组件110操作以触发将被发送到平台组件220的控制信号214。
[0035]在图5中图示出控制信号的一个示例，其描绘作为时间的函数的PROCHOT#信号的信号电平502。在时间T1，生成PROCHOT信号脉冲504。与本实施例一致地，设备216可以是生成具有数个毫秒至数十毫秒的持续时间的脉冲的单稳态脉冲发生器(“一次完成的(one-shot)，，)。
[0036]响应于接收到PROCHOT#信号脉冲504，一个或多个组件可以降低操作电流。例如，处理器核(CPU)可以操作以在接收到PROCHOT#信号脉冲504之后在一百微秒至数毫秒的范围内的时间帧内调整电流。图6描绘用于诸如处理器核之类的平台组件的当前操作的示例。如所图示的，电流电平602包括其中电流在短持续时间内增加并且然后减小到基线电平的一系列电流脉冲604。在时间T1之前，电流脉冲604引起如上所述的电压尖峰406。在T1,当处理器核或其它元件进入高功率模式时，电流脉冲608引起电压尖峰412，其导致PROCHOT#信号脉冲504的生成。因为平台组件可以快速地调整电流电平，所以在电流脉冲608的时间期间调整电流的电平，导致初始窄高电流部分610和较长较低电流部分612。
[0037]随后，在系统功率水平返回到正常模式之后，任何附加的电流漂移可以被限制到较低的最大电流，如对于电流脉冲614所示。结果，由电流脉冲614所引起的后续电压尖峰418不像电压尖峰406那样显著，并且没有突破电压电平Vkefi。
[0038]其操作在图2至6中被描绘的布置的一个优点是，除当第一电压阈值被突破时提供欠电压保护之外，如果作为正常操作模式的特性的经滤波的基线(或“慢”)电压突破第二电压阈值，则防止控制信号的断言。这除其他外尤其防止可能不利地影响平台操作的PROCHOT#信号的不必要的连续的断言。
[0039]图7描绘进一步地图示出本实施例的操作的另一个情形。在图7的示例中，示出了电池电压702曲线以及系统输入电压曲线704和经滤波的系统输入电压706。在该示例中，由平台组件到高功率模式中的漂移可能引起未滤波的系统输入电压曲线704的电压尖峰708。如图7中所示，在时间T2，经滤波的系统输入电压706高于第二参考电压电平VKEF2。同时，电压尖峰710突破电压电平Vkefi，使得欠电压保护组件110可以断言PROCHOT#信号。图8图示出PROCHOT#信号802的定时，其示出在时间T2的脉冲804的生成。正如图4至6的示例，该脉冲804可以触发平台组件来减小电流。图9图示出针对诸如处理器核之类的组件的电流的示例。如以上讨论的，诸如当处理器核进入高功率模式时，电流电平902可以由在其期间电流被增