透明导电膜与包含其的电容式触摸屏的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及触摸屏领域，具体而言，设及一种透明导电膜与包含其的电容式触摸 屏。
【背景技术】
[0002] 现有的电容式触摸屏用透明导电膜在蚀刻及热处理之后，会出现立体纹，无法满 足部分高端客户的需求
[0003] 立体纹产生原因主要是因为：（1)IT0层（氧化铜锡层）的蚀刻部分与非蚀刻部分 产生了光学特性差别（包括可视光范围内的透过和反射特性，简称为色差），从而产生立体 纹路；（2)在后期的热处理工艺中，因各层的热收缩率的不同会出现涂层间应力不匹配现 象，该是因为IT0层和透明基材层及硬化层之间的组成差异比较大，相互之间存在的应力 较大，尤其是IT0层由加热前的非结晶态变为加热后的结晶态，会导致IT0层与透明基材层 及硬化层之间的应力增大，进而造成蚀刻部分和透明基材层及硬化层之间的应力与非蚀刻 部分与有机层之间的应力差别会进一步增大，从而导致立体纹的加重。
[0004] 现有专利及文献主要使用热收缩率较小的硬化层与透明基材层形成透明导电膜， 进一步作为电容式触摸屏的制作材料，但是，在IT0层蚀刻后，透明导电膜仍然会产生立体 纹，使得电容式触摸屏不足W满足客户的需求。
[0005] 同时，现有技术中电容式触摸屏的透明导电膜的加工工艺比较复杂，需覆耐高温 保护膜来保护硬化层，如果耐高温保护膜的品质不过关，例如存在橘皮、凹凸点、TD压痕、脏 污、气泡、划伤、热收缩率及低分子析出等缺陷，W上缺陷的任何一种或多种均会导致硬化 膜报废、降低产品良率、增加成本；即使耐高温保护膜质量合格，其本身既增加了成本又复 杂了加工程序。
[0006] 因此，亟需一种低立体纹、耐高温、耐划，且同时成本较低的透明导电膜与电容式 触摸屏。
【发明内容】
[0007] 本发明的主要目的在于提供一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏，W解决现 有技术中透明导电膜与电容式触摸屏中立体纹较严重的问题。
[000引为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种透明导电，该透明导电膜 包括；第一硬化层、透明基材层、第二硬化层与非结晶IT0层。其中，透明基材层设置在第一 硬化层的表面上；第二硬化层设置在透明基材层的远离第一硬化层的表面上，且第一硬化 层的厚度比第二硬化层的厚度大0. 5~3 y m ;非结晶性IT0层设置在第二硬化层的远离透 明基材层的表面上。
[0009] 进一步地，上述非结晶性IT0层中Sn的重量含量为7%~30%，优选为8%~ 20%，更优选为15%。
[0010] 进一步地，上述非结晶性IT0层的厚度在10~100皿之间，优选在15~40皿之 间。
[0011] 进一步地，上述第二硬化层的折射率在1. 59~1. 80之间。
[001引进一步地，上述第二硬化层的铅笔硬度在3B~4H之间，优选在B~3H之间。
[0013] 进一步地，上述第二硬化层的厚度在0. 3~10 ym之间，优选在0. 5~3. 0 ym之 间。
[0014] 进一步地，上述第一硬化层的铅笔硬度在3B~4H之间，优选在B~3H之间。
[0015] 进一步地，上述透明基材层的全光透过率大于85%，优选上述透明基材层的厚度 在10~500 y m之间，进一步优选在20~200 y m之间。
[0016] 进一步地，上述透明基材层的机械运行方向的收缩率大于0小于等于0. 5%，垂直 于上述机械运行方向的收缩率大于0小于等于0. 1%。
[0017] 根据本发明的另一方面，提供了一种电容式触摸屏，包含透明导电膜，该透明导电 膜为上述的透明导电膜。
[0018] 应用本发明的技术方案，透明导电膜通过采用非结晶IT0层代替现有技术中的结 晶IT0层，在后期的热处理过程后，非结晶IT0层不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非 结晶态，使得非结晶IT0层的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层之间的应力 差异大大减小，缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，得到低立体纹的电容式触摸屏 用透明导电薄膜；并且，非结晶IT0层的阻抗较低，使其满足现有技术中触摸屏设备大型化 的需求，扩展了其在大型化触控产品市场中的应用，另外，上述的透明导电膜的第一硬化层 的厚度比第二硬化层的厚度大0. 5~3 ym，可W起到高温保护膜的耐高温、耐划伤等作用； 同时，在锻膜与刻蚀过程中不用涂覆高温保护膜即可满足各项要求，简化了工艺过程，降低 了生产成本，可满足广大客户的需求。
【附图说明】
[0019] 构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示 意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
[0020] 图1示出了根据本发明的本申请一种典型实施方式提供的透明导电膜。
【具体实施方式】
[0021] 需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可W相 互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
[0022] 本申请的一种典型的实施方式提供了一种透明导电膜，如图1所示，该透明导电 膜包括：第一硬化层10、透明基材层30、第二硬化层50与非结晶IT0层70。其中，透明基 材层30设置在第一硬化层10的表面上；第二硬化层50设置在透明基材层30的远离第一 硬化层10的表面上，且第一硬化层10的厚度比第二硬化层50的厚度大0. 5~3 ym ;非结 晶性IT0层70设置在第二硬化层50的远离透明基材层30的表面上。
[002引结晶IT0是指在热处理过程中会由非结晶态变为结晶态的一种IT0 ;本发明的非 结晶IT0是指在热处理过程后不会由非结晶态变为结晶态的一种口0。
[0024] 上述的透明导电膜通过采用非结晶IT0层70代替现有技术中的结晶IT0层，在后 期的热处理过程后，非结晶IT0层70不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非结晶态，使得 非结晶ITO层70的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层之间的应力差异大大减 小，缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，得到低立体纹的电容式触摸屏用透明导电 薄膜；并且，非结晶IT0层70的阻抗较低，使其满足现有技术中触摸屏设备大型化的需求， 扩展了其在大型化触控产品市场中的应用，另外，上述的透明导电膜的第一硬化层10的厚 度比第二硬化层50的厚度大0. 5~3 ym，可W起到高温保护膜的耐高温、耐划伤等作用； 同时，其作用代替了高温保护膜的作用，使得在锻膜与刻蚀过程中不用涂覆高温保护膜即 可满足各项要求，简化了工艺过程，降低了生产成本，可满足广大客户的需求。
[0025] 为了使透明导电膜具有更低的立体纹，本申请优选上述非结晶IT0层70中Sn的 重量含量为7%~30%。当非结晶IT0层70中的Sn的重量含量大于7%时，进一步保证 了 IT0不会结晶，从而使透明导电膜达到更好的低立体纹效果；当非结晶IT0层70中的Sn 的重量含量低于30%时，非结晶ITO层70的阻抗较小，同时，其透光度较高，进一步提高了 透明导电膜的光学特性。为了进一步保证透明导电薄膜的低立体纹效果与光学特性，本申 请进一步优选非结晶IT0层70中Sn的重量含量为8%~20%，更优选非结晶IT0层70中 Sn的重量含量为15%。
[0026] 本申请的另一种优选的实施例中，上述非结晶IT0层70的厚度在10~lOOnm之 间，当非结晶IT0层70的厚度大于lOnm时，非结晶IT0层70的阻抗较小，可W满足透明导 电膜对阻抗的要求；当非结晶IT0层70的厚度小于lOOnm时，同样会使透明导电膜的阻抗 较小，并且透明导电膜的外观较好。为了进一步获得阻抗较低且外观较好透明导电膜，本申 请进一步优选上述非结晶IT0层70的厚度在15~40皿之间。
[0027] 为了减小刻蚀后刻蚀部分与非刻蚀部分之间产生的光学特性差别（包括可视光 范围内的透过和反射特性的差别），进一步改善透明导电膜的立体纹现象，进而得到更低立 体纹的透明导电膜，本申请优选上述第二硬化层50的折射率在1. 59~1. 80之间。第二硬 化层50的折射率在此范围内，能够进一步减少色差；并且折射率在此范围内的材料很容易 获取，进一步优选上述第二硬化层50的折射率在1. 59~1. 75之间。
[0028] 本申请的又一种优选的实施例中，上述第二硬化层50的铅笔硬度在3B~4H之 间，当第二硬化层50的硬度大于3B时，硬度较高，能够起到更好的保护作用；当其硬度小于 4H时，其自身收卷更容易、制作成本更低。为了进一步保证第二硬化层50的保护性能与降 低生产成本，进