br>[0127]在显示驱动模式期间，第二电极可用作被施加公共电压的公共电极。在触摸驱动模式期间，第二电极可用作被施加触摸驱动信号的触摸电极。
[0128]本发明的实施方式可应用于LCD装置、0LED装置等。
[0129]图8是图解根据本发明一实施方式的显示设备的像素单元、栅极焊盘单元和数据焊盘单元的剖面图。特别是，图8图解了沿图7E中的线1-1’，11-11’，II1-1II’和IV-1V’的剖面。
[0130]可通过使用与形成像素单元893中的各个TFT相同的工艺、并使用与形成像素单元893中的各个TFT相同的材料，形成栅极焊盘单元891和数据焊盘单元892。
[0131]参照图8，在根据本发明一实施方式的显示设备的像素单元893中，在底板800上设置栅极电极802。栅极电极802可由下述的包括导电金属层和透明导电材料层的双电极结构802a和802b形成。然而，栅极电极802并不限于此，其可以是单电极结构或多电极结构。
[0132]此外，在底板800上形成栅极线804a和804b，栅极线804a和804b是由与栅极电极802相同的材料形成的栅极焊盘单元891的元件。
[0133]在栅极电极802和用于栅极焊盘单元891的栅极线804上，形成栅极绝缘层810。在栅极绝缘层810上形成有源层812、源极电极824和漏极电极826。此外，在栅极绝缘层810上形成数据线814a和814b以及用于数据焊盘单元892的数据线816a和816b。
[0134]在源极电极824，漏极电极826，数据线814a、814b以及数据线816a和816b上，依次形成第一钝化层820和TFT钝化层830。在一个例子中，可省略第一钝化层820，并层叠TFT钝化层830。TFT钝化层830的一个例子可包括平坦化层830或覆层。
[0135]在TFT钝化层830上形成第一电极840a和840b。第一电极840a和840b的一个例子为像素电极。导电金属层850a，850b和850c之中的导电金属层850a，是将源极电极824和漏极电极826之一连接到第一电极840a和840b的第一连接图案。导电金属层850b是给第二电极870b提供触摸驱动信号的第二连接图案。导电金属层850c形成在用于数据焊盘单元892的数据线816a和816b上作为第三连接图案，所述第三连接图案将下述的数据焊盘连接部870c连接到数据线816a和816b。
[0136]在第一电极840a和840b上形成第一电极钝化层860，第一电极钝化层860在一个例子中可以是上述的第二钝化层。在第一电极钝化层860上形成第二电极870a，870b，870c和870d。第二电极870a，870b，870c和870d在显示驱动模式中可用作公共电极，或者在触摸驱动模式中用作被施加触摸驱动信号的触摸电极。
[0137]如上所述，参考标记870c表示与数据驱动器连接的数据焊盘连接部，参考标记870d表示与栅极驱动器连接的栅极焊盘连接部。
[0138]在图8中，显示了第一接触孔865、第二接触孔885、第三接触孔875和第四接触孔877，下文将对其描述。图8图解了与一个像素对应的数据焊盘单元和栅极焊盘单元的结构。当这种结构扩展至整个显示设备时，下面描述这种扩展的结构。
[0139]在由在底板上沿第一方向设置并传递栅极信号的栅极线、和在底板上沿第二方向设置并传递数据信号的数据线之间的交叉而界定的NXP个像素的每一像素中，设置TFT。设置NXP个第一电极，每个第一电极设置成与TFT的源极电极和漏极电极之一间隔开。可为每个像素设置一个第一电极，并且可形成NXP个第一电极。设置P个第二电极，每个第二电极设置成与第一电极对应，以给所有N个像素提供相同的信号。该结构意味着一个第二电极用作N个已分组像素的公共电极及其触摸电极。在这一点上，存在总共P个第二电极，因而P个第二电极用作所有NXP个像素的公共电极及其触摸电极。
[0140]在TFT上设置TFT钝化层，TFT钝化层中形成有第一接触孔，并在NXP个TFT上形成NXP个第一连接图案，每个第一连接图案通过第一接触孔将第一电极连接到源极电极或漏极电极之一。这种第一连接图案将第一电极连接到TFT的源极电极或漏极电极。
[0141]包括P个第二连接图案，第二连接图案给P个第二电极提供触摸驱动信号，并可由与第一连接图案相同的材料形成。显示面板包括栅极线、数据线、TFT、第一电极和第二电极、以及第一连接图案和第二连接图案。
[0142]显示设备包括显示面板、在触摸驱动模式期间给多个第二电极的全部或一部分提供触摸驱动信号的触摸1C、在显示驱动模式期间给多条数据线提供数据电压的数据驱动器、以及在显示驱动模式期间给多条栅极线依次提供扫描信号的栅极驱动器。
[0143]在形成第一电极之后形成第二电极的C0T结构中，首先形成第一电极，在第一电极上形成第一电极钝化层(例如第二钝化层)，并在第一电极钝化层上形成第二电极。可选择地，在形成第二电极之后形成第一电极的Ρ0Τ结构中，可在形成第二电极之后，在第二电极上形成第二电极钝化层(例如第二钝化层)，并在第二电极钝化层上形成第一电极。
[0144]根据本发明的一实施方式，可首先形成第一电极，并以其中第一连接图案的部分区域与第一电极的表面重叠的方式，在第一电极上形成第一连接图案。在该情形中，第一连接图案可形成在第一电极上。可选择地，根据本发明另一实施方式，可首先形成第一连接图案，并形成第一电极。在此，第一电极可形成在第一连接图案上，并以其中第一连接图案的部分区域与第一电极的下表面重叠的方式，在第一电极的下表面上形成第一连接图案。第二连接图案形成在第一或第二方向上，并与已设置的触摸信号线连接，并且通过在第一电极钝化层中形成的第二接触孔连接到第二电极。可在与第二电极相同的工艺中形成栅极焊盘连接部和数据焊盘连接部。在形成栅极焊盘连接部和数据焊盘连接部之前，可在数据焊盘连接部的下表面上形成第三连接图案，所述第三连接图案可由与第一连接图案和第二连接图案相同的材料形成。
[0145]当显示设备在显示驱动模式中操作时，第二电极可用作被施加公共电压的公共电极。当显示设备在触摸驱动模式中操作时，第二电极可用作被施加触摸驱动信号的触摸电极。
[0146]本发明的实施方式可应用于LCD装置和0LED装置，或其他各种显示设备。
[0147]图9是图解根据本发明一实施方式的显示设备的结构的示图。
[0148]参照图9，在其中数据线与栅极线交叉的区域中形成NXP个像素以及与NXP个像素关联的TFT。在其中N个像素被分为一组的一个区域处设置P个公共电极。所述P个公共电极具有由参考标记910表示的像素区域，像素区域910显示出其中设置有上述第二连接图案的像素区域。一般的像素区域在触摸信号线与公共电极之间不具有连接图案，如参考标记920所示。
[0149]下面将描述使用减少数量的掩模形成图8中所示的连接图案850a，850b和850c
的工艺。
[0150]图10是图解薄膜晶体管、第一钝化层、平坦化层和第一电极的剖面图。
[0151]在底板800上以双电极结构802a和802b形成栅极电极802。在该工艺中，也以双电极结构804a和804b形成栅极线804，栅极线804被连接到与栅极驱动器连接的栅极焊盘连接部。
[0152]参考标记802a和804a均表示导电金属层，并可由选自包括铝(A1)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼钨(MoW)、钼钛(MoTi)和铜/钼钨(Cu/MoTi)的导电金属组中的至少之一形成。然而，本发明并不限于此。此外，参考标记802b和804b均表示透明导电材料层，并可由选自包括氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(ΙΖ0)和碳纳米管(CNT)的组中的一种形成。然而，本发明并不限于此。栅极电极802和栅极线804不限于双层结构，因而栅极电极802和栅极线804可以以单层结构或多层结构形成。
[0153]在形成栅极线的工艺中，即在形成图10中所示的栅极电极802和栅极线804时，可使用一个掩模。在栅极电极802和栅极线804上可形成栅极绝缘层810。
[0154]在栅极绝缘层810上形成有源层812、源极电极824和漏极电极826。在该工艺中，一起形成数据线814和816。类似地，在该工艺中可使用一个掩模。
[0155]更具体地说，有源层812例如可由诸如非晶硅或多晶硅(如LTPS或HTPS)这样的半导体材料形成。可选择地，有源层812可由诸如氧化锌(Z0)、氧化铟镓锌(IGZ0)、氧化锌铟(ΖΙ0)或掺镓的ZnO(ZGO)这样的氧化物半导体材料形成。
[0156]然后，通过使用诸如溅射、沉积等这样的薄膜形成工艺同时地形成源极电极824和漏极电极826，来完成TFT。
[0157]在TFT上形成第一钝化层820。第一钝化层820可由诸如Si02S SiN 样的无机材料、或者诸如光学亚克力(PA)等这样的有机材料形成。然而，本发明并不限于此。
[0158]然后，在第一钝化层820上形成TFT钝化层830。作为TFT钝化层830 —个例子的平坦化层具有几十到几百范围的介电常数，并可由诸如LaA103，La203，Y203和LaAl 306这样的轻稀土氧化物、稀土化合物氧化物、钛酸锶钡(BST)氧化物等形成。然而，本发明并不限于此。可选择地，TFT钝化层830可由有机材料形成为覆层。TFT钝化层830 (例如平坦化层或覆层)可补偿电极之间的台阶差，由此可在电极之间实现平坦化。
[0159]在TFT钝化层830上形成第一电极层840。第一电极层840可由诸如氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(ΙΖ0)、氧化铟锡锌(ΙΤΖ0)等这样的透明导电材料形成。第一电极层840可通过随后的工艺提供像素电极的功能，并可与源极电极824或漏极电极826连接。
[0160]作为光刻工艺，可首先涂布光刻胶，在光刻胶上覆盖包括透光部和遮光部的掩模之后在掩模上照射光，由此形成具有特定期望图案的光刻胶。穿过透光部的光可使光刻胶硬化，且其余光刻胶可被显影或不被显影。
[0161]图11A到11D是图解根据本发明一实施方式的通过使用一个掩模形成第一电极的工艺的剖面图。之后，在图11A到13E的工艺步骤中使用参照图6B所述的总共4个掩模，4个掩模被称为第一到第四光掩模。
[0162]参照图11A，通过使用第一光掩模在图10中所示层叠的结构上形成光刻胶1110。在一个例子中，光刻胶1110通过使用半色调掩模、衍射掩模等形成为具有三个高度。
[0163]参照图11B，通过使用光刻胶1110进行湿蚀刻的方式对第一电极层840的一部分进行蚀刻，形成具有特定图案的第一电极840a和840b。
[0164]参照图11C，通过使用光刻胶110进行干蚀刻的方式对TFT钝化层830和第一钝化层820的一部分进行蚀刻，形成所述结构。光刻胶1110是在被蚀刻之后残留的图11B中所示的光刻胶1110。此外，形成第一接触孔865。
[0165]参照图11D，通过对图11C中所示的光刻胶1110进行第二湿蚀刻的方式进一步对第一电极840b的一部分进行蚀刻，形成具有特定图案的第一电极840b。
[0166]图12是图解根据本发明一实施方式的在进行干蚀刻之后第一电极的突出部的剖面图。
[0167]在如图11B中所示进行干蚀刻的工艺中，第一电极840a和840b的侧部1201和1202会如图12中所示那样突出。在该情形中，当进行如图11D中所示的