一种芯片缓冲器的插入方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种芯片缓冲器的插入方法。
【背景技术】
[0002] 芯片上的gate是M0S管(Metal Oxide Semiconductor)上的控制用的门。通常，芯 片上会分布有多个门，门与门之间具有一定距离，当需要在两个门之间放置缓冲器 (buffer)，但是，两个门之间没有足够的位置时，只能将缓冲器移动到其他能够容纳该缓冲 器的区域。如图1所示，假设需要在gate7和gate8之间插入一个缓冲器，但是，gate7和gate8 之间没有足够大的位置放置缓冲器，缓冲器只能被移动到gate2和gate3之间进行放置。然 而，在移动缓冲器的过程中，将会增加线长，当线长过大时，会增加芯片上的互联延时。
[0003] 综上所述，按照现有技术中的上述缓冲器插入方法，不仅芯片上可插入的缓冲器 的数量有限，而且，在移动缓冲器的过程中容易造成缓冲区的总线长过大，从而增大芯片上 的互联延时，降低缓冲器插入的效率。
【发明内容】
[0004] 本发明通过提供一种芯片缓冲器的插入方法，解决了现有技术在芯片上可插入的 缓冲器的数量有限，且缓冲器移动过程中线长过大所造成的芯片互联延时过长的技术问 题。
[0005] 本发明实施例提供了一种芯片缓冲器的插入方法，所述方法包括：
[0006] 单元化所述芯片，以在所述芯片上形成若干均等的单元格；
[0007] 分别确定位于所述芯片上的所有门中每个门的可移动范围；
[0008] 基于所述每个门的可移动范围，在满足每个所述单元格至多被一个所述门或一个 缓冲器覆盖的条件下，确定可插入在所述芯片内的所述缓冲器的数量。
[0009] 可选的，确定每个门的可移动范围，具体为：
[0010] 根据每个门在所述芯片上的初始位置，以及所述芯片的高度和宽度，确定每个门 在所述芯片的垂直方向和水平方向上的可移动范围。
[0011] 可选的，所述芯片上的所述门或所述缓冲器逐行分布。
[0012] 可选的，一个所述门至少覆盖一个所述单元格，一个所述缓冲器至少覆盖一个所 述单元格。
[0013] 可选的，当一个所述单元格或一组所述单元格被所述门覆盖时，一个所述单元格 的顶点或一组所述单元格的顶点与所述门的顶点重合；
[0014] 当一个所述单元格或一组所述单元格被所述缓冲器覆盖时，一个所述单元格的顶 点或一组所述单元格的顶点与所述缓冲器的顶点重合。
[0015] 可选的，所述基于所述每个门的可移动范围，在满足每个所述单元格至多被一个 所述门或一个缓冲器覆盖的条件下，确定可插入在所述芯片内的所述缓冲器的数量，具体 包括：
[0017]
[0016] 根据整数线性规划，构建如下方程组：
[0018]
[0019] 其中，用于表示门是否被放置在顶点坐标为（i，j)的单元格内，用于表示 缓冲器是否被放置在顶点坐标为（i，j)的单元格内，当门被放置在顶点坐标为（i，j)的单元 格内，则为1，否则为〇,当缓冲器被放置在顶点坐标为（i，j)的单元格内，则为 1，否则为〇，Ρ为所述芯片上的任一单元格的顶点；
[0020] 求解所述方程组，从而确定可插入在所述芯片内的所述缓冲器的数量。
[0021] 本发明实施例中的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0022] 本发明通过将芯片单元化，在确定出芯片上的每个门的可移动范围之后，根据每 个门的可移动范围可以确定出可插入在芯片内的缓冲器的数量，从而，不仅优化了芯片的 布局，提高了芯片上可插入缓冲器的缓冲区的数量，还降低了芯片的互联延时。
【附图说明】
[0023] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据 提供的附图获得其他的附图。
[0024] 图1为现有技术中缓冲器插入方法的示意图；
[0025] 图2为本发明实施例中一种芯片缓冲器的插入方法的流程图；
[0026] 图3为本发明实施例中一个【具体实施方式】的示意图。
【具体实施方式】
[0027] 为解决现有技术在芯片上可插入的缓冲器的数量有限，且缓冲器移动过程中线长 过大所造成的芯片互联延时过长的技术问题，本发明提供一种芯片缓冲器的插入方法。
[0028] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例 中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是 本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员 在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0029] 本发明实施例提供一种芯片缓冲器的插入方法，如图2所示，所述方法包括：
[0030] 步骤101:单元化芯片，以在芯片上形成若干均等的单元格。
[0031] 在具体实施过程中，首先将芯片按照事先定义好的一个单元的大小进行单元化， 即，将芯片分为若干单元格，各个单元格的大小相同。一个门至少覆盖一个单元格，同样，一 个缓冲器至少覆盖一个单元格。具体的，一个门可以覆盖一个单元格，一个门也可以覆盖 多个单元格，当一个门覆盖多个单元格时，多个单元格即成为一组单元格。同样，一个缓冲 器可以覆盖一个单元格，一个缓冲器也可以覆盖多个单元格，当一个缓冲器覆盖多个单元 格时，多个单元格即成为一组单元格。其中，可以以每个单元格或每组单元格的左下角作为 该一个单元格或该一组单元格的顶点，例如，对于一个单元格而言，该单元格的左下角作为 该单元格的顶点，对于一组单元格而言，该组单元格中最左边的一个单元格的左下角作为 该组单元格的顶点。
[0032] 进一步，当一个单元格或一组单元格被门覆盖时，一个单元格的顶点或一组单元 格的顶点与门的顶点重合，同样，当一个单元格或一组单元格被缓冲器覆盖时，一个单元格 的顶点或一组单元格的顶点与缓冲器的顶点重合。例如，当门覆盖在一个单元格上，则，门 的顶点与该单元格的左下角重合，当门覆盖在一组单元格上，则，门的顶点与该组单元格中 最左边的单元格的左下角重合，缓冲器具有同样的覆盖规则，此处不再赘述。
[0033] 在执行完步骤101之后，本申请执行步骤102:分别确定位于芯片上的所有门中每 个门的可移动范围。
[0034] 在具体实施过程中，根据每个门在芯片上的初始位置，以及芯片的高度和宽度，给 定每个门在芯片的垂直方向和水平方向上的可移动范围，即，每个门在芯片的X方向和y方 向上的可移