技术总结
根据一个实施例，一种高速缓冲存储器装置包含非易失性高速缓冲存储器(4)、写入单元(111)、确定单元(112)、选择单元(113)及擦除单元(115)。所述非易失性高速缓冲存储器(4)包含多个擦除单位区域。所述擦除单位区域中的每一者均包含多个写入单位区域。所述写入单元(111)将数据写入到所述非易失性高速缓冲存储器(4)。所述确定单元(112)确定所述多个擦除单位区域是否满足擦除条件。所述选择单元(113)在所述多个擦除单位区域满足所述擦除条件时从所述多个擦除单位区域选择待擦除区域。所述擦除单元(115)擦除写入到所述待擦除区域的所述数据。
技术研发人员：菅野伸一
受保护的技术使用者：株式会社东芝
文档号码：201510239685
技术研发日：2015.05.12
技术公布日：2016.12.07