技术总结
抗单粒子翻转的存储单元，涉及集成电路抗辐射加固领域。解决了辐射粒子使得存储器存储的信息翻转，从而降低存储器可靠性的问题。本发明由10个MOS管来组成，分别是PMOS晶体管P1、P2以及NMOS晶体管N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7和N8。本发明可以对存储单元中任意单个节点的翻转进行加固，还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错，而同时不依赖于所存储的值。本发明主要用于对存储器进行抗单粒子翻转的加固保护。
技术研发人员：郭靖;朱磊;董亮;刘文怡;熊继军
受保护的技术使用者：中北大学;齐齐哈尔大学
文档号码：201611218768
技术研发日：2016.12.26
技术公布日：2017.06.13