用于校正存储器中的数据错误的系统及方法与流程

本发明实施例涉及一种用于校正存储器中的数据错误的系统及方法。

背景技术：

集成电路(ic)是制造至半导体材料的薄衬底的表面中的电子电路。ic现今实际上用于全部电子装备中且已彻底改变电子世界。现在，计算机、移动电话及其它数字家用器具是现代社会结构的不可或缺的部分，此因生产ic的低成本而成为可能。在已生产ic之后，ic的后续处理可包含使ic经受相对较高的温度。例如，在一些实例中，在将ic附接到印刷电路板(pcb)时，将ic加热到大约260摄氏度的温度。

技术实现要素：

本发明实施例涉及一种形成装置的方法，所述方法包括：形成包含存储器的集成电路(ic)裸片；确定当经受高温时易受数据遗失的存储器位置的地址；将数据位写入到所述存储器，所述数据位包含写入到所述存储器位置的一组位；将所述组位写入到当经受所述高温时不易受数据遗失的所述ic裸片的存储装置；在使所述ic裸片经受高温之后，重写存储于所述地址处的所述位中的至少一者，基于写入到所述存储装置的所述组位重写所述位中的所述至少一者。

本发明实施例涉及一种形成装置的方法，所述方法包括：形成包含存储器的集成电路(ic)裸片；将数据位及对应于所述数据位的第一校验位写入到所述存储器；及在使所述ic裸片经受高温之后，使用所述第一校验位来检测并校正所述数据位中的错误。

本发明实施例涉及一种集成电路(ic)裸片，其包括：存储器，其包含当经受高温时易受数据遗失的存储器位置；存储装置，其在经受所述高温时不易受数据遗失；及逻辑模块，其经配置以：将数据位写入到所述存储器，所述数据位包含写入到所述存储器位置的一组位；将所述组位写入到所述存储装置；及在使所述ic裸片经受高温之后，重写存储于所述存储器中的所述位中的至少一者，基于写入到所述存储装置的所述组位重写所述位中的所述至少一者。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下[具体实施方式]最好地理解本揭露的方面。应注意，根据产业中的标准实践，各个装置未按比例绘制。事实上，为清楚论述，各个装置的尺寸可任意增大或缩小。

图1a描绘根据一些实施例的用于形成装置的示范性方法的操作。

图1b描绘根据一些实施例的用于形成装置的另一示范性方法的操作。

图2a描绘根据一些实施例的在回流工艺之后用于校正存储于存储器上的数据的示范性方法的操作。

图2b描绘根据一些实施例的形成于ic裸片上的存储器及存储装置。

图2c及2d描绘根据一些实施例的包含测试装备、形成于印刷电路板(pcb)上的cpu或状态机以及ic裸片的示范性设备。

图2e描绘根据一些实施例的示范性码编程步骤。

图2f描绘根据一些实施例的在回流工艺之后对存储于存储器上的数据的示范性校正。

图3描绘根据一些实施例的用于形成装置的示范性方法的操作。

图4描绘根据一些实施例的用于形成装置的另一示范性方法的操作。

具体实施方式

以下揭露提供用于实施所提供标的的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些实例仅为实例且并不意图为限制性的。例如，在下文描述中，第一装置形成于第二装置上方或上可包含其中第一装置及第二装置经形成而直接接触的实施例，且还可包含其中额外装置可形成于第一装置与第二装置之间使得第一装置及第二装置可未直接接触的实施例。另外，本揭露可在各个实例中重复元件符号及/或字母。此重复是用于简单及清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

集成电路(ic)裸片是制造至半导体材料的薄衬底的表面中的电子电路。在已生产ic裸片之后，ic的后续处理可包含使ic裸片经受相对较高的温度。特定地说，在将ic裸片附接到印刷电路板(pcb)时，通常利用在相对较高温度(例如，260摄氏度)下执行的回流工艺(例如，焊料回流工艺)。存储在形成于ic裸片上的存储器上的数据常常因相对高温回流工艺而遗失或毁坏。当此数据遗失或毁坏发生时，ic裸片及pcb两者通常都呈现无效且因此可能报废(例如，除去)。ic裸片及pcb的此报废是非所要的且可为昂贵的。

特定类型的存储器特别易受由高温处理引起的数据遗失。例如，与例如闪速存储器的常规存储器类型相比，例如磁性随机存取存储器(还称为磁阻式随机存取存储器或mram)、电阻式随机存取存储器(rram)、相变随机存取存储器(pcram)及铁电随机存取存储器(fram)的新兴存储器类型更易受起因于高温处理的数据遗失。因此，当形成于ic裸片上的存储器包括这些新兴存储器类型中的一者时，用来将ic裸片附接到pcb的相对高温回流工艺可引起存储器中的数据遗失或毁坏。

本揭露的方法提供用于消除或最小化由ic裸片的高温处理引起的此数据遗失的系统及方法。在一个实施例中，执行筛选步骤以识别当经受高温时易受数据遗失的存储器位置。筛选步骤因此识别存储器的“弱位”，即可因回流工艺而经历值变化(例如，位值“0”改变为位值“1”，且反之亦然)的存储器位置。在于高温下执行回流工艺之后，视需要检查并校正存储于经识别存储器位置中的数据。识别弱位且校正数据帮助确保无数据因回流工艺而遗失。

在另一实施例中，将数据位及校验位两者写入到存储器中。应注意，校验位可包含用以存储数据的任何形式的冗余位，例如检查和位、重复位等。因此，应注意，本文中描述的校验位不限于仅偶数/奇数校验位。在实例中，校验位是错误检查及校正(ecc)校验位。在于高温下执行回流工艺之后，使用校验位来检测并校正存储于存储器中的数据位中的错误。因此，如果回流工艺引起任何位值改变，那么这些改变将被检测为错误且随后被校正。在校正错误之后，释放校验位以空出存储器中的空间。

本文中描述各种其它实施例。在一个此实施例中，ic裸片的存储器编程有压缩代码以减小代码大小。使用压缩代码空出存储器中的空间，且此空间可用来例如存储额外校验位用于更强ecc保护。在回流之后，ecc校验位用来校正经存储代码中的错误，如上文论述。此外，解压缩压缩代码，且将经解压缩代码写入到存储器。从存储器释放压缩代码，因此空出存储器中的空间。本文中进一步详细描述这些实施例及其它实施例。

在实例中，本揭露的方法实施于用于处理ic裸片的生产流程的内容背景中。图1a描绘根据一些实施例的用于处理ic裸片的示范性生产流程100的操作。在步骤102，完成晶片(例如，衬底)的处理，产生形成于晶片上的多个ic裸片。在实例中，完成的ic裸片的各者包含形成于其上的一或多个存储器。在实例中，一或多个存储器包括mram、rram、pcram、fram或另一存储器类型。在实例中，完成的ic裸片的各者进一步包含用于各种功能的不同电路，例如微处理器及逻辑电路。

在步骤104，执行生产流程的第一芯片探测(cp)阶段。为一般技术人员已知的芯片探测阶段用来检测缺陷裸片且是使用专门测试装备实行。通常，测试装备的测试头安装具有多个探测针或用于与晶片的电极(例如，接垫、凸块等)接触的其它接点部件的探测卡。探测卡使测试装备能够将电压或电流施加到待测试的晶片，因此使测试能够确定电效能是否在设计规范内。在步骤104的第一cp阶段进一步包含将数据的测试型样写入到形成于ic裸片上的一或多个存储器。

在步骤106，执行数据保持焙烧。数据保持焙烧是用来测量装置在未施加电压偏压的情况下长时段保持电荷的能力的测试。在相对较高温度下加应力于ic裸片加速存储器状态的变化(例如，加速放电而引起存储器状态改变)。因此，在实例中，数据保持焙烧包含在相对较高温度(例如，250摄氏度，如图1a中所示)下焙烧裸片达相对较长时间量(例如，24小时)。

在步骤108，执行生产流程的第二cp阶段。在第二cp阶段期间，检查ic裸片的一或多个存储器以确定写入到存储器的测试型样是否仍存在。换句话说，确定数据保持焙烧是否引起写入到一或多个存储器的测试数据遗失或毁坏。在实例中，在第二cp阶段执行为一般技术人员已知的各种其它测试以检测缺陷裸片。良品ic裸片经受后续处理步骤(例如，图1a中所示的步骤110、112、114)，且从进一步处理移除缺陷裸片。

在步骤110，针对确定为良品的ic裸片执行装配步骤。在装配步骤中，将ic裸片装配到封装中。ic封装保护ic裸片使其免受实体损坏，且将ic裸片的输入/输出重布到更易管理节距。ic封装还执行其它功能，例如提供更服从标准化的结构、提供远离裸片的热路径、提供保护免于归因于α粒子的软错误的可能，及提供更容易放置以进行电测试及老化测试的结构。在实例中，在步骤110利用的ic封装技术是方形扁平封装(qfp)、针栅阵列(pga)、球栅阵列(bga)、倒装芯片(fc)、三维集成电路(3dic)、芯片级封装、堆叠式封装(pop)或另一技术。在实例中，晶片切割步骤先于装配步骤执行以分离特定晶片的裸片。

在步骤112，执行码编程步骤。在码编程步骤中，将数据位写入到形成于ic裸片上的存储器。在实例中，数据位包括例如可由处理器、微控制器或状态机执行的代码(例如，计算机可执行指令)。在实例中，图1a的步骤用来为用户(例如，客户)制造最终产品(例如，装置)。在这些实例中，用户可期望最终产品包含编程有前述代码的存储器。因此，在步骤112将此代码写入到存储器，且期望此代码在图1a中所示的全部步骤完成时保留在存储器中。

如上文描述，典型生产流程的特定步骤可引起存储于ic裸片的存储器上的数据遗失或毁坏。特定地说，在将ic裸片附接到pcb时使用的回流工艺(下文进一步详细描述)通常使用相对较高温度，这可导致前述数据遗失。在图1a的内容背景中，这一回流工艺可引起写入到存储器的代码毁坏或遗失。在常规方法下，当代码毁坏或遗失时，ic裸片及pcb两者都呈现无效且可能报废，这是非所要的且可为昂贵的。

本揭露的方法提供在高温回流工艺之后用于确保代码的完整性的系统及方法。更明确地说，本揭露的方法提供用于校正代码中起因于回流工艺的错误的系统及方法。因此，尽管回流工艺可引起存储器中的位值改变，然本文中描述的系统及方法使这些位值能够被校正且恢复到其原始值。递送到客户的最终产品因此包含在步骤112编程的代码，所述代码无起因于回流工艺的非所要变动或毁坏。与常规方法相反，当回流工艺引起存储于存储器中的位值的变化时，无需报废ic裸片及pcb。因此，良率损失降低且报废的ic裸片及pcb的数目减少。

在图1a的实施例中，通过使用错误检查及校正(ecc)校验位而确保代码的完整性。明确地说，在步骤112，在将代码写入到存储器时，将数据位及校验位两者写入到存储器。数据位包括实际代码，且校验位包括对应于数据位的ecc位。在实例中，写入到存储器的数据包括ecc字组，其中各ecc字组包含(m+p)个位，其中m个数据位及p个校验位。在实例中，m等于10，且p等于5。运用此配置，p个校验位使ecc字组中的特定数目个位错误能够得到校正。例如，在实例中，p个校验位使ecc字组中的单一错误位能够得到校正。在另一实例中，p个校验位使两个错误位能够得到校正。在一些例项中，ecc字组具有使用p个校验位无法校正的若干错误。通常，可校正的错误的数目随所利用的校验位的数目增加。然而，这些校验位以其耗用存储器中原本可用来存储实际数据的空间为代价。如上文描述，在步骤112写入到存储器的校验位实现对代码中起因于回流工艺的错误的检测及校正。

在步骤114，将ic封装附接到pcb。pcb用作基底框架，其用以机械地支撑电子ic封装且使用从层压至非导电衬底上的铜片蚀刻的导电路径、轨或信号迹线电连接电子ic封装。表面安装技术(smt)是用于构造其中ic封装直接安装到pcb的表面上的电子电路的方法。在实例中，ic封装直接安装于pcb的表面上。ic封装的连接件(例如，焊球)安置于pcb的接点垫上。接着，在相对较高温度(例如，260摄氏度)下执行回流工艺以回流ic封装的连接件与pcb接点垫，而形成连接件与接点垫之间的机械及电连接。

在步骤114执行的回流工艺可引起编程到存储器中的代码中的错误。明确地说，存储于存储器中的位值可因高温回流工艺而改变(例如，回流工艺可引起位值“0”改变为“1”，且反之亦然)。为校正由回流工艺引起的数据错误，图1a的示范性方法包含步骤116、120。在步骤116中，使用写入到存储器的校验位来检测存储于存储器中的代码中的错误，其中这些错误是由相对高温回流工艺所致。如果检测到一或多个错误，那么对是否可基于校验位校正错误进行确定。在实例中，如果校验位的数目不足以校正所检测错误，那么在步骤118报废ic封装及pcb。

如果校验位的数目足以校正所检测错误，那么在步骤120，执行此校正。在步骤120，基于校验位将代码重写到存储器的不良位(例如，因回流工艺而改变的所述位)中，且从存储器释放校验位。应注意，在一些实施例中，未释放校验位。在维持(例如，未释放)校验位的情况下，这些校验位可用来防止某些故障(例如，保持故障、读取干扰等)。在释放校验位的实施例中，存储器中的空间可用于其它用途。随后，在步骤122，完成包括附接到pcb的ic封装的装配件，且可将其运送到用户(例如，客户)。运送的最终产品包含在步骤112编程的代码，所述代码无起因于回流工艺的非所要变动或毁坏。

图1b描绘根据一些实施例的用于形成装置的另一示范性方法150的操作。此图描绘与图1a的操作相同或类似的操作，且在这些图中，相似元件符号用来标示相似操作。在步骤162，执行码编程步骤。在码编程步骤162中，类似于图1a的码编程步骤112，将数据位写入到形成于ic裸片上的存储器，其中在实例中，数据位包括代码。此外，在步骤162，在将代码写入到存储器时，将数据位及校验位两者写入到存储器。

图1b的码编程步骤162与图1a的码编程步骤112的不同之处在于所利用的校验位的数目。明确地说，与图1a的步骤112相比，图1b的步骤162中利用较大数目个校验位。通过使用较大数目个校验位，提供更强ecc保护，因此在于步骤114执行的回流工艺之后使更高位错误率能够得到校正。较大数目个校验位以其占据存储器中原本可用来存储实际数据的空间为代价。然而，招致此代价可能是值得的，这是因为归因于可校正更多错误的事实，可实现较低良率损失及较少产品报废。

在图1b的步骤162之后，执行步骤114及116。在实例中，如果校验位的数目不足以校正在步骤116检测到的错误，那么在步骤118报废ic封装及pcb。如果校验位的数目足以校正所检测错误，那么在步骤170执行此校正。在步骤170，运用正常ecc保护校验位将经校正的代码重写到存储器中。在正常ecc保护配置中使用的校验位的数目少于在步骤162的更强ecc保护配置中使用的校验位的数目。此外，在实施例中，释放由更强ecc保护校验位占据的一些或全部空间，因此空出此空间用于其它用途。明确地说，更强ecc保护校验位可全部释放或这些位可部分释放及重写。在其中更强ecc保护校验位部分释放及重写的实例中，剩余校验位可用作保护以用于未来用途。

在步骤170完成时，最终产品完成且可在步骤122进行运送。在图1b的方法完成时，运送的最终产品包含在步骤162编程的代码，所述代码无起因于回流工艺的非所要变动或毁坏。在图1a及1b的实例中，如上文描述，通过使用ecc校验位而确保代码的完整性。本文中描述的其它实例使用其它系统及方法确保代码的完整性。

在图2a至2f的实例中，通过使用先于回流工艺执行的筛选步骤而确保代码的完整性。执行筛选步骤以识别当经受高温时易受数据遗失的存储器位置。在于高温下执行回流工艺之后，视需要检查并校正存储于经识别存储器位置中的数据。识别弱位且校正数据帮助确保无数据因回流工艺而遗失。如本文中引用，术语“高温”涵盖在处理ic裸片时使用的高于室温的温度。在一些实例中，高温是在回流工艺中利用的温度(例如，260摄氏度)。在这些实例中，执行筛选步骤以识别当经受回流工艺中利用的温度时易受数据遗失的存储器位置。

为说明此筛选及数据的校正，参考图2a。此图描绘与图1a的操作相同或类似的操作，且在这些图中，相似元件符号用来标示相似操作。在步骤106之后，执行操作以确定当经受高温时易受数据遗失的存储器位置的地址。确定这些地址在本文中可称为“筛选”工艺。在筛选工艺中，执行步骤108。在步骤108中，执行第二cp阶段的一或多个步骤，其中这些步骤与上文关于图1a描述的操作相同或类似。另外，在步骤108，将具有预定值的虚拟位写入到存储器。在确定当经受高温时易受数据遗失的存储器位置的地址时使用虚拟位的写入。

为说明这些虚拟位到存储器的写入，参考图2b。此图描绘具有对应存储器地址(即，在图2b的说明中标记为0至7的地址)的存储器的八个(8)存储器位置。在108执行的第二cp阶段中，将具有预定值的虚拟位(其还可称为“背景”)写入到八个存储器位置。在图2b的实例中，预定值是“01010101”，其中将这些值写入到对应于各自地址0至7的存储器位置。

再次参考图2a，在将虚拟位写入到存储器之后执行步骤202。在步骤202中，使ic裸片经受模拟回流焙烧。如上文描述，在将ic封装附接到pcb时，在相对较高温度(例如，260摄氏度)下执行回流工艺。在图2a中所示的步骤114执行此回流工艺。在步骤202执行的回流焙烧意欲模拟此后续回流工艺且因此涉及使ic裸片经受与在回流工艺中所用的温度相同或类似的温度。回流焙烧使ic裸片经受此温度达与在回流工艺中所用的时间量相同或类似的时间量。因此，例如，如果在步骤114执行的回流工艺包含使ic裸片经受260摄氏度的温度达t小时(例如，2小时等)，那么在步骤202执行的模拟回流焙烧同样包含使ic裸片经受相同或类似温度达相同或类似时间量。

在步骤204，确定已因模拟回流焙烧而改变值的虚拟位的存储器地址。此外，在步骤204，将经确定存储器地址写入到当经受高温时不易受数据遗失的ic裸片的存储装置。为说明步骤202及204，再次参考图2b。在此图中，在写入虚拟位(即，具有位值“01010101”)之后，在212执行模拟回流焙烧。接着，确定已因模拟回流焙烧而改变的虚拟位的地址。在图2b的实例中，存储器地址“2”及“5”处的虚拟位已因模拟回流焙烧而改变。在实例中，确定这些地址包含：比较在模拟回流焙烧之后存储于存储器位置中的位值与虚拟位的已知预定值。将存储器地址“2”及“5”写入到当经受高温时不易受数据遗失的ic裸片的存储装置214。

如上文提及，术语“高温”涵盖在处理ic裸片时使用的高于室温的温度。在一些实例中，高温是在回流工艺中利用的温度。在这些实例中，存储装置214是当经受回流工艺中利用的温度时并未经历数据遗失或毁坏的存储装置。

为说明当经受高温时不易受数据遗失的示范性存储装置，参考图2c。此图描绘根据一些实施例的示范性设备，其包含测试装备402、形成于pcb上的cpu或状态机404，以及ic裸片406。ic裸片406是待附接到pcb且经受回流工艺的高温的ic裸片。在实例中，ic裸片406上包含存储器408，其包括新兴存储器(例如，mram、rram、fram、pcram等)。存储器408用于存储数据，例如本文中描述的代码。在执行图2a中所示的操作104、106、108、202、204时使用测试装备402。因此，在实例中，测试装备402执行芯片探测操作且将虚拟位写入到存储器408。

测试装备402还(i)确定已因模拟回流焙烧而改变值的虚拟位的存储器地址；及(ii)将这些存储器地址记录于当经受高温时不易受数据遗失的ic裸片406的存储装置中。在图2c的实例中，此存储装置是为一般技术人员已知的电可编程熔丝(电熔丝)416。电熔丝416是可经受回流工艺的相对较高温度而无数据遗失或毁坏的一次性可编程、非易失性存储器装置。因此，在实例中，测试装备402确定已因模拟回流焙烧而改变值的虚拟位的存储器地址，且将这些存储器地址写入到电熔丝416。

在其它实例中，当经受高温时不易受数据遗失的ic裸片406的存储装置包括形成于ic裸片406上的存储器的“备用阵列”。为说明此的实例，参考图2d，其说明存储器的备用阵列410。在实例中，备用阵列410包括未用于存储代码的存储器408的一部分。在实例中，将备用阵列410的部分确定为具有“强位”，即不应因回流工艺而经历数据遗失或毁坏的存储器位置。这些强位与存储器408的“弱位”(即，可因回流工艺而经历值变化的存储器位置)相反。在图2b中说明且在上文关于所述图描述弱位的识别。

在实例中，经由筛选工艺识别备用阵列410的强位，所述筛选工艺类似于上文针对识别存储器408的弱位描述的工艺。例如，可将虚拟位写入到备用阵列410，且可利用模拟回流焙烧来确定未因模拟回流焙烧而改变的虚拟位。在实例中，测试装备402确定存储器408的弱位的存储器地址，且将这些存储器地址写入到备用阵列410的强位。因为这些存储器地址被写入到备用阵列410的强位，所以后续回流工艺不应引起此数据改变或遗失。如下文描述，在存储重复数据以校正存储器408中由回流工艺引起的数据错误时进一步使用备用阵列410的强位。

再次参考图2a，在完成步骤204时，已确定当经受高温时易受数据遗失的存储器位置的地址。如上文描述，这些地址已写入到当经受高温时不易受数据遗失的ic裸片的存储装置。应注意，在实施例中，步骤202与步骤106组合。在这些实施例中，在步骤108执行易受数据遗失的地址到存储装置的写入。

接着，在步骤110，执行装配步骤。如上文描述，此步骤包含将ic裸片装配到ic封装中。在步骤205，执行码编程步骤。在码编程步骤205中，将数据位写入到形成于ic裸片上的存储器(例如，图2c及2d中所示的存储器408)。在实例中，数据位包括例如可由处理器、微控制器或状态机执行的代码(例如，计算机可执行指令)。写入到存储器的数据位包含写入到当经受高温时易受数据遗失的存储器位置的第一数据位。在步骤206，将第一数据位写入到当经受高温时不易受数据遗失的ic裸片的存储装置。此存储装置包含分别如图2c及2d中说明的电熔丝416或备用阵列410。

为说明步骤205及206，参考图2f。此图描绘与图2b中所示相同的存储器的八个存储器位置。在步骤205执行的码编程步骤中，将数据位写入到八个存储器位置。与写入到图2b中的存储器位置的“虚拟位”相反，图2f中所示的数据位是实际数据且可包括如上文描述的代码。如图中所示，写入到存储器位置的数据位包含值“11001111”。这些数据位包含分别存储于存储器地址“2”及“5”处的数据“0”及“1”。地址“2”及“5”的存储器位置先前经确定为当经受高温时易受数据遗失(即，如在上文描述且在图2b中说明的筛选工艺的部分)。因此，分别用于存储器地址“2”及“5”的这些数据位“0”及“1”写入到当经受高温时不易受数据遗失的存储装置214，如图中所示。在实例中，数据位“0”及“1”的存储器地址也写入到存储装置214。因此，在存储装置214中，数据位“0”可与存储器地址“2”相关联，且数据位“1”可与存储器地址“5”相关联。

再次参考图2a，在步骤114，执行回流工艺，因此使ic裸片经受提高的、相对较高温度(例如，260摄氏度)。在回流工艺之后，在步骤208，如果存储于存储器的弱位处的数据不正确，那么将正确数据写入到这些存储器位置。为说明步骤208，参考图2f。如此图中所示，在回流工艺之后，在218，比较写入到存储装置214的数据位与存储于存储器的弱位(即，当经受高温时易受数据遗失的存储器位置)处的对应位。在图2f的实例中，存储器地址“2”及“5”先前经识别为弱位，且因而比较存储于这些地址处的位值(即，分别为“1”及“0”)与存储于存储装置214中的对应位。如上文关于图2f描述，分别用于存储器地址“2”及“5”的数据位“0”及“1”存储于存储装置214中。

在比较存储于存储器中的值与存储于存储装置214中的值时，明显存储于存储器位置“2”及“5”中的位值因回流工艺而改变，因此指示数据遗失或毁坏的可能。为防止此数据遗失或毁坏，在220，基于比较更新存储于存储器位置“2”及“5”中的位值，使得其匹配存储于存储装置214中的正确值。可将存储于存储装置214中的位值指定为“正确的”，这是因为存储装置214当经受高温时不易受数据遗失，因此确保存储装置214的位值未因回流工艺而改变。

在一些实例中，未执行上文描述的比较。在这些实例中，在执行回流工艺之后，用存储于存储装置214中的正确数据重写存储于存储器的弱位中的数据。

再次参考图2a，在后续步骤116中，执行错误检查步骤。在实例中，如果检测到错误，那么在步骤118报废ic封装及pcb。在其它实例中，如果ecc位写入到存储器，那么在步骤118尝试基于ecc位的错误校正。如果在错误检查步骤中未检测到错误(或如果任何这些错误都已使用ecc校正)，那么在步骤122处，完成且可运送包括附接到pcb的ic封装的装配件。运送的最终产品包含在步骤205编程的代码，所述代码无起因于回流工艺的非所要变动或毁坏。预期应在错误检查步骤116检测到很少(如果有)错误，这是因为大多数或全部错误应因上文描述的筛选及重写工艺而得以校正。因为应在错误检查步骤检测到极少错误，所以可利用未利用ecc或利用较小面积ecc的芯片设计来实现巨大的面积缩减。

再次参考图2c及2d。ic裸片406包含用于实行图2a中所示的操作116、205、206、208的逻辑模块412(例如，实施于硬件、软件或其的某一组合中的逻辑模块)。在实例中，逻辑模块412使用计算机处理器、计算机逻辑、(若干)状态机、微控制器、asic、fpga、dsp等实施。逻辑模块412经配置以执行用于存储于存储器408中的数据的编码、从存储器408读取的数据的解码，及当位值因回流工艺而变化时存储器408中的数据的重写。逻辑模块412还控制存储器408内的数据转移(例如，备用阵列410与存储器408的其它部分之间的数据转移)及存储器408与电熔丝416之间的数据转移。

在其中利用备用阵列410作为当经受高温时不易受数据遗失的存储装置的实施例中，逻辑模块412在已执行错误校正之后释放存储于备用阵列410中的数据。逻辑模块412还执行图1a的码编程步骤112、代码验证步骤116及代码重写步骤120，以及图1b的码编程步骤162、代码验证步骤116及重新编程/释放步骤170。因此，在实例中，例如逻辑模块412负责：产生校验位并将其写入到存储器408；执行回流工艺之后的ecc错误检测及校正；重写未通过ecc测试的位；在错误校正之后释放校验位；及用正常ecc保护校验位重新编程代码。在实施例中，测试装备402或pcb上的cpu或状态机404执行上文描述为由逻辑模块412执行的功能的一或多者。因此，应注意，这些功能可执行于ic裸片406(例如，使用逻辑模块412)、pcb(例如，使用cpu或状态机404)上或通过使用ic裸片406及pcb两者外部(与两者分离)的测试装备402而执行。

在上文关于图1a及1b描述的实施例中，ecc校验位写入到形成于ic裸片上的存储器，且这些校验位用来在回流工艺之后校正存储器中的数据错误。在上文关于图2a至2f描述的实施例中，用于存储器的弱位的重复数据存储于存储器的一部分(例如，备用阵列410)上，且在回流工艺之后校正存储器中的数据错误时使用此重复数据。在一些实施例中，存储于存储器上的实际代码具耗用存储器的大多数或全部空间的大小。在这些实施例中，可能不存在足以存储校验位或重复数据的空间。此外，即使存在足以存储一些校验位的空间，可仍期望存储额外校验位用于更强ecc保护，且可能不存在足以存储这些额外校验位的空间。

为解决这些问题，在实例中，在码编程步骤(例如，码编程步骤112、162或205)中将压缩代码写入到形成于ic裸片上的存储器。在实例中，ic裸片的逻辑模块412经配置以压缩代码且将压缩代码写入到形成于ic裸片上的存储器。通过将此压缩代码写入到存储器，存储器中存在足以用于校验位及/或重复数据的空间，因此使能够执行上文描述的错误校正技术。在执行这些错误校正技术的一或多者以校正起因于回流工艺的数据错误之后，逻辑模块412经配置以解压缩存储于存储器中的代码。逻辑模块412释放存储于存储器中的压缩代码以空出存储器中的额外空间，且将经解压缩的代码写入到存储器。在其中代码包括可执行指令的实例中，将经解压缩的代码写入到存储器使能够执行这些指令(例如，在字段中，由用户)。

图3描绘根据一些实施例的用于形成装置的示范性方法的操作。在502，形成包含存储器(例如，图2c中所示的存储器408)的集成电路(ic)裸片(例如，图2c中所示的ic裸片406)。在504，确定当经受高温时易受数据遗失的存储器位置的地址(例如，图2b中所示的地址“2”及“5”)。在506，将数据位写入到存储器(例如，如图2e中所示，写入到地址0至7的数据位“11001111”)，其中数据位包含写入到存储器位置的一组位(例如，如图2e中所示，写入到地址“2”的数据位“0”及写入到地址“5”的数据位“1”)。在508，将所述组位写入到当经受高温时不易受数据遗失的ic裸片的存储装置(例如，图2c中所示的电熔丝416、图2d中所示的备用阵列410)。在510，在使ic裸片经受高温之后，重写存储于地址处的位中的至少一者(例如，如图2f的操作220中所示)。基于写入到存储装置的所述组位重写位中的至少一者。

图4描绘根据一些实施例的用于形成装置的另一示范性方法的操作。在702，形成包含存储器(例如，图2c中所示的存储器408)的ic裸片(例如，图2c中所示的ic裸片406)。在704，将数据位及对应于数据位的校验位写入到存储器。在706，在使ic裸片经受高温之后，使用校验位来检测及校正数据位中的错误。

本揭露涉及用于校正存储器中由存储器的高温处理引起的数据错误的系统及方法。在示范性方法中，形成包含存储器的集成电路(ic)裸片。确定当经受高温时易受数据遗失的存储器位置的地址。将数据位写入到存储器，其中数据位包含写入到存储器位置的一组位。将所述组位写入到当经受高温时不易受数据遗失的ic裸片的存储装置。在使ic裸片经受高温之后，重写存储于地址处的位中的至少一者。基于写入到存储装置的所述组位重写位中的至少一者。

在另一示范性方法中，形成包含存储器的ic裸片。将数据位及对应于数据位的校验位写入到存储器。在使ic裸片经受高温之后，使用校验位来检测并校正数据位中的错误。

示范性ic裸片包含存储器，所述存储器包含当经受高温时易受数据遗失的存储器位置。ic裸片还包含当经受高温时不易受数据遗失的存储装置。ic裸片的逻辑模块经配置以将数据位写入到存储器，其中数据位包含写入到存储器位置的一组位。逻辑模块经配置以将所述组位写入到存储装置。逻辑模块还经配置以在使ic裸片经受高温之后重写存储于存储器中的位中的至少一者。基于写入到存储装置的所述组位重写位中的至少一者。

前文概述数种实施例的特征，使得所属领域技术人员可更好理解本揭露的方面。所属领域技术人员应了解，其可容易使用本揭露作为设计或修改其它工艺及结构的基础以实行本文中引入的实施例的相同目的及/或达成相同优点。所属领域技术人员还应认识到，这些等效构造并不脱离本揭露的精神及范围，且其可在不脱离本揭露的精神及范围的情况下在本文中进行各种改变、置换及更改。

符号说明

100生产流程

102步骤

104步骤/操作

106步骤/操作

108步骤/操作

110步骤

112步骤

114步骤

116步骤/操作

118步骤

120步骤

122步骤

150方法

162步骤

170步骤

202步骤/操作

204步骤/操作

205步骤/操作

206步骤/操作

208步骤/操作

212执行模拟回流焙烧

214存储装置

220操作

402测试装备

404cpu/状态机

406集成电路(ic)裸片

408存储器

410备用阵列

412逻辑模块

416电可编程熔丝(电熔丝)

502形成包含存储器的集成电路(ic)裸片

504确定当经受高温时易受数据遗失的存储器位置的地址

506将数据位写入到存储器

508将位写入到当经受高温时不易受数据遗失的集成电路裸片的存储装置

510在使集成电路裸片经受高温之后，重写存储于地址处的位中的至少一者

702形成包含存储器的集成电路裸片

704将数据位及对应于数据位的校验位写入到存储器

706在使集成电路裸片经受高温之后，使用校验位来检测及校正数据位中的错误