技术特征：
技术总结
基于共享传输管的高稳定SRAM存储单元电路，属于集成电路技术领域。本发明提出的SRAM存储单元电路，结合该电路的读写方式，使得本发明具有较高的读噪声容限和写裕度；同时本发明基于共享传输管设计，在将本发明提出的SRAM存储单元电路组成存储阵列时，同一列中相邻的SRAM存储单元电路连接同一个共享位线BLS，而一个共享位线BLS可以连接2‑4个SRAM存储单元电路，这样有利于减小存储器的面积；将本发明用于位交错阵列中可以解决半选问题，改善存储器的软错误率的问题。
技术研发人员：贺雅娟;张九柏;吴晓清;裴浩然;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2018.05.09
技术公布日：2018.09.28