1.一种页缓冲电路，包括：
锁存电路，其中当经由位线将数据写入至非易失性存储装置的存储器胞或从该非易失性存储装置的该存储器胞读出该数据时，该锁存电路暂时性地存储该数据，
其中该页缓冲电路配置为使用切换式电容电路。
2.如权利要求1所述的页缓冲电路，其中该页缓冲电路还包括：
第一电容，连接至感测端，该感测端连接至该锁存电路的一端；
第二电容，包括连接至该位线的一端；
第一开关，设置在该感测端与该第二电容的另一端之间；
第二开关，设置在该感测端与供电电压之间；
第一晶体管，包括控制端与第一端子，该控制端与该第一端子以并联方式连接至该第一开关的两端；
第二晶体管，包括第二端子与第三端子，该第三端子与该第二端子分别连接在接地端与该第一晶体管的第二端子；以及
控制电路，控制该第一开关、该第二开关与该第二晶体管。
3.如权利要求2所述的页缓冲电路，其中该控制电路用于：
通过关闭该第一开关，开启该第二开关，且关闭该第二晶体管，来施加该供电电压至该第一电容以及施加预设第一电压至该第一晶体管的该控制端，以经由该第二电容来设定从该位线读出的该数据，其中该预设第一电压高于该第一晶体管的临界电压；
通过关闭该第一开关、该第二开关与该第二晶体管，并经由该位线从该第二电容施加存储器胞电流至该存储器胞，以读出该存储器胞的该数据；以及
执行控制来关闭该第一开关、该第二开关且开启该第二晶体管，以将施加在该第二电容的电压施加至该第一晶体管的该控制端，使得连接该感测端的该第一电容被设置有该电压，该电压对应于读出数据，且使得该电压经由该锁存电路而被采样保持。
4.如权利要求3所述的页缓冲电路，其中该控制电路还用于:
执行控制以设定感测电平，并藉由在设定该数据的读出操作之前开启该第一开关、该第二开关与该第二晶体管，以施加预设感测电压至该位线。
5.如权利要求2所述的页缓冲电路，还包括：
数据转移电路，设置在该感测端和该位线之间，该数据转移电路将该感测端的数据转移至该位线，以在验证期间执行数据读出操作。
6.如权利要求1所述的页缓冲电路，其中该非易失性存储装置的存储器胞阵列被分隔为至少两个存储器胞阵列区域，且被分隔的该至少两个存储器胞阵列区域之间设置有位线控制电路，该位线控制电路用于控制该位线的电压。
7.一种非易失性存储装置，包括如权利要求1所述的页缓冲电路。
8.如权利要求7所述的非易失性存储装置，其中第一存储器胞阵列区与第二存储器胞阵列区以混合方式设置在该非易失性存储装置，且该第一存储器胞阵列区包括用来控制该位线的电压的位线控制电路，该第二存储器胞阵列区不包括该位线控制电路。