技术特征：
1.一种半导体器件，包括：纠错电路，其被配置成检测内部数据中包括的错误、生成故障检测信号、以及纠正所述内部数据的错误；以及刷新控制电路，其被配置成响应于所述故障检测信号而存储用于选择所述内部数据的地址信号，以及被配置成在刷新信号被输入到所述刷新控制电路预定次数时从所述地址信号生成刷新地址信号，所述刷新地址信号用于激活连接到存储所述内部数据的存储器单元的字线。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述纠错电路被配置成在所述内部数据中存在错误时使能所述故障检测信号。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述刷新控制电路还被配置成在所述刷新信号被输入到所述刷新控制电路时顺次对所述刷新地址信号计数。4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述刷新控制电路包括：地址存储电路，其被配置成在所述故障检测信号被使能时锁存所述地址信号以从锁存的地址信号生成故障地址信号；控制信号生成电路，其被配置成生成控制信号，所述控制信号在所述刷新信号被输入所述预定次数时被使能；计数器，其被配置成响应于所述刷新信号而生成被顺次计数的计数信号；以及选择传输电路，其被配置成基于所述控制信号而从所述故障地址信号和所述计数信号之中的一种生成所述刷新地址信号。5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：核心电路，其被配置成基于读取信号和所述地址信号而向输入/输出线输出所述核心电路中存储的所述内部数据，以及被配置成执行刷新操作，所述刷新操作用于基于所述刷新地址信号而激活连接到存储所述内部数据的存储器单元的字线；以及数据输入/输出电路，其被配置成从所述输入/输出线上加载的所述内部数据生成数据以及输出所述数据。6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述纠错电路被配置成纠正所述输入/输出线上加载的所述内部数据的错误以向所述输入/输出线输出经纠正的内部数据。7.一种半导体器件，包括：核心电路，其被配置成响应于读取信号而输出连接到由地址信号选择的字线的存储器单元中存储的内部数据，以及被配置成响应于修复信号而将连接到至少一个故障的存储器单元的故障的字线用修复线替代，所述故障的存储器单元存储故障的内部数据；纠错电路，其被配置成检测所述故障的内部数据中包括的错误以生成故障检测信号，以及被配置成纠正所述故障的内部数据的错误；以及刷新控制电路，其被配置成在用于选择所述故障的内部数据的地址信号被输入第一预定次数时响应于所述故障检测信号而生成所述修复信号。8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一预定次数是在具有用于选择所述故障的内部数据的逻辑电平组合的地址信号被输入至少三次时的次数。9.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述核心电路被配置成在写入操作期间复制响应于所述修复信号而输入的所述内部数据以及将所复制的内部数据存储到连接到所述
修复线的存储器单元中。10.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述核心电路包括：存储器区域，其包括多个字线和多个修复线；以及内部控制电路，其被配置成控制如下操作：在写入操作期间响应于所述修复信号而复制所述内部数据以将所复制的内部数据存储到连接到所述修复线的存储器单元中。11.如权利要求10所述的半导体器件，其中，响应于读取信号和写入信号，所述多个字线基于所述地址信号或刷新地址信号而被激活。12.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述核心电路包括：存储器区域，其包括多个字线；修复区域，其包括多个修复线；以及内部控制电路，其被配置成控制如下操作：在写入操作期间响应于所述修复信号而复制所述内部数据以将所复制的内部数据存储到连接到所述修复线的存储器单元中。13.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述刷新控制电路被配置成响应于所述故障检测信号而锁存用于选择所述内部数据的所述地址信号，以及被配置成在刷新信号被输入第二预定次数时从锁存的地址信号生成刷新地址信号，所述刷新地址信号用于激活连接到存储所述内部数据的存储器单元的字线。14.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述第二预定次数是在所述刷新信号被输入至少两次时的次数。15.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述刷新控制电路包括：地址存储电路，其被配置成在所述故障检测信号被使能时锁存所述地址信号以从锁存的地址信号生成故障地址信号；控制信号生成电路，其被配置成生成在所述刷新信号被输入所述第二预定次数时或者在预控制信号被输入时被使能的控制信号；计数器，其被配置成响应于所述刷新信号而生成被顺次计数的计数信号；选择传输电路，其被配置成基于所述控制信号而从所述故障地址信号和所述计数信号之中的一种生成所述刷新地址信号；以及修复控制电路，被配置成在具有特定逻辑电平组合的所述地址信号被输入第一预定次数时生成响应于所述故障检测信号而被使能的所述修复信号，以及被配置成在具有所述特定逻辑电平组合的所述地址信号被输入第二预定次数时生成响应于所述故障检测信号而被使能的所述预控制信号。16.一种纠错方法，包括：读取操作步骤，其包括在读取操作期间基于地址信号而向输入/输出线输出核心电路中存储的内部数据；纠错步骤，其包括：检测所述内部数据的错误，根据所述内部数据的错误的检测结果锁存所述地址信号，以及纠正所述内部数据的错误以输出经纠正的内部数据作为数据；以及刷新步骤，其包括：在刷新操作期间，当刷新信号被输入预定次数时从所述地址信号生成刷新地址信号以刷新连接到由所述刷新地址信号选择的字线的存储器单元。17.如权利要求16所述的纠错方法，其中，在所述刷新信号被输入时对所述刷新地址信号顺次计数。
18.如权利要求16所述的纠错方法，其中，在所述刷新信号被输入第一预定次数时从锁存的地址信号生成所述刷新地址信号。19.如权利要求16所述的纠错方法，其中，所述纠错步骤包括：错误检测步骤，其包括检测所述内部数据的错误；数据纠正步骤，其包括当所述内部数据中存在错误时纠正所述内部数据的错误；地址锁存步骤，其包括当所述内部数据中存在错误时存储所述地址信号作为故障地址信号；以及数据输出步骤，其包括纠正所述内部数据的错误以输出经纠正的内部数据作为所述数据。20.如权利要求16所述的纠错方法，其中，所述刷新步骤包括：计数操作步骤，其包括检测所述刷新信号的输入次数；计数检测步骤，其包括在所述刷新信号被输入第一预定次数时生成控制信号；故障刷新步骤，其包括通过基于所述控制信号而从故障地址信号生成所述刷新地址信号来执行刷新操作，所述故障地址信号是从所述地址信号生成的；以及正常刷新步骤，其包括通过基于所述控制信号而从计数信号生成所述刷新地址信号来执行所述刷新操作，所述计数信号在所述刷新信号被输入时被计数。21.一种纠错方法，包括：读取操作步骤，其包括在读取操作期间基于地址信号而向输入/输出线输出核心电路中存储的内部数据；纠错步骤，其包括：检测所述内部数据的错误，根据所述内部数据的错误的检测结果锁存所述地址信号，以及纠正所述内部数据的错误以输出经纠正的内部数据作为数据；以及刷新步骤，其包括：在刷新操作期间，当用于选择具有错误的所述内部数据的所述地址信号被输入第一预定次数时从锁存的地址信号生成刷新地址信号，以刷新连接到由所述刷新地址信号选择的字线的存储器单元；以及在所述刷新操作期间，当用于选择具有错误的所述内部数据的所述地址信号被输入第二预定次数时再次刷新所述字线。22.如权利要求21所述的纠错方法，其中，所述第一预定次数是在所述刷新信号被输入至少两次时的次数。23.如权利要求21所述的纠错方法，其中，所述第二预定次数是在具有用于选择具有错误的所述内部数据的逻辑电平组合的所述地址信号被输入两次时的次数。24.如权利要求21所述的纠错方法，其中，所述刷新步骤包括：当用于选择具有错误的所述内部数据的所述地址信号被输入第三预定次数时，复制在写入操作期间输入的所述内部数据，以将连接到用于存储具有错误的所述内部数据的存储器单元的字线用修复线替代。25.如权利要求24所述的纠错方法，其中，所述第三预定次数是在具有用于选择具有错误的所述内部数据的逻辑电平组合的所述地址信号被输入至少三次时的次数。26.如权利要求21所述的纠错方法，其中，所述刷新地址信号在所述刷新信号被输入时被顺次计数。27.如权利要求21所述的纠错方法，其中，在所述刷新信号被输入所述第一预定次数或所述第二预定次数时从锁存的地址信号生成所述刷新地址信号。
28.如权利要求21所述的纠错方法，其中，所述纠错步骤包括：错误检测步骤，其包括检测所述内部数据的错误；数据纠正步骤，其包括当所述内部数据中存在错误时纠正所述内部数据的错误；地址锁存步骤，其包括当所述内部数据中存在错误时存储所述地址信号作为故障地址信号；以及数据输出步骤，其包括纠正所述内部数据的错误以输出经纠正的内部数据作为所述数据。29.如权利要求21所述的纠错方法，其中，所述刷新步骤包括：计数操作步骤，其包括检测所述刷新信号的输入次数；计数检测步骤，其包括在所述刷新信号被输入所述第一预定次数或所述第二预定次数时生成控制信号；修复检测步骤，其包括：在用于选择具有错误的所述内部数据的所述地址信号被输入第二预定次数时生成被使能的预控制信号，以及在用于选择具有错误的所述内部数据的所述地址信号被输入第三预定次数时生成修复信号；修复操作步骤，其包括基于所述修复信号将连接到存储具有错误的所述内部数据的存储器单元的字线用修复线替代；故障刷新步骤，其包括：通过基于所述控制信号或所述预控制信号而从故障地址信号生成所述刷新地址信号来执行刷新操作，所述故障地址信号是从所述地址信号生成的；以及正常刷新步骤，其包括：通过基于所述控制信号而从计数信号生成所述刷新地址信号来执行所述刷新操作，所述计数信号在所述刷新信号被输入时被计数。
技术总结
一种半导体器件包括纠错电路和刷新控制电路。纠错电路被配置成检测内部数据中包括的错误，生成故障检测信号，以及纠正内部数据的错误。刷新控制电路被配置成响应于故障检测信号存储用于选择内部数据的地址信号。此外，刷新控制电路被配置成在刷新信号被输入到刷新控制电路预定次数时从地址信号生成用于激活连接到存储内部数据的存储器单元的字线的刷新地址信号。新地址信号。新地址信号。
技术研发人员：宋清基
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2020.09.04
技术公布日：2021/10/7