技术特征：
1.一种磁头，具备：第1磁极；第2磁极；以及层叠体，设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，所述层叠体包括：第1磁性层；第2磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间；第3磁性层，设置于所述第2磁性层与所述第2磁极之间；第1非磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；第2非磁性层，设置于所述第2磁性层与所述第3磁性层之间；以及第3非磁性层，设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间，沿着第2方向的所述第1磁极的第1磁极长度比沿着所述第2方向的所述第2磁极的第2磁极长度短，该第2方向相对于从所述第1磁性层向所述第2磁性层的第1方向垂直且沿着所述第1磁极的介质对置面，沿着第3方向的所述第1磁性层的第1磁性层长度比沿着所述第3方向的所述第2磁性层的第2磁性层长度长，该第3方向相对于所述第1方向垂直。2.根据权利要求1所述的磁头，所述第3方向与所述第2方向交叉。3.根据权利要求2所述的磁头，所述第1方向相对于所述介质对置面倾斜。4.根据权利要求1所述的磁头，所述第3方向沿着所述第2方向。5.一种磁头，具备：第1磁极；第2磁极；以及层叠体，设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，所述层叠体包括：第1磁性层；第2磁性层，设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间；第3磁性层，设置于所述第1磁极与所述第2磁性层之间；第1非磁性层，设置于所述第2磁性层与所述第1磁性层之间；第2非磁性层，设置于所述第3磁性层与所述第2磁性层之间；以及第3非磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间，沿着第2方向的所述第1磁极的第1磁极长度比沿着所述第2方向的所述第2磁极的第2磁极长度短，该第2方向相对于从所述第2磁性层向所述第1磁性层的第1方向垂直且沿着所述第1磁极的介质对置面，沿着第3方向的所述第2磁性层的第2磁性层长度比沿着所述第3方向的所述第1磁性层的第1磁性层长度长，该第3方向相对于所述第1方向垂直。6.根据权利要求5所述的磁头，
所述第3方向与所述第2方向交叉。7.根据权利要求6所述的磁头，所述第1方向相对于所述介质对置面倾斜。8.根据权利要求5所述的磁头，所述第3方向沿着所述第2方向。9.根据权利要求1所述的磁头，所述第1非磁性层包含选自由ru、ir、ta及w构成的组的至少1个第1元素，沿着所述第1方向的所述第1非磁性层的厚度是0.2nm以上且3nm以下。10.一种磁记录装置，具备：权利要求1～9中任一项所述的磁头；和电路，所述电路能够向所述层叠体供给电流，所述电流具有从所述第1磁性层向所述第2磁性层的朝向。
技术总结
提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第3磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第3磁性层之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。沿第2方向的第1磁极的第1磁极长度比沿第2方向的第2磁极的第2磁极长度短，第2方向相对于从第1磁性层向第2磁性层的第1方向垂直且沿第1磁极的介质对置面。沿第3方向的第1磁性层的长度比沿第3方向的第2磁性层的长度长，第3方向相对于第1方向垂直。第3方向相对于第1方向垂直。第3方向相对于第1方向垂直。
技术研发人员：高岸雅幸 成田直幸 前田知幸 永泽鹤美 岩崎仁志 首藤浩文
受保护的技术使用者：东芝电子元件及存储装置株式会社
技术研发日：2021.02.26
技术公布日：2022/1/3