用于多个读取操作的存储器装置的制作方法

文档序号:30444179发布日期:2022-06-17 23:46阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种存储器装置,其包括:存储器单元阵列,其包括多个串联连接的存储器单元串;多个存取线,所述多个存取线中的每一存取线连接到所述多个串联连接的存储器单元串中的每一串联连接的存储器单元串的相应存储器单元的控制栅极;和控制逻辑,其配置成:打开所述存储器单元阵列以用于多个读取操作;从耦合到所述多个存取线中的所选存取线的相应存储器单元读取第一页数据;从耦合到所述所选存取线的所述相应存储器单元读取第二页数据;且在读取所述第一页数据和所述第二页数据之后关闭所述存储器单元阵列。2.根据权利要求1所述的存储器装置,其进一步包括:多个数据线,所述多个数据线中的每一数据线连接到所述多个串联连接的存储器单元串中的相应串联连接的存储器单元串;和页缓冲器,其连接到所述多个数据线,所述页缓冲器包括用于所述多个数据线中的每一数据线的相应多个锁存器以并行存储所述第一页数据和所述第二页数据。3.根据权利要求1所述的存储器装置,其进一步包括:多个数据线,所述多个数据线中的每一数据线连接到所述多个串联连接的存储器单元串中的相应串联连接的存储器单元串;和页缓冲器,其连接到所述多个数据线,所述页缓冲器包括用于所述多个数据线中的每一数据线的相应锁存器以顺序地存储所述第一页数据和所述第二页数据,其中所述控制逻辑配置成在读取所述第二页数据之前将所述第一页数据从用于所述多个数据线中的每一数据线的所述相应锁存器传递出去。4.根据权利要求1所述的存储器装置,其进一步包括:多个数据线,所述多个数据线中的每一数据线连接到所述多个串联连接的存储器单元串中的相应串联连接的存储器单元串;和页缓冲器,其连接到所述多个数据线,所述页缓冲器包括用于所述多个数据线中的每一数据线的相应锁存器以顺序地存储所述第一页数据和所述第二页数据,其中所述控制逻辑配置成与读取所述第二页数据并行地将所述第一页数据从用于所述多个数据线中的每一数据线的所述相应锁存器传递出去。5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述第一页数据包括第一逻辑页且所述第二页数据包括第二逻辑页。6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述控制逻辑配置成:通过使所述多个存取线中的每一存取线从参考电压斜升到足以启动耦合到所述多个存取线中的每一存取线的每一相应存储器单元的电压来打开所述存储器单元阵列以用于多个读取操作;且通过使所述多个存取线中的每一存取线斜升到足以启动耦合到所述多个存取线中的每一存取线的每一相应存储器单元的所述电压继而使所述多个存取线中的每一存取线斜降到所述参考电压来关闭所述存储器单元阵列。7.根据权利要求6所述的存储器装置,其中所述控制逻辑配置成在读取所述第一页数据之后读取所述第二页数据而不使所述多个存取线中的未选存取线斜降到所述参考电压。
8.根据权利要求6所述的存储器装置,其中所述控制逻辑配置成在读取所述第一页数据之后读取所述第二页数据而不使所述多个存取线中的任何未选存取线斜降到所述参考电压。9.一种存储器装置,其包括:存储器单元阵列,其包括多个串联连接的存储器单元串;多个存取线,所述多个存取线中的每一存取线连接到所述多个串联连接的存储器单元串中的每一串联连接的存储器单元串的相应存储器单元的控制栅极;页缓冲器,其连接到所述存储器单元阵列;和控制逻辑,其配置成:打开所述存储器单元阵列以用于多个读取操作;从耦合到所述多个存取线中的所选存取线的相应存储器单元读取第一页数据以将所述第一页数据锁存在所述页缓冲器中;将所述锁存的第一页数据从所述页缓冲器传递出去;从耦合到所述所选存取线的所述相应存储器单元读取第二页数据以将所述第二页数据锁存在所述页缓冲器中;将所述锁存的第二页数据从所述页缓冲器传递出去;和关闭所述存储器单元阵列。10.根据权利要求9所述的存储器装置,其中所述控制逻辑配置成响应于将所述第一页数据锁存在所述页缓冲器中与读取所述第二页数据之间的延迟而维持施加到所述多个存取线的偏压电压。11.根据权利要求10所述的存储器装置,其中所述控制逻辑配置成:响应于所述延迟超出阈值周期而在读取所述第二页数据之前关闭所述存储器单元阵列;和响应于关闭所述存储器单元阵列而在读取所述第二页数据之前重新打开所述存储器单元阵列以用于多个读取操作。12.根据权利要求9所述的存储器装置,其中所述控制逻辑配置成与读取所述第二页数据并行地将所述锁存的第一页数据从所述页缓冲器传递出去。13.根据权利要求9所述的存储器装置,其中所述控制逻辑配置成在读取所述第二页数据之前将所述锁存的第一页数据从所述页缓冲器传递出去。14.一种存储器装置,其包括:存储器单元阵列,其包括多个串联连接的存储器单元串;多个存取线,所述多个存取线中的每一存取线连接到所述多个串联连接的存储器单元串中的每一串联连接的存储器单元串的相应存储器单元的控制栅极;多个数据线,所述多个数据线中的每一数据线经由多个选择栅极中的相应选择栅极连接到所述多个串联连接的存储器单元串中的串联连接的存储器单元串的相应子集;多个选择线,所述多个选择线中的每一选择线连接到所述多个选择栅极中的相应选择栅极的控制栅极以用于所述多个选择栅极的相应子集;和控制逻辑,其配置成:打开所述存储器单元阵列以用于多个读取操作;
将所述多个选择线中的第一选择线偏压以经由所述多个选择栅极中的相应选择栅极将所述多个数据线中的每一数据线连接到所述多个串联连接的存储器单元串中的相应第一串联连接的存储器单元串;从耦合到用于所述相应第一串联连接的存储器单元串的所述多个存取线中的第一所选存取线的相应存储器单元读取第一页数据;且在所述读取所述第一页数据之后,从耦合到用于所述相应第一串联连接的存储器单元串的所述第一所选存取线的所述相应存储器单元读取第二页数据而不关闭所述存储器单元阵列。15.根据权利要求14所述的存储器装置,其中所述控制逻辑配置成:在所述从耦合到所述第一所选存取线的所述相应存储器单元读取所述第二页数据之后,从耦合到用于所述相应第一串联连接的存储器单元串的所述多个存取线中的第二所选存取线的相应存储器单元读取第一页数据而不关闭所述存储器单元阵列;且在所述从耦合到所述第二选定存取线的所述相应存储器单元读取所述第一页数据之后,从耦合到用于所述相应第一串联连接的存储器单元串的所述第二所选存取线的所述相应存储器单元读取第二页数据而不关闭所述存储器单元阵列。16.根据权利要求14所述的存储器装置,其中所述控制逻辑配置成:将所述多个选择线中的所述第一选择线偏压以经由所述多个选择栅极的所述相应选择栅极将所述多个数据线中的每一数据线与所述相应第一串联连接的存储器单元串断开连接;在所述从耦合到所述第一所选存取线的所述相应存储器单元读取所述第二页数据之后,将所述多个选择线中的第二选择线偏压以经由所述多个选择栅极中的相应选择栅极将所述多个数据线中的每一数据线连接到相应第二串联连接的存储器单元串;从耦合到用于所述相应第二串联连接的存储器单元串的所述第一所选存取线的相应存储器单元读取第一页数据;且在所述从耦合到用于所述相应第二串联连接的存储器单元串的所述第一所选存取线的所述相应存储器单元读取所述第一页数据之后,从耦合到用于所述相应第二串联连接的存储器单元串的所述第一所选存取线的所述相应存储器单元读取第二页数据而不关闭所述存储器单元阵列。17.根据权利要求14所述的存储器装置,其中所述控制逻辑配置成通过以下操作来打开所述存储器单元阵列以用于多个读取操作:使所述多个存取线中的每一存取线从参考电压斜升到足以启动耦合到所述多个存取线中的每一存取线的每一相应存储器单元的电压;和使所述多个选择线中的每一选择线从所述参考电压斜升到足以启动耦合到所述多个选择线中的每一选择线的每一相应选择栅极的电压。18.根据权利要求14所述的存储器装置,其中所述控制逻辑配置成在从耦合到用于所述多个串联连接的存储器单元串中的每一串联连接的存储器单元串的所述多个存取线中的每一存取线的相应存储器单元读取所有页数据后,关闭所述存储器单元阵列。19.根据权利要求18所述的存储器装置,其中所述控制逻辑配置成通过以下操作来关闭所述存储器单元阵列:
使所述多个存取线中的每一存取线斜升到足以启动耦合到所述多个存取线中的每一存取线的每一相应存储器单元的电压,继而使所述多个存取线中的每一存取线斜降到参考电压;和使所述多个选择线中的每一选择线斜升到足以启动耦合到所述多个选择线中的每一选择线的每一相应选择栅极的电压,继而使所述多个选择线中的每一选择线斜降到所述参考电压。20.根据权利要求14所述的存储器装置,其中所述存储器单元阵列包括三维nand存储器阵列。

技术总结
本申请案涉及一种用于多个读取操作的存储器装置。存储器装置可包含存储器单元阵列、多个存取线和控制逻辑。所述存储器单元阵列包含多个串联连接的存储器单元串。所述多个存取线中的每一存取线连接到所述多个串联连接的存储器单元串中的每一串联连接的存储器单元串的相应存储器单元的控制栅极。所述控制逻辑配置成:打开所述存储器单元阵列以用于多个读取操作;从耦合到所述多个存取线中的所选存取线的相应存储器单元读取第一页数据;从耦合到所述所选存取线的所述相应存储器单元读取第二页数据;且在读取所述第一页数据和所述第二页数据之后关闭所述存储器单元阵列。页数据之后关闭所述存储器单元阵列。页数据之后关闭所述存储器单元阵列。


技术研发人员:E
受保护的技术使用者:美光科技公司
技术研发日:2021.12.16
技术公布日:2022/6/16
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