响应于潜在干扰的存在刷新一组存储器单元的制作方法
【专利说明】
【背景技术】
[0001]存储器设备包括用于存储数据值的存储器单元。示例类型的存储器设备是动态随机存取存储器(DRAM)设备。随着存储器制造技术进步，存储器单元的特征尺寸减小，以增大存储器设备中存储器单元的密度。增大存储器单元的密度提供存储器设备中增加的存储容量。
【附图说明】
[0002]关于下图描述一些实施例:
[0003]图1是包括一些实现方式的示例存储器设备的框图；
[0004]图2和图3图示根据一些实现方式的在存储器设备中使用的检测电路的不同示例；
[0005]图4是根据一些实现方式的示例系统的框图；以及
[0006]图5是根据一些实现方式的干扰管理过程的流程图。
【具体实施方式】
[0007]随着存储器设备的存储器单元由于减小特征尺寸而变得更密集，存储器单元会变得对可能损坏在存储器单元中存储的数据的各种噪声源更加灵敏。一种噪声源包括由数据存取操作引起的干扰，其中对一组存储器单元执行的数据存取操作可能引起至少另一组存储器单元的干扰。
[0008]在一些示例中，存储器设备可以是动态随机存取存储器(DRAM)设备，其具有由存储电容器和存取晶体管形成的存储器单元，存取晶体管可以被激活或被去激活来控制各个存储电容器的存取。存储电容器存储与相应数据值(例如“O”或“I”)对应的电压。尽管在下面的介绍中参考DRAM设备，但是注意，根据一些实现方式的技术或机制还可以应用于其它类型的存储器设备。
[0009]在DRAM设备中，数据存取操作可以激活一组(例如，一排)存储器单元，从该组中提取内容，以及将内容归还至该组存储器单元。激活该组存储器单元和归还该组存储器单元中的内容的过程可以导致对相邻一组单元的干扰。
[0010]例如，对一排存储器单元执行的数据存取操作可以干扰相邻一排(或相邻多排)存储器单元。对于特定一排存储器单元而言，对相邻多排存储器单元的重复数据存取操作可能导致对该特定一排存储器单元的重复干扰。这种重复的干扰可能导致在该特定一排的至少一个存储器单元中存储的数据值改变，这造成数据损坏。例如，如果存储器单元存储与“O”或“ I ”数据值对应的电压，那么由多次重复干扰导致的该存储器单元内的电压改变可能足以造成由该电压表示的数据值从“ O ”改变为“ I ”或者从“ I ”改变为“ O ”。
[0011]图1是具有存储器单元的布置102的存储器设备100的框图。如图所示，存储器单元的布置102被分成多组存储器单元。这些组包括组X和与组X相邻的相邻组X-1和X+1。其它相邻组包括组X-2和X+2，组X-2和X+2各自距离组X —个组。
[0012]在一些示例中，一“组”存储器单元包括一排(或一页)存储器单元。在其它示例中，一组可以包括多排存储器单元，或存储器单元的任何其它集合。一般概念是一组存储器单元可能由于对至少一个相邻组的存储器单元执行的数据存取操作而被干扰。“数据存取操作”或“数据的存取”指对存储器单元的数据进行存取的操作，该操作作为读操作和/或写操作的部分。对存储器设备的特定存储器单元执行的数据存取操作不同于一次擦除一块内所有存储器单元中包含的电荷的擦除操作。
[0013]图1还示出用于特定组的存储器单元(在图1的示例中其是组X)的检测电路104。注意，类似的检测电路可以与存储器设备100中的其它组关联。
[0014]响应于对至少一个相邻组的存储器单元执行的至少一次数据存取，更新检测电路104。例如，在图1中，响应于在组X-2、X-1、X+1和X+2的任一组中执行的数据存取，可以更新检测电路104。“更新”检测电路可以指改变检测电路104的状态。如下面关于图2进一步解释的，更新检测电路104可以涉及推进(advancing)计数器。可替代地，更新检测电路104可以涉及改变被布置为读取一个或多个感应存储器单元(下面关于图3进一步介绍)的感应电路的状态。
[0015]当检测电路104已经改变至指示组X中存储器单元的潜在干扰存在的状态时，检测电路104激活干扰指示106。在一些示例中，干扰指示106可以是信号，其具有指示没有组X的干扰的第一状态和指示组X的潜在干扰的不同的第二状态。
[0016]干扰指示106被提供给刷新控制器108。刷新控制器108用于刷新存储器设备100的存储器单元。在像DRAM设备这样的存储器设备中，定期地刷新在存储器单元中存储的电压。刷新存储器单元指的是增强该存储器单元中的电压以对抗由该存储器单元的存储电容器的电流泄露导致的潜在数据损坏。如果在存储器单元中存储的电压表示“ I ”数据值，那么刷新存储器单元导致该电压被增加，使得该电压提供“I”的更可靠表示。另一方面，如果在存储器单元中存储的电压表示“O”数据值，那么刷新存储器单元导致该电压被降低，以提供“O”的更可靠表示。刷新多排存储器单元提高由这些存储器单元表示的数据值的完整性。在其它示例中，“ I”数据值可以由低电压表示，而“O”数据值可以由高电压表示。
[0017]根据一些实现方式，除了执行定期刷新操作以外(在存储器设备108中的刷新控制器108的控制下或者响应于由外部存储器控制器提供的刷新命令)，刷新控制器108能够对来自检测电路104的干扰指示106做出响应，来执行对应组(在此实例中是组X)中存储器单元的刷新。响应于干扰指示106执行组X中存储器单元的刷新是组X中存储器单元的一种按需刷新形式。这种按需刷新由于检测到组X中存储器单元的可能导致数据损坏的潜在干扰而被执行。
[0018]由于存储器设备100的其它组中的每个组与能够提供它们各自的干扰指示的各自检测电路关联，所以刷新控制器108还能够对来自这些其它检测电路的干扰指示做出响应来引起其它组的刷新。刷新通过使用由刷新控制器108输出的刷新控制信号110来控制。刷新控制信号110可以导致特定组的存储器单元被激活，这导致该组中的存储器单元的刷新。
[0019]在一些实现方式中，用于各个特定组的存储器单元的检测电路104可以提供在存储器设备100中。在替代实现方式中，检测电路104可以提供在存储器设备100的外部，如在存储器控制器中或在另一设备中。
[0020]图2是根据一些实现方式的包括检测电路104的存储器设备100的一些组件的框图。图2的检测电路104包括计数器202和比较器204。图2还示出存取控制器206。存取控制器206接收输入命令，输入命令可以来自位于存储器设备100外部的存储器控制器，其中该输入命令可以是读命令或写命令。该输入命令具有与存储器设备100中要被存取(读或写)的位置对应的地址。
[0021]响应于该输入命令，存取控制器206生成用于对指定存储器位置进行存取的存取信号。例如，存取信号可以指定对例如图1的组X-1中的存储器位置中的数据进行存取。如上面介绍的，组X-1中的数据的存取可能对相邻组(如组X)造成干扰。
[0022]响应于对组X-1执行的数据存取，存取控制器206可以提供推进信号208来推进检测电路104(其与组X关联)中的计数器202。根据特定实现方式，推进计数器202可以指递增计数器202或递减计数器202。在一些示例中，计数器202可以起始于初始小值(例如，O)并且在收到每个推进信号208时递增。在替代示例中，计数器202被初始化至初始大值，并且在推进信号208的每次激活时递减。
[0023]在一些示例中，存取控制器206可以响应于对相邻组的集合中任一组执行的数据存取操作，来激活推进信号208。例如，在该集合包括组X-1和组X+1的示例中，存取控制器206可以响应于对组X-1或组X+1的数据存取操作，来激活推进信号208。作为另一示例，该集合可以包括组X-2、X-U X+1和X+2，在此情况下，存取控制器206响应于对组X-2、X-U X+1和X+2中任一组执行的数据存取操作，来激活推进信号208。
[0024]尽管图2示出存取控制器206响应于特定组的数据存取而仅激活一个推进信号208，但是注意，存取控制器206可以通过激活多个推进信号来推进与多个相邻组关联的检测电路中的计数器，而对特定组的数据存取做出响应。
[0025]计数器202的计数值被提供给比较器204的输入，比较器204将该计数值与预定义的阈值做比较。如果该计数值具有与该预定义的阈值预定的关系(例如，该计数值大于该预定义的阈值或者小于该预定义的阈值)，那么比较器激活干扰指示106