还包括对应于所述多个负载线集的多条负载线。每条负载线耦合于相应负载线集的各列中的感测放大器。
[0048]在步骤405，作出第一类型的某一列有缺陷但剩余列无缺陷的判断。响应于该判断，剩余类型(除了第一类型之外)的字通过没有任何移位的负载线从存储器中被读取。
[0049]在步骤410，第一类型的字通过负载线中经移位的负载线以及由单个通用列驱动的冗余读线从存储器中被读取。这一方法能与SA移位相区别，因为没有局部读线一每条负载线由相应负载线集中的感测放大器所共享。该方法还能与I/O移位相区别，因为当除了有缺陷的类型之外的任一类型的字从存储器中被读取时不存在移位。以此方式，单个冗余列可替代有缺陷的任一列类型。
[0050]如本领域普通技术人员至此将会领会并取决于手头的具体应用的，可以在本公开的设备的材料、装置、配置和使用方法上做出许多修改、替换和变动而不会脱离本公开的精神和范围。有鉴于此，本公开的范围不应当被限定于本文中所解说和描述的特定实施例(因为其仅是藉其一些示例来解说和描述的)，而应当与所附权利要求及其功能等同方案完全相当。
【主权项】
1.一种存储器，包括: 从第一负载线至最后负载线安排的多条负载线； 对应于所述多条负载线的多对感测放大器，使得每对感测放大器被配置成共享相应的负载线，其中每对感测放大器包括第一感测放大器和第二感测放大器，其中所述第一感测放大器被配置成感测第一类型的字，而所述第二感测放大器被配置成感测第二类型的字； 配置成驱动冗余读线的冗余感测放大器； 对应于所述多条负载线的多个复用器，其中所述多个复用器中的第一复用器至倒数第二复用器被配置成在相应的负载线与后续负载线之间选择，其中所述多个复用器中的最后复用器被配置成在所述最后负载线与所述冗余读线之间选择；以及 解码器，所述解码器被配置成在一缺陷对应于第一感测放大器之一且第二类型的字正从第二感测放大器中被读取时控制复用器选用它们的相应的负载线，所述解码器被进一步配置成当一缺陷对应于第二感测放大器之一且第一类型的字正从第一感测放大器中被读取时控制复用器选用它们的相应的负载线。2.如权利要求1所述的存储器，其中所述解码器被进一步配置成当第一类型的字正从所述存储器中被读取且在对应于所述负载线中给定的一条负载线的感测放大器对中第一感测放大器有缺陷时，控制对应于该给定的一条负载线至倒数第二负载线的复用器移位来选用它们的后续负载线，以及控制所述最后复用器移位来选用所述冗余读线。3.如权利要求2所述的方法，其中所述解码器被进一步配置成当第一类型的字正从所述存储器中被读取且在对应于所述给定的一条负载线的感测放大器对中第一感测放大器有缺陷时，控制对应于所述第一负载线至前一负载线的复用器选用它们的相应的负载线，其中所述给定的一条负载线是关于所述前一负载线的后续负载线。4.如权利要求1所述的存储器，其中所述解码器被进一步配置成当第二类型的字正从所述存储器中被读取且在对应于所述负载线中给定的一条负载线的感测放大器对中第二感测放大器有缺陷时，控制对应于该给定的一条负载线至倒数第二负载线的复用器移位来选用它们的后续负载线，以及控制所述最后复用器移位来选用所述冗余读线。5.如权利要求4所述的方法，其中所述解码器被进一步配置成当第二类型的字正从所述存储器中被读取且在对应于所述给定的一条负载线的感测放大器对中第二感测放大器有缺陷时，控制对应于所述第一负载线至前一负载线的复用器选用它们的相应的负载线，其中所述给定的一条负载线是关于所述前一负载线的后续负载线。6.如权利要求1所述的方法，其中所述存储器包括SRAM。7.如权利要求1所述的方法，其中每个感测放大器被配置成从多个相应的位线进行感测。8.如权利要求1所述的方法，进一步包括对应于所述多条负载线的多个第二对感测放大器，使得每一第二对感测放大器被配置成共享相应的负载线，其中每一第二对感测放大器包括第三感测放大器和第四感测放大器，其中所述第三感测放大器被配置成感测第三类型的字，而所述第四感测放大器被配置成感测第四类型的字。9.一种用于被配置成使用相应的多个列类型来读取多个字类型的存储器的方法，所述存储器包括多条负载线，每条负载线由列的相应负载线集驱动，每个负载线集包括每一类型一列，所述方法包括: 响应于确定第一类型的一列有缺陷且剩余的列类型无缺陷，通过没有任何移位的负载线从所述存储器读取剩余类型的字；以及 响应于确定所述第一类型的所述列有缺陷，通过负载线中经移位的负载线以及通过由单个通用列驱动的通用冗余读线从所述存储器中读取所述第一类型的字。10.如权利要求9所述的方法，其中所述存储器包括对应于所述多条负载线的多个输出复用器，所述方法进一步包括在读取所述剩余类型的字时控制每个输出复用器选用其相应的负载线。11.如权利要求10所述的方法，其中所述多条负载线从第一负载线至最后负载线来被安排，其中所述输出复用器从相应的第一输出复用器至相应的最后输出复用器来被安排，其中通过负载线中经移位的负载线从所述存储器中读取所述第一类型的字包括确定哪条负载线耦合于所述第一类型的有缺陷的感测放大器，以及控制对应于负载线中所确定的负载线至倒数第二负载线的输出复用器中的每个输出复用器选用经移位的负载线，以及控制所述最后复用器选用所述冗余读线。12.如权利要求11所述的方法，其中读取所述第一类型的字进一步包括控制从所述第一输出复用器至前一输出复用器中的每个输出复用器选用其相应的负载线，其中所确定的负载线是关于前一负载线的经移位的负载线。13.如权利要求9所述的方法，进一步包括: 响应于确定第二类型的一列有缺陷，通过没有任何移位的负载线从所述存储器读取除所述第二类型之外的剩余类型的字；以及 响应于确定所述第二类型的所述列有缺陷，通过负载线中经移位的负载线以及通过由所述单个通用列驱动的所述通用冗余读线从所述存储器中读取所述第二类型的字。14.如权利要求13所述的方法，进一步包括: 响应于确定第三类型的一列有缺陷，通过没有任何移位的负载线从所述存储器读取除所述第三类型之外的剩余类型的字；以及 响应于确定所述第三类型的所述列有缺陷，通过负载线中经移位的负载线以及通过由所述单个通用列驱动的所述通用冗余读线从所述存储器中读取所述第三类型的字。15.—种存储器，包括: 多个列对，每个列对包括第一感测放大器和第二感测放大器，第一感测放大器被配置成感测第一字的位，而第二感测放大器被配置成感测第二字的位； 对应于所述多个列对的多条负载线；以及 用于从所述多个条负载线选择来输出字的装置，其中所述装置被配置成在所述字是第一字且第一感测放大器之一有缺陷时从所述多条负载线中的经移位的负载线中选择，所述装置被进一步配置成当所述字是第二字且第一感测放大器之一有缺陷时仅从所述多条负载线中的未移位的负载线中选择。16.如权利要求15所述的存储器，其中所述装置被进一步配置成当所述字是第二字且第二感测放大器之一有缺陷时从所述多条负载线中的经移位的负载线中选择，所述装置被进一步配置成当所述字是第一字且第二感测放大器之一有缺陷时从所述多条负载线中的未移位的负载线中选择。17.如权利要求16所述的存储器，进一步包括单条冗余读线，并且其中所述装置被进一步配置成当从所述多条负载线中的经移位的负载线中选择时选用所述单条冗余读线。18.如权利要求15所述的存储器，其中所述存储器是SRAM。19.如权利要求15所述的存储器，其中第一放大器和第二放大器中的每一个都被配置成从相应的一组四条位线进行感测。20.如权利要求19所述的存储器，其中所述装置包括多个输出复用器。
【专利摘要】一种存储器包括冗余感测放大器(315)和多个感测放大器对(302，305)。每个感测放大器对包括第一感测放大器(302)和第二感测放大器(305)。每个感测放大器对驱动一公共负载线(负载线[1,2,..,32])。该存储器被配置成使用单个冗余感测放大器实现列冗余，而不需要针对每个感测放大器的局部读线。
【IPC分类】G11C7/08, G11C29/00, G11C16/04, G11C16/26, G11C16/28, G11C11/56, G11C16/34
【公开号】CN105027220
【申请号】CN201480012714
【发明人】C·郑
【申请人】高通股份有限公司
【公开日】2015年11月4日
【申请日】2014年3月11日
【公告号】US8879328, US20140269104, WO2014150548A2, WO2014150548A3